吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

半導(dǎo)體CMP工藝核心：金屬互聯(lián)層與介質(zhì)層Slurry拋光液的類型劃分[ 08-28 16:59 ]

在半導(dǎo)體芯片制造中，化學(xué)機(jī)械拋光CMP是關(guān)鍵工藝，其中CMP Slurry拋光液就是核心耗材，直接決定芯片平整度、電路可靠性與性能。無(wú)論是 導(dǎo)線;（互連層）還是絕緣骨架（介質(zhì)層），都需靠它實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)平整。下面吉致電子小編就來(lái)拆解下半導(dǎo)體CMP拋光液的中金屬互聯(lián)層及介質(zhì)層CMP拋光液的類型和應(yīng)用場(chǎng)景。一、金屬互連層CMP拋光液（后端 BEOL 核心）核心需求是選擇性除金屬、護(hù)絕緣 / 阻擋層，主流類型有：銅（Cu）CMP 拋光液14n

CMP拋光墊怎么選？吉致電子聚氨酯拋光墊適配全工序需求[ 08-27 13:56 ]

在化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）工藝中，聚氨酯拋光墊（Polyurethane Polishing Pad）是實(shí)現(xiàn)化學(xué)作用與機(jī)械研磨協(xié)同” 的核心耗材之一，直接決定拋光后的表面平整度（Global Planarity）、表面粗糙度（Surface Roughness）及拋光效率，其應(yīng)用可從功能定位、關(guān)鍵作用、選型邏輯及使用要點(diǎn)四個(gè)維度展開(kāi)：一、核心功能定位：CMP工藝的;機(jī)械研磨載體CMP 的本質(zhì)是通過(guò)

國(guó)產(chǎn)CMP拋光墊：吉致電子無(wú)紡布?jí)|如何比肩Fujibo？[ 08-14 14:46 ]

在化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝中，拋光墊CMP PAD對(duì)精密元件表面處理質(zhì)量影響重大，高端市場(chǎng)長(zhǎng)期被國(guó)際巨頭壟斷，國(guó)產(chǎn)替代拋光墊/研磨墊的需求強(qiáng)烈。無(wú)錫吉致電子憑借多年技術(shù)積累，研發(fā)的高性能無(wú)紡布及半導(dǎo)體拋光墊系列產(chǎn)品，可實(shí)現(xiàn)對(duì)Fujibo(富士紡)等進(jìn)口品牌的替代，在拋光效率、使用壽命和本土定制化服務(wù)上優(yōu)勢(shì)顯著。無(wú)紡布拋光墊的技術(shù)特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景及國(guó)產(chǎn)化突破意義，為相關(guān)行業(yè)提供高性價(jià)比拋光方案。吉致電子無(wú)紡布拋光墊，以特殊纖維結(jié)構(gòu)和創(chuàng)新工藝，實(shí)現(xiàn)高耐磨性與優(yōu)異拋光性能的結(jié)合。相比傳統(tǒng)聚氨酯拋光墊，其三維網(wǎng)絡(luò)孔隙能更有效輸

硅晶圓芯片拋光如何選擇無(wú)蠟吸附墊？[ 07-04 17:08 ]

半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，無(wú)蠟吸附墊Template正逐漸成為提升生產(chǎn)效率與加工精度的關(guān)鍵要素。相較于傳統(tǒng)蠟?zāi)Ｑb夾工藝，無(wú)蠟吸附墊展現(xiàn)出諸多優(yōu)勢(shì)。如何挑選出契合晶圓、芯片CMP拋光需求的無(wú)蠟吸附墊，成為眾多半導(dǎo)體企業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。選擇半導(dǎo)體無(wú)蠟吸附墊，吉致電子建議您可從以下幾個(gè)方面考慮：考慮晶圓尺寸與類型：不同的半導(dǎo)體加工涉及不同尺寸的晶圓，如8英寸或12英寸等，需選擇與之適配的無(wú)蠟吸附墊。同時(shí)，根據(jù)晶圓材料類型，如硅片、SiC、藍(lán)寶石襯底等，選擇具有相應(yīng)材料兼容性的吸附墊，確保在加工過(guò)程中不會(huì)對(duì)晶圓造成化學(xué)腐蝕等損害。關(guān)注吸

