吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

不銹鋼平面件CMP拋光液拋光墊選型指南[ 01-14 15:11 ]

化學機械拋光（CMP）技術憑借化學作用+機械研磨的協(xié)同優(yōu)勢，成為實現(xiàn)不銹鋼表面納米級平坦化、鏡面化的優(yōu)選工藝。不銹鋼平面件CMP拋光需遵循;粗拋去余量中拋修平整;精拋提鏡面;的梯度原則，不同工序的核心目標不同，對應的磨料與拋光墊特性也需精準匹配。吉致電子基于不銹鋼材質特性（如304、316、430等）與不同場景的表面要求（Ra值、平整度、潔凈度），確保每一道工序都能高效銜接，最終實現(xiàn)理想的表面效果。不銹鋼CMP粗拋工藝：高效去除，奠定平整基礎

從硅基到第三代半導體：吉致電子CMP拋光液技術演進與全材料覆蓋解決方案[ 01-09 15:59 ]

隨著半導體技術節(jié)點的不斷演進，化學機械拋光（CMP）工藝已成為集成電路制造中不可或缺的關鍵制程環(huán)節(jié)，其精度與穩(wěn)定性直接影響芯片的集成度、性能表現(xiàn)與整體良率。作為CMP工藝的核心耗材，CMP拋光液不僅需要滿足硅（Si）、砷化鎵（GaAs）等傳統(tǒng)半導體材料的加工要求，更要在第三代寬禁帶半導體材料的高精度拋光中展現(xiàn)出關鍵作用與持續(xù)增長的應用潛力。聚焦關鍵應用：CMP拋光液突破第三代半導體平坦化技術瓶頸以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石及氮化鋁（AlN）等為代表的第三代半導體材料，具備寬禁帶、高

藍寶石襯底研磨拋光工藝與耗材方案|吉致電子CMP廠家[ 12-25 16:47 ]

在LED芯片制備流程中，藍寶石襯底的表面質量直接決定后續(xù)芯片性能與成品良率，而表面平坦加工的核心目標，便是精準去除線切割工藝遺留的線痕、裂紋及殘余應力等表面與亞表面損傷層，為LED芯片制備提供符合嚴苛要求的襯底表面。其中，化學機械研磨（CMP）工藝是實現(xiàn)藍寶石襯底超精密平坦化的關鍵技術路徑，而雙面研磨、單面精磨與CMP工藝的合理搭配，以及適配的研磨拋光耗材選擇，更是保障加工質量的核心環(huán)節(jié)。本文將深入解析相關工藝特性，并分享耗材選擇的關鍵要點。一、核心加工工藝：雙面研磨與單面精磨的技術特性藍寶石襯底的平坦化加工是一套

阻尼布拋光墊和聚氨酯拋光墊哪個好？[ 12-17 16:42 ]

化學機械拋光（CMP）作為精密制造領域的關鍵工序，其拋光效果與耗材選型直接相關，其中拋光墊CMP Pad的選擇更是決定工藝效率與工件精度的核心環(huán)節(jié)。阻尼布拋光墊與聚氨酯拋光墊作為CMP工藝中的常用耗材，因材質特性與性能優(yōu)勢的差異，形成了明確的適用場景劃分。本文將結合二者核心性能，詳細解析其適配的工藝需求與應用領域，為精密電子、光學制造等行業(yè)的耗材選型提供專業(yè)參考。一、阻尼布拋光墊：聚焦高精密精拋，適配鏡面級加工需求阻尼布拋光墊以其細膩柔軟的質地、優(yōu)異的彈性及三維網(wǎng)絡孔隙結構為核心優(yōu)勢，在拋光過程中既能均勻輸送拋光液

半導體CMP耗材G804W拋光墊國產(chǎn)替代認準吉致電子[ 12-11 16:42 ]

