吉致電子拋光材料 源頭廠(chǎng)家
25年 專(zhuān)注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

吉致電子---阻尼布拋光墊的功能和應(yīng)用領(lǐng)域[ 12-20 16:12 ]

吉致電子阻尼布拋光墊（精拋墊）的功能和應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？一、阻尼布拋光墊的功能優(yōu)勢(shì)①提高拋光質(zhì)量：阻尼布拋光墊能夠有效吸收拋光過(guò)程中的振動(dòng)和沖擊，使拋光表面更加光滑、細(xì)膩，從而提高產(chǎn)品質(zhì)量。②減少表面損傷：通過(guò)降低拋光過(guò)程中的振動(dòng)和沖擊力，阻尼布拋光墊可以減少對(duì)拋光表面的損傷，保護(hù)材料的完整性。③提高工作效率：阻尼布拋光墊具有良好的耐用性和穩(wěn)定性，能夠長(zhǎng)時(shí)間保持穩(wěn)定的拋光效果，從而提高工作效率。二、阻尼布拋光墊的應(yīng)用領(lǐng)域阻尼布拋光墊在多個(gè)領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用，包括但不限于：①金屬加工領(lǐng)域：可用于金屬表面的拋光處理，如鈦

黑色阻尼布拋光墊和白色阻尼布拋光墊的區(qū)別[ 12-13 15:18 ]

白色阻尼布拋光墊和黑色阻尼布拋光墊的主要區(qū)別有哪些？黑白色阻尼布PAD的區(qū)別在于材質(zhì)、用途和拋光效果。一、黑色/白色阻尼布材質(zhì)和用途不同?白色阻尼布拋光墊?：通常采用中等硬度的材質(zhì)，如中等密度的海綿或布料。這種拋光墊在去除中度劃痕和污漬方面效果顯著，適用于中等強(qiáng)度的拋光作業(yè)。它能夠在拋光過(guò)程中保持適中的溫度，避免對(duì)材料造成熱損傷，因此在各種金屬、塑料等材料的拋光過(guò)程中得到廣泛應(yīng)用?。黑色阻尼布拋光墊：采用較硬的材質(zhì)，如高密度海綿或硬質(zhì)布料。這種拋光墊具有較強(qiáng)的切削力和耐磨性，適用于去除重度劃痕、污漬和氧化層。

吉致電子LN鈮酸鋰拋光液，CMP精密加工好助手[ 11-06 17:17 ]

  鈮酸鋰化學(xué)式為L(zhǎng)iNbO3簡(jiǎn)稱(chēng)LN，具有良好的非線(xiàn)性光學(xué)性質(zhì)，可用作光波導(dǎo)材料，或用于制作中低頻聲表濾波器、大功率耐高溫超聲換能器等。鈮酸鋰摻雜技術(shù)如今被廣泛應(yīng)用。Mg:LN提高抗激光損傷閾值，優(yōu)化在非線(xiàn)性光學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用；Nd:Mg:LN晶體可實(shí)現(xiàn)自倍頻效應(yīng)；Fe:LN晶體可用于光學(xué)體全息存儲(chǔ)。CMP研磨液拋光液能平坦化鈮酸鋰晶圓表面凹陷，晶圓快速達(dá)到理想粗糙度。  8寸鈮酸鋰晶圓在光電子器件和集成電路領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。相較于較小尺寸的晶圓，8英寸鈮酸鋰晶圓具有明顯的優(yōu)勢(shì)。首先，它擁有更大

DNA基因芯片cmp工藝[ 10-11 17:17 ]

  基因芯片又稱(chēng)DNA芯或DNA微陣列。它是一種同時(shí)將大量的探針?lè)肿庸潭ǖ焦滔嘀С治锷?，借助核酸分子雜交配對(duì)的特性對(duì)DNA樣品的序列信息進(jìn)行高效解讀和分析的技術(shù)，主要應(yīng)用在醫(yī)學(xué)領(lǐng)域、生物學(xué)研究領(lǐng)域和農(nóng)業(yè)領(lǐng)域。DNA芯片生產(chǎn)過(guò)程需要經(jīng)過(guò)CMP研磨拋光去除基板水凝膜，達(dá)到理想表面效果。 吉致電子DNA基因芯片slurry，有效去除基底涂覆的軟材料,軟材料包括但不限于聚合物、無(wú)機(jī)水凝膠或有機(jī)聚合物水凝膠等?；蛐酒心ヒ菏褂梦⒚准?jí)磨料制備，粒徑均一穩(wěn)定，有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、軟材質(zhì)水凝