化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）如何優(yōu)化陶瓷覆銅板平坦化？[ 05-23 16:32 ]

陶瓷覆銅板（Ceramic Copper-Clad Laminate，簡(jiǎn)稱陶瓷基覆銅板或DBC/DPC）是一種高性能電子基板材料，廣泛應(yīng)用于高功率、高溫、高頻等苛刻環(huán)境下的電子器件中。它由陶瓷基板和覆銅層通過(guò)特殊工藝結(jié)合而成，兼具陶瓷的優(yōu)異性能和金屬銅的導(dǎo)電特性。陶瓷覆銅板CMP研磨液是一種專用于化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）工藝的特殊液體，用于對(duì)陶瓷覆銅板（如DBC、DPC等）表面進(jìn)行高精度平坦化處理。其核心作用是通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同效應(yīng)，去除銅層和陶

如何解決二氧化硅拋光液結(jié)晶問(wèn)題？吉致電子CMP拋光專家支招[ 05-08 17:28 ]

在半導(dǎo)體、光學(xué)玻璃等精密制造領(lǐng)域，二氧化硅（SiO2）拋光液因其高精度、低損傷的特性被廣泛應(yīng)用。然而，拋光液在存儲(chǔ)或使用過(guò)程中可能出現(xiàn)結(jié)晶結(jié)塊現(xiàn)象，輕則影響拋光效果，重則導(dǎo)致工件劃傷甚至報(bào)廢。如何有效避免和解決這一問(wèn)題？吉致電子憑借多年CMP拋光液研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，為您提供專業(yè)解決方案！一、結(jié)晶原因分析二氧化硅拋光液以高純度硅粉為原料，通過(guò)水解法制備，其膠體粒子在水性環(huán)境中形成穩(wěn)定的離子網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。但若水分流失、溫度波動(dòng)或pH失衡，粒子會(huì)迅速聚集形成硬質(zhì)結(jié)晶。主要誘因包括：存儲(chǔ)不當(dāng)（溫度過(guò)高/過(guò)低、未密封）拋光液停滯（流動(dòng)不

半導(dǎo)體銅CMP拋光液：銅互連工藝的核心材料[ 02-25 14:44 ]

半導(dǎo)體銅化學(xué)機(jī)械拋光液（Copper CMP Slurry）是用于半導(dǎo)體制造過(guò)程中銅互連層化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）的關(guān)鍵材料。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，銅CU因其低電阻率和高抗電遷移性能，取代鋁成為主流互連材料。銅CMP拋光液在銅互連工藝中起到至關(guān)重要的作用，確保銅層平整化并實(shí)現(xiàn)多層互連結(jié)構(gòu)，CU CMP Slurry通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的結(jié)合，實(shí)現(xiàn)銅層的高精度平整化和表面質(zhì)量控制。。 一、Copper CMP Slurry銅CMP拋光液的組成：主要磨料顆粒（Abrasive Particles）有二氧化硅（

硬盤(pán)玻璃的表面拋光主要用什么工藝？[ 02-18 13:25 ]

    硬盤(pán)玻璃（也稱為硬盤(pán)盤(pán)片基板或玻璃基板）是一種用于制造硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器（HDD）盤(pán)片的特殊玻璃材料。它是硬盤(pán)盤(pán)片的基礎(chǔ)材料，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。硬盤(pán)玻璃通常采用特殊的鋁硅酸鹽玻璃或化學(xué)強(qiáng)化玻璃，具有硬度高、輕量化、低熱膨脹系數(shù)、高表面光潔度的特點(diǎn)。硬盤(pán)玻璃的表面拋光是其制造過(guò)程中非常關(guān)鍵的一環(huán)，因?yàn)橛脖P(pán)盤(pán)片需要極高的表面平整度和光潔度，以確保數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和讀寫(xiě)的精確性。硬盤(pán)玻璃的表面拋光主要采用CMP化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing）。 &nb

鈮酸鋰/鉭酸鋰晶體拋光液成分及特點(diǎn)[ 02-08 15:14 ]