全球局勢風云多變，半導體供應鏈安全面臨“卡脖子”風險全球CMP拋光墊市場呈現(xiàn)高度壟斷格局，美國杜邦一家企業(yè)便占據(jù)全球79% 的市場份額，日本Fujibo富士紡旗下的G804W等高端型號拋光墊的供應更是被少數(shù)海外廠商牢牢把控。近年來，隨著半導體領域國際貿(mào)易摩擦加劇，海外供應商的出口管制政策頻發(fā)，直接沖擊國內晶圓廠的生產(chǎn)穩(wěn)定性。2025年某國際拋光液大廠突發(fā)斷供事件，已為國內半導體產(chǎn)業(yè)鏈敲響警鐘 —— 核心耗材的進口依賴，將使整個芯片制造環(huán)節(jié)陷入“牽一發(fā)而動全

氮化鎵晶片CMP無蠟吸附墊--解鎖半導體高精度制程的關鍵[ 12-05 17:55 ]

氮化鎵CMP拋光工藝中無蠟吸附墊的核心必要性：解鎖高精度制程的關鍵在氮化鎵（GaN）作為第三代半導體核心材料的產(chǎn)業(yè)化進程中，化學機械拋光（CMP）是決定器件表面質量、電性能及可靠性的核心制程環(huán)節(jié)。氮化鎵材料具有高硬度、高脆性、晶格結構致密等特性，傳統(tǒng)CMP工藝中常用的有蠟吸附墊（如石蠟、樹脂蠟基吸附材料）已難以滿足其高精度加工需求。無蠟吸附墊憑借其獨特的材料設計與工藝適配性，成為氮化鎵CMP拋光中不可替代的關鍵組件，其必要性主要體現(xiàn)在以下五大核心維度：一、規(guī)避材料損傷，保障氮化鎵晶圓完整性氮化鎵的斷裂韌性僅為硅的1

吉致電子CMP精拋墊：半導體高精度拋光的核心關鍵[ 11-27 16:37 ]

化學機械拋光（CMP）技術作為半導體制造領域唯一能實現(xiàn)全局平坦化的核心工藝，直接決定了芯片的圖形精度、電性能穩(wěn)定性及最終良率，在7nm及以下先進制程中更是不可或缺的關鍵環(huán)節(jié)。而CMP精拋墊（final polishing pad）作為該工藝精拋階段的核心耗材，承擔著“精細修整”晶圓表面的重要使命，是實現(xiàn)超精密平坦化目標的核心支撐。吉致電子深耕半導體耗材領域，其研發(fā)生產(chǎn)的CMP精拋墊憑借精準的設計、卓越的性能和穩(wěn)定的品質，成為半導體制造企業(yè)的優(yōu)選合作伙伴，其核心作用可從以下四大維度深度解析：1

吉致電子納米氧化鈰拋光液：給半導體CMP工藝加足馬力！[ 11-13 11:41 ]

在半導體芯片微型化、光學器件高精度化的發(fā)展浪潮中，化學機械拋光（CMP）作為實現(xiàn)材料表面全局平面化的關鍵工藝，其技術水平直接決定了終端產(chǎn)品的性能與品質。氧化鈰拋光液憑借其獨特的化學機械協(xié)同作用優(yōu)勢，成為CMP工藝中的核心耗材之一。吉致電子深耕拋光材料領域多年，憑借自主研發(fā)的氧化鈰拋光液系列產(chǎn)品，為半導體、光學等多個行業(yè)提供高效、精準的拋光解決方案，助力產(chǎn)業(yè)高質量發(fā)展。聚焦核心場景解鎖全行業(yè)拋光價值吉致電子氧化鈰拋光液基于不同行業(yè)的拋光需求，進行精準配方設計，在關鍵領域實現(xiàn)穩(wěn)定應用，展現(xiàn)出強大的場景適配能力。①半導體

鍺片的核心應用與CMP精密拋光技術[ 11-07 09:18 ]

吉致電子鍺片拋光解決方案——鍺片的應用與CMP拋光工藝詳解一、鍺片的應用領域 鍺片憑借高電子遷移率、高折射率、紅外透光性好等優(yōu)異特性，在多個高科技領域發(fā)揮著重要作用：①半導體器件領域作為高速半導體器件的襯底材料，鍺片可用于制作鍺硅（SiGe）異質結晶體管（HBT）、應變鍺金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）等核心器件。這些器件主要應用于5G通信、高頻雷達、衛(wèi)星通信等對器件運行速度和頻率要求極高的前沿場景。②紅外光學領域鍺材料對2-15μm波段的紅外光具有高透過率，同時具