CMP拋光液---半導(dǎo)體拋光液種類(lèi)有哪些[ 08-09 09:01 ]

  半導(dǎo)體拋光液種類(lèi)有哪些？CMP拋光液在集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用遠(yuǎn)不止晶圓拋光，半導(dǎo)體使用的CMP制程包括氧化層（Oxide CMP）、多晶硅（Poly CMP）、金屬層（Metal CMP）。就拋光工藝而言，不同制程的產(chǎn)品需要不同的拋光流程，28nm制程需要12~13次CMP，進(jìn)入10nm制程后CMP次數(shù)將翻倍，達(dá)到25~30次。STI CMP Slurry---淺溝槽隔離平坦化  STI淺溝槽隔離技術(shù)是用氧化物隔開(kāi)各個(gè)門(mén)電路，使各門(mén)電路之間互不導(dǎo)通，STI CMP工藝的目標(biāo)是去除填充在淺溝槽中的

CMP拋光墊的種類(lèi)及特點(diǎn)[ 07-26 16:42 ]

Cmp拋光墊種類(lèi)可按材質(zhì)結(jié)構(gòu)主要有：聚合物拋光墊、無(wú)紡布拋光墊、帶絨毛結(jié)構(gòu)的無(wú)紡布拋光墊、復(fù)合型拋光墊。①聚合物拋光墊聚合物拋光墊的主要成分是發(fā)泡體固化聚氨酯，聚氨酯拋光墊具有抗撕裂強(qiáng)度高、耐磨性強(qiáng)、耐酸堿腐蝕性?xún)?yōu)異的特點(diǎn)，是最常用的拋光墊材料之一。 圖 聚氨酯拋光墊微觀結(jié)構(gòu) 在拋光過(guò)程中，聚氨酯拋光墊表面微孔可以軟化和使拋光墊表面粗糙化，并且能夠?qū)⒛チ项w粒保持在拋光液中，可以實(shí)現(xiàn)高效的平坦化加工。聚氨酯拋光墊表面的溝槽有利于拋光殘?jiān)呐懦?。但聚氨酯拋光墊硬度過(guò)高，拋光過(guò)程中變形小，加工過(guò)程中容

吉致電子CMP拋光墊的作用[ 07-18 16:19 ]

CMP技術(shù)是指被拋光材料在化學(xué)和機(jī)械的共同作用下，工件表面達(dá)到所要求的平整度的一個(gè)工藝過(guò)程。cmp拋光液中的化學(xué)成分與被拋磨工件材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，形成易去除的軟化層，拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對(duì)材料表面進(jìn)行物理機(jī)械拋光將軟化層除去。在CMP制程中，拋光墊的主要作用有：①使拋光液有效均勻分布至整個(gè)加工區(qū)域，且可提供新補(bǔ)充的拋光液進(jìn)行一個(gè)拋光液循環(huán)；②從工件拋光表面除去拋光過(guò)程產(chǎn)生的殘留物（如拋光碎屑、拋光碎片等）；③傳遞材料去除所需的機(jī)械載荷；④維持拋光過(guò)程所需的機(jī)械和化學(xué)環(huán)境。除拋光墊的力學(xué)性能以外，其表面組織

SiC碳化硅襯底加工的主要步驟[ 06-21 15:45 ]