鈮酸鋰（LiNbO?）和鉭酸鋰（LiTaO?）襯底的CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）拋光液是一種專門(mén)設(shè)計(jì)用于實(shí)現(xiàn)高效材料去除和表面平整化的化學(xué)機(jī)械混合物。其組成和特性如下：1. 主要成分磨料：常用磨料包括二氧化硅（SiO?）或氧化鋁（Al?O?）納米顆粒。磨料粒徑通常在20-200 nm之間，以實(shí)現(xiàn)高效的材料去除和表面光滑。氧化劑：用于氧化襯底表面，使其更容易被磨料去除。常見(jiàn)的氧化劑包括過(guò)氧化氫（H?O?）、硝酸（HNO?）或高錳酸鉀（KMnO?）。pH調(diào)節(jié)劑：拋光液的pH值通常控制在9-11之間，以優(yōu)化化學(xué)反應(yīng)和

影響碳化硅襯底質(zhì)量的重要工藝參數(shù)有哪些[ 01-31 17:33 ]

碳化硅襯底提高加工速率和良品率的主要因素除了用對(duì)拋光液和拋光墊，在CMP拋光研磨過(guò)程的工藝參數(shù)也很重要：拋光壓力：適當(dāng)增加壓力可以提高拋光效率，但過(guò)高的壓力可能導(dǎo)致襯底表面產(chǎn)生劃痕、損傷甚至破裂。一般根據(jù)襯底的厚度、硬度以及拋光設(shè)備的性能，壓力范圍在幾十千帕到幾百千帕之間。拋光轉(zhuǎn)速：包括襯底承載臺(tái)的轉(zhuǎn)速和拋光墊的轉(zhuǎn)速。轉(zhuǎn)速影響拋光液在襯底和拋光墊之間的流動(dòng)狀態(tài)以及磨料的磨削作用。較高的轉(zhuǎn)速可以加快拋光速度，但也可能使拋光液分布不均勻，導(dǎo)致表面質(zhì)量下降。轉(zhuǎn)速通常在每分鐘幾十轉(zhuǎn)到幾百轉(zhuǎn)之間調(diào)整。拋光時(shí)間：由襯底需要去除

CMP拋光墊在化學(xué)機(jī)械平面研磨中的作用和效果[ 01-11 10:25 ]

CMP拋光墊在化學(xué)機(jī)械平面研磨中的作用和效果通過(guò)調(diào)整拋光墊的密度和硬度，可以根據(jù)目標(biāo)值（如鏡面光潔度、精度等）進(jìn)行優(yōu)化，確保工件表面達(dá)到鏡面光潔度，同時(shí)與研磨相比，損傷降至最低。在CMP過(guò)程中，拋光墊主要發(fā)揮以下作用：1. 均勻施加壓力：由于拋光墊通常由柔性材料制成，并具有一定的彈性，它能夠在壓力施加時(shí)均勻變形，確保材料的去除速率在整個(gè)晶圓表面上保持一致，避免局部去除過(guò)度或不足。2. 散熱：CMP過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量熱量，拋光墊通常由具有良好導(dǎo)熱性能的材料制成，例如聚氨酯等，能夠快速傳導(dǎo)熱量，防止局部過(guò)熱，從而保護(hù)晶圓

半導(dǎo)體晶圓拋光墊的類型有哪些[ 01-10 14:59 ]

一、CMP拋光墊概述CMP拋光墊是半導(dǎo)體晶圓制造中不可或缺的工具之一，主要用于半導(dǎo)體晶圓的拋光和平整處理。這些拋光墊CMP Pad采用優(yōu)質(zhì)材料制作，展現(xiàn)出卓越的耐磨性和平坦度，確保晶圓在拋光過(guò)程中得到妥善保護(hù)，不受損害。根據(jù)不同的材質(zhì)和硬度需求，拋光墊可分為多種類型。二、各種自粘式CMP拋光墊的種類和特點(diǎn)1. 聚氨酯(PU)拋光墊聚氨酯(PU)拋光墊是拋光墊中的一種常見(jiàn)類型，其硬度較低，展現(xiàn)出良好的柔軟性和彈性，特別適用于需要柔軟拋光墊的場(chǎng)合。它的拋光效果出色，使用壽命較長(zhǎng)，但價(jià)格相對(duì)較高。2. 聚酯(PET)拋光

吉致電子---阻尼布拋光墊的功能和應(yīng)用領(lǐng)域[ 12-20 16:12 ]