SiC碳化硅襯底加工的主要分為9個(gè)步驟：晶面定向、外圓滾磨、端面磨、線(xiàn)切、倒角、減薄、CMP研磨、CMP拋光以及清洗。1.晶面定向：使用 X 射線(xiàn)衍射法為晶錠定向，當(dāng)一束 X 射線(xiàn)入射到需要定向的晶面后，通過(guò)衍射光束的角度來(lái)確定晶面的晶向。2.外圓滾磨：在石墨坩堝中生長(zhǎng)的單晶的直徑大于標(biāo)準(zhǔn)尺寸，通過(guò)外圓滾磨將直徑減小到標(biāo)準(zhǔn)尺寸。3.端面磨：SiC 襯底一般有兩個(gè)定位邊，主定位邊與副定位邊，通過(guò)端面磨開(kāi)出定位邊。4.線(xiàn)切割：線(xiàn)切割是碳化硅SiC 襯底加工過(guò)程中一道較為重要的工序。線(xiàn)切過(guò)程中造成的裂紋損傷、殘留的亞表面

芯片制造為什么使用單晶硅做襯底[ 05-31 17:27 ]

芯片制造中為什么都喜歡用單晶硅作為襯底材料呢?那是因?yàn)閱尉Ч杵哂幸韵聝?yōu)點(diǎn)：?jiǎn)尉Ч杵前雽?dǎo)體器件制造的基礎(chǔ)材料，應(yīng)用廣泛。計(jì)算機(jī)芯片、智能手機(jī)中的處理器、存儲(chǔ)器.傳感器等都是使用單晶硅片制造的。單晶硅具有顯著的半導(dǎo)體性能：?jiǎn)尉Ч枋且环N半導(dǎo)體材料，具有較弱的導(dǎo)電性。該材料的電導(dǎo)率受光、電、磁、溫度等因素的影響，隨著溫度的升高而增加。超純的單晶硅屬于本征半導(dǎo)體，但在其中摻入亞A族元素，如硼，則可形成p型硅半導(dǎo)體，摻入微量的VA族元素，如磷或砷，則可形成n型硅半導(dǎo)體。通過(guò)擴(kuò)散作用，將p型半導(dǎo)體與n型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)

吉致電子--GaN氮化鎵CMP拋光的重要性[ 05-31 17:13 ]

  氮化鎵(GaN)是一種具有廣泛應(yīng)用前景的半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性和光學(xué)性能。在現(xiàn)代電子設(shè)備中，氮化鎵被廣泛應(yīng)用于 LED 顯示屏、激光器、功率放大器等領(lǐng)域，并且在未來(lái)的 5G 通訊、電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域也具有巨大的發(fā)展?jié)摿?。然而，氮化鎵在制備過(guò)程中容易受到表面缺陷的影響，影響其性能和穩(wěn)定性，所以氮化鎵拋光工藝顯得尤為重要，淺談一下氮化鎵CMP拋光的重要性。 氮化鎵CMP拋光的重要性主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：1，提高器件的光電性能：氮化鎵材料用于制作 LED和LD等光電器件其表面質(zhì)量影響著器件的

吉致電子--襯底與晶圓CMP磨拋工藝的區(qū)別[ 05-29 15:44 ]

  在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，襯底和晶圓是兩個(gè)常見(jiàn)的術(shù)語(yǔ)。它們扮演著重要的角色，但在定義、結(jié)構(gòu)和用途上存在一些差異和區(qū)別。  襯底---作為基礎(chǔ)層的材料，承載著芯片和器件。它通常是一個(gè)硅片或其他材料的薄片，作為承載芯片和電子器件的基礎(chǔ)。襯底可以看作是半導(dǎo)體器件的“地基”。襯底的CMP磨拋工藝主要關(guān)注其表面的平整度、清潔度和粗糙度，確保后續(xù)工藝如外延生長(zhǎng)、薄膜沉積等能夠順利進(jìn)行。  晶圓---則是從襯底中切割出來(lái)的圓形硅片，作為半導(dǎo)體芯片的主要基板。晶圓的CMP磨拋工藝

吉致電子--單晶硅與多晶硅的區(qū)別[ 05-23 18:01 ]

吉致電子粒徑小于100nm的球形氧化鈰拋光液可用于單晶硅片表面CMP及多晶硅CMP。下面簡(jiǎn)單談?wù)剢尉Ч韬投嗑Ч璧膮^(qū)別： 單晶硅和多晶硅是兩種不同的硅材料，它們的主要區(qū)別在于晶體結(jié)構(gòu)、物理性質(zhì)和用途等方面。  ①晶體排列組成不一樣：  單晶硅是由許多晶體周期性排列而成的，其晶體結(jié)構(gòu)具有高度的有序性和一致性，因此其晶體內(nèi)部的原子排列和晶體缺陷都比較少。  多晶硅是由許多小的晶體組成的，每個(gè)小晶體的晶體結(jié)構(gòu)都有一定的差異，因此其晶體內(nèi)部的原子排列和晶體缺陷都比較復(fù)雜。 ②

SiC碳化硅應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？[ 04-30 18:03 ]

碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷兩大類(lèi)，無(wú)論是作為單晶還是陶瓷，碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車(chē)、光伏等三大干億賽道的關(guān)鍵材料之一。例如:單晶方面：碳化硅作為目前發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，可謂是近年來(lái)最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下，碳化硅被深度綁定新能源汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能等節(jié)能減碳行業(yè),萬(wàn)眾矚目。陶瓷方面：碳化硅憑借其優(yōu)異的高溫強(qiáng)度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導(dǎo)熱性、耐腐蝕性等性能，近年來(lái)隨著新能源汽車(chē)、半導(dǎo)體、光伏等行業(yè)的起飛而需求爆發(fā)，深深地滲入到這些新興領(lǐng)域的

半導(dǎo)體襯底和外延的區(qū)別是什么？[ 04-30 16:39 ]

  在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，特別是第三代半導(dǎo)體（寬禁帶半導(dǎo)體）產(chǎn)業(yè)鏈中，會(huì)有襯底及外延層之分，那外延層的存在有何意義？和襯底的區(qū)別是什么呢？  在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，晶圓制備過(guò)程中存在兩個(gè)重要環(huán)節(jié)：①是襯底的制備，②是外延工藝的實(shí)施。這兩個(gè)環(huán)節(jié)的區(qū)別是怎樣的，存在的意義又有何不同？  襯底由半導(dǎo)體單晶材料精心打造的晶圓片，可以作為基礎(chǔ)直接投入晶圓制造的流程來(lái)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，或者進(jìn)一步通過(guò)外延工藝來(lái)增強(qiáng)性能

CMP設(shè)備及耗材對(duì)半導(dǎo)體硅片拋磨有影響嗎？[ 03-20 17:22 ]

CMP設(shè)備及耗材對(duì)工藝效果影響嗎？答案是：有關(guān)鍵影響。CMP工藝離不開(kāi)設(shè)備機(jī)臺(tái)及耗材，其中耗材包括拋光墊和拋光液。影響CMP效果主要因素如下：①設(shè)備參數(shù)：拋光時(shí)間、研磨盤(pán)轉(zhuǎn)速、拋光頭轉(zhuǎn)速、拋光頭搖擺度、背壓、下壓力等；②研磨液參數(shù)：磨粒大小、磨粒含量、磨粒凝聚度、酸堿度、氧化劑含量、流量、粘滯 系數(shù)等 ；③拋光墊參數(shù)：硬度、密度、空隙大小、彈性等；④CMP對(duì)象薄膜參數(shù)：種類(lèi)、厚度、硬度、化學(xué)性質(zhì)、圖案密度等。CMP耗材包括拋光液、拋光墊、鉆石碟、清洗液等，對(duì) CMP 工藝效應(yīng)均有關(guān)鍵影響。1. CMP 拋

什么是SIC碳化硅襯底的常規(guī)雙面磨工藝[ 03-07 17:22 ]

碳化硅SIC研磨工藝是去除切割過(guò)程中造成碳化硅晶片的表面刀紋以及表面損傷層，修復(fù)切割產(chǎn)生的變形。由于SiC的高硬度的特性，CM{研磨過(guò)程中必須使用高硬度的磨料（如碳化硼或金剛石粉）研磨SiC切片的晶體表面。碳化硅襯底常規(guī)的CMP研磨工藝一般分為粗磨和精磨。SiC襯底常規(guī)雙面磨工藝雙面磨工藝又稱(chēng)DMP工藝，是目前大部分國(guó)內(nèi)碳化硅襯底廠(chǎng)商規(guī)?；a(chǎn)的工藝方案，對(duì)碳化硅進(jìn)行雙面研磨(粗磨/精磨)達(dá)到一定的表面平整度和光潔度。①粗磨：采用鑄鐵盤(pán)+單晶金剛石研磨液雙面研磨的方式該工藝可以有效的去除線(xiàn)割產(chǎn)生的損傷層，修復(fù)面型，