吉致電子阻尼布拋光墊（精拋墊）的功能和應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？一、阻尼布拋光墊的功能優(yōu)勢(shì)①提高拋光質(zhì)量：阻尼布拋光墊能夠有效吸收拋光過(guò)程中的振動(dòng)和沖擊，使拋光表面更加光滑、細(xì)膩，從而提高產(chǎn)品質(zhì)量。②減少表面損傷：通過(guò)降低拋光過(guò)程中的振動(dòng)和沖擊力，阻尼布拋光墊可以減少對(duì)拋光表面的損傷，保護(hù)材料的完整性。③提高工作效率：阻尼布拋光墊具有良好的耐用性和穩(wěn)定性，能夠長(zhǎng)時(shí)間保持穩(wěn)定的拋光效果，從而提高工作效率。二、阻尼布拋光墊的應(yīng)用領(lǐng)域阻尼布拋光墊在多個(gè)領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用，包括但不限于：①金屬加工領(lǐng)域：可用于金屬表面的拋光處理，如鈦

黑色阻尼布拋光墊和白色阻尼布拋光墊的區(qū)別[ 12-13 15:18 ]

白色阻尼布拋光墊和黑色阻尼布拋光墊的主要區(qū)別有哪些？黑白色阻尼布PAD的區(qū)別在于材質(zhì)、用途和拋光效果。一、黑色/白色阻尼布材質(zhì)和用途不同?白色阻尼布拋光墊?：通常采用中等硬度的材質(zhì)，如中等密度的海綿或布料。這種拋光墊在去除中度劃痕和污漬方面效果顯著，適用于中等強(qiáng)度的拋光作業(yè)。它能夠在拋光過(guò)程中保持適中的溫度，避免對(duì)材料造成熱損傷，因此在各種金屬、塑料等材料的拋光過(guò)程中得到廣泛應(yīng)用?。黑色阻尼布拋光墊：采用較硬的材質(zhì)，如高密度海綿或硬質(zhì)布料。這種拋光墊具有較強(qiáng)的切削力和耐磨性，適用于去除重度劃痕、污漬和氧化層。

吉致電子LN鈮酸鋰拋光液，CMP精密加工好助手[ 11-06 17:17 ]

  鈮酸鋰化學(xué)式為L(zhǎng)iNbO3簡(jiǎn)稱LN，具有良好的非線性光學(xué)性質(zhì)，可用作光波導(dǎo)材料，或用于制作中低頻聲表濾波器、大功率耐高溫超聲換能器等。鈮酸鋰摻雜技術(shù)如今被廣泛應(yīng)用。Mg:LN提高抗激光損傷閾值，優(yōu)化在非線性光學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用；Nd:Mg:LN晶體可實(shí)現(xiàn)自倍頻效應(yīng)；Fe:LN晶體可用于光學(xué)體全息存儲(chǔ)。CMP研磨液拋光液能平坦化鈮酸鋰晶圓表面凹陷，晶圓快速達(dá)到理想粗糙度。  8寸鈮酸鋰晶圓在光電子器件和集成電路領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。相較于較小尺寸的晶圓，8英寸鈮酸鋰晶圓具有明顯的優(yōu)勢(shì)。首先，它擁有更大

DNA基因芯片cmp工藝[ 10-11 17:17 ]

  基因芯片又稱DNA芯或DNA微陣列。它是一種同時(shí)將大量的探針?lè)肿庸潭ǖ焦滔嘀С治锷希柚怂岱肿与s交配對(duì)的特性對(duì)DNA樣品的序列信息進(jìn)行高效解讀和分析的技術(shù)，主要應(yīng)用在醫(yī)學(xué)領(lǐng)域、生物學(xué)研究領(lǐng)域和農(nóng)業(yè)領(lǐng)域。DNA芯片生產(chǎn)過(guò)程需要經(jīng)過(guò)CMP研磨拋光去除基板水凝膜，達(dá)到理想表面效果。 吉致電子DNA基因芯片slurry，有效去除基底涂覆的軟材料,軟材料包括但不限于聚合物、無(wú)機(jī)水凝膠或有機(jī)聚合物水凝膠等?；蛐酒心ヒ菏褂梦⒚准?jí)磨料制備，粒徑均一穩(wěn)定，有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、軟材質(zhì)水凝