CMP制程中拋光墊的作用有哪些？[ 02-21 16:15 ]

  CMP技術(shù)是使被拋光材料在化學(xué)和機(jī)械的共同作用下，材料表面達(dá)到所要求的平整度的一個(gè)工藝過(guò)程。拋光液中的化學(xué)成分與材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，形成易拋光的軟化層，拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對(duì)材料表面進(jìn)行物理機(jī)械拋光將軟化層除去。  在CMP制程中，拋光墊的主要作用有：①傳遞材料去除所需的機(jī)械載荷；②從工件拋光表面除去拋光過(guò)程產(chǎn)生的殘留物（如工件碎屑、拋光碎片等）；③使拋光液有效均勻分布至整個(gè)加工區(qū)域，且可提供新補(bǔ)充的拋光液進(jìn)行一個(gè)拋光液循環(huán)；④維持拋光過(guò)程所需的機(jī)械和化學(xué)環(huán)境。除拋光墊的力

CMP化學(xué)機(jī)械拋光在半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要作用[ 12-21 11:53 ]

  化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是半導(dǎo)體晶圓制造的關(guān)鍵步驟，這項(xiàng)工藝能有效減少和降低晶圓表面的不平整，達(dá)到半導(dǎo)體加工所需的高精度平面要求。拋光液(slurry)、拋光墊(pad)是CMP技術(shù)的關(guān)鍵耗材，分別占CMP耗材49%和33%的價(jià)值量，CMP耗材品質(zhì)直接影響拋光效果，對(duì)提高晶圓制造質(zhì)量至關(guān)重要。  CMP拋光液/墊技術(shù)壁壘較高，高品質(zhì)的拋光液需要綜合控制磨料硬度、粒徑、形狀、各成分質(zhì)量濃度等要素。拋光墊則更加看重低缺陷率和長(zhǎng)使用壽命。配置多功能,高效率的拋光液是提升CMP效果的重要環(huán)節(jié)。&nbs

第三代半導(dǎo)體--碳化硅和氮化鎵的區(qū)別[ 11-03 17:35 ]

  隨著國(guó)家對(duì)第三代半導(dǎo)體材料的重視，近年來(lái)我國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)發(fā)展迅猛，其中以碳化硅SiC與氮化鎵NaG為主的材料備受關(guān)注，兩者經(jīng)常被拿來(lái)比較。  同為寬近帶半導(dǎo)體的成員，碳化硅SiC與氮化鎵NaG有何相同、有何不同呢？碳化硅與氮化家均屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料，它們具有禁代寬度大、電子漂移飽和速度高、介電常數(shù)小、導(dǎo)電性能好的特點(diǎn)。  隨著市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體器件微型化、導(dǎo)熱性的高要求，這類(lèi)材料的市場(chǎng)需求暴漲，適用于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。  ①性能不同：高電子遷移

藍(lán)寶石襯底拋光液--納米氧化鋁拋光液/研磨液[ 10-31 16:46 ]

  氧化鋁拋光液在LED行業(yè)的應(yīng)用廣泛，如藍(lán)寶石襯底的CMP拋光，為避免大粒徑磨料對(duì)工件造成劃傷，通常選用粒徑為50∼200nm，且粒徑分布均勻的納米α-Al2O3磨料。為了確保藍(lán)寶石襯底能拋出均勻的鏡面光澤，需要提升CMP拋光液的切削速率及平坦化效果，吉致電子科技生產(chǎn)的氧化鋁拋光液/研磨液可專(zhuān)業(yè)用于藍(lán)寶石拋光，氧化鋁磨料具有分布窄，粒徑小，硬度高、尺寸穩(wěn)定性好，α相轉(zhuǎn)晶完全，團(tuán)聚小易分散等特點(diǎn)。  吉致電子對(duì)α-Al2O3顆粒的Zeta電位，以及拋光液添加穩(wěn)定劑、分散劑的種類(lèi)和質(zhì)量都有