CMP拋光液---半導(dǎo)體拋光液種類有哪些[ 08-09 09:01 ]

  半導(dǎo)體拋光液種類有哪些？CMP拋光液在集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用遠(yuǎn)不止晶圓拋光，半導(dǎo)體使用的CMP制程包括氧化層（Oxide CMP）、多晶硅（Poly CMP）、金屬層（Metal CMP）。就拋光工藝而言，不同制程的產(chǎn)品需要不同的拋光流程，28nm制程需要12~13次CMP，進(jìn)入10nm制程后CMP次數(shù)將翻倍，達(dá)到25~30次。STI CMP Slurry---淺溝槽隔離平坦化  STI淺溝槽隔離技術(shù)是用氧化物隔開(kāi)各個(gè)門(mén)電路，使各門(mén)電路之間互不導(dǎo)通，STI CMP工藝的目標(biāo)是去除填充在淺溝槽中的

CMP拋光墊的種類及特點(diǎn)[ 07-26 16:42 ]

Cmp拋光墊種類可按材質(zhì)結(jié)構(gòu)主要有：聚合物拋光墊、無(wú)紡布拋光墊、帶絨毛結(jié)構(gòu)的無(wú)紡布拋光墊、復(fù)合型拋光墊。①聚合物拋光墊聚合物拋光墊的主要成分是發(fā)泡體固化聚氨酯，聚氨酯拋光墊具有抗撕裂強(qiáng)度高、耐磨性強(qiáng)、耐酸堿腐蝕性優(yōu)異的特點(diǎn)，是最常用的拋光墊材料之一。 圖 聚氨酯拋光墊微觀結(jié)構(gòu) 在拋光過(guò)程中，聚氨酯拋光墊表面微孔可以軟化和使拋光墊表面粗糙化，并且能夠?qū)⒛チ项w粒保持在拋光液中，可以實(shí)現(xiàn)高效的平坦化加工。聚氨酯拋光墊表面的溝槽有利于拋光殘?jiān)呐懦?。但聚氨酯拋光墊硬度過(guò)高，拋光過(guò)程中變形小，加工過(guò)程中容

吉致電子CMP拋光墊的作用[ 07-18 16:19 ]

CMP技術(shù)是指被拋光材料在化學(xué)和機(jī)械的共同作用下，工件表面達(dá)到所要求的平整度的一個(gè)工藝過(guò)程。cmp拋光液中的化學(xué)成分與被拋磨工件材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，形成易去除的軟化層，拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對(duì)材料表面進(jìn)行物理機(jī)械拋光將軟化層除去。在CMP制程中，拋光墊的主要作用有：①使拋光液有效均勻分布至整個(gè)加工區(qū)域，且可提供新補(bǔ)充的拋光液進(jìn)行一個(gè)拋光液循環(huán)；②從工件拋光表面除去拋光過(guò)程產(chǎn)生的殘留物（如拋光碎屑、拋光碎片等）；③傳遞材料去除所需的機(jī)械載荷；④維持拋光過(guò)程所需的機(jī)械和化學(xué)環(huán)境。除拋光墊的力學(xué)性能以外，其表面組織

SiC碳化硅襯底加工的主要步驟[ 06-21 15:45 ]

SiC碳化硅襯底加工的主要分為9個(gè)步驟：晶面定向、外圓滾磨、端面磨、線切、倒角、減薄、CMP研磨、CMP拋光以及清洗。1.晶面定向：使用 X 射線衍射法為晶錠定向，當(dāng)一束 X 射線入射到需要定向的晶面后，通過(guò)衍射光束的角度來(lái)確定晶面的晶向。2.外圓滾磨：在石墨坩堝中生長(zhǎng)的單晶的直徑大于標(biāo)準(zhǔn)尺寸，通過(guò)外圓滾磨將直徑減小到標(biāo)準(zhǔn)尺寸。3.端面磨：SiC 襯底一般有兩個(gè)定位邊，主定位邊與副定位邊，通過(guò)端面磨開(kāi)出定位邊。4.線切割：線切割是碳化硅SiC 襯底加工過(guò)程中一道較為重要的工序。線切過(guò)程中造成的裂紋損傷、殘留的亞表面