磷化銦拋光液：高精度低缺陷晶圓平坦化首選[ 11-04 10:22 ]

在半導體制造領域，磷化銦（InP）襯底因其優(yōu)異的電子和光學特性，成為光通信、毫米波雷達、量子通信等高端應用的核心材料。然而，InP襯底的化學機械拋光（CMP）工藝對拋光液的要求極為嚴苛，需要兼顧高效拋光速率、表面質量、工藝穩(wěn)定性等多重因素。吉致電子針對這一需求，推出了專為磷化銦襯底設計的CMP拋光液，其核心優(yōu)勢體現(xiàn)在以下幾個方面：1.高效拋光速率與表面質量的完美平衡粗拋階段：采用較大粒徑（如5-10μm）的氧化鋁磨料，可快速去除表面余量，拋光速率可達數(shù)μm/h，顯著提升生產(chǎn)效率。精拋階段：切換至小粒徑（如50-10

吉致電子：什么樣的外延工藝需要CMP？[ 10-28 16:12 ]

外延工藝中CMP的應用邏輯及吉致電子技術實踐——什么樣的外延工藝需要CMP？外延工藝中是否需要CMP（化學機械拋光），取決于外延層的表面平整度要求和后續(xù)工藝兼容性，而非外延工藝本身。簡單來說，當外延生長后，晶圓表面的平整度、缺陷密度或薄膜厚度均勻性無法滿足下一步制造需求時，就需要引入CMP進行處理，而吉致電子在高精度CMP工藝及配套材料領域的技術積累，正為這類需求提供高效解決方案。一、關鍵應用場景：需要CMP的外延工藝以下三類外延工藝對表面質量要求極高，通常需要搭配CMP，而吉致電子的專業(yè)化

碳化硅SiC襯底CMP拋光液拋光墊[ 10-15 14:55 ]

一、碳化硅CMP工藝：精密制造的“表面革命”碳化硅（SiC）以其優(yōu)異的耐高溫、高擊穿場強特性，成為半導體功率器件、新能源汽車電子等高端領域的核心材料。而化學機械拋光（CMP）作為實現(xiàn)碳化硅襯底原子級光滑表面的關鍵工藝，其核心效能直接由拋光液與拋光墊兩大耗材決定。吉致電子深耕CMP材料領域多年，針對碳化硅襯底拋光的4道核心制程，打造了全系列適配的拋光液Slurry與拋光墊Pad產(chǎn)品，實現(xiàn)“高效去除”與“超精表面”的完美平衡。二、碳化硅拋光液：化學

吉致電子非晶鋯拋光液有哪些（鋯基非晶合金CMP工藝）[ 10-13 14:29 ]

非晶鋯（Amorphous Zirconium），也常被稱為鋯基非晶合金或鋯基大塊金屬玻璃（Zr-based Bulk Metallic Glass, Zr-BMG），是一種通過特殊工藝使鋯（Zr）與其他金屬元素（如銅、鎳、鋁、鈦等）形成的無定形晶體結構的金屬材料，核心特征是原子排列不具備傳統(tǒng)晶體材料的長程有序性，呈現(xiàn)“玻璃態(tài)”的微觀結構。由于其“高強度、高耐磨、高耐蝕”的綜合性能，非晶鋯已在多個高要求領域落地應用：醫(yī)療領域口腔修復：非晶鋯的硬度與牙釉質接近，耐口腔酸

覆銅陶瓷基板為什么選擇CMP拋光工藝（AMB/DPC/DBC陶瓷板）[ 09-25 16:58 ]

陶瓷覆銅板（如Al2O3、AlN陶瓷基覆銅板）作為高功率電子器件（如IGBT、LED芯片）的關鍵載體，對表面質量和性能有嚴苛要求：極低表面粗糙度：陶瓷基板與金屬銅層的結合面需平整光滑，否則會導致覆銅時出現(xiàn)氣泡、分層，影響導熱性和電氣可靠性；無損傷表面：陶瓷材料脆性高，傳統(tǒng)機械拋光易產(chǎn)生劃痕、微裂紋，破壞絕緣性能和結構強度；高精度厚度控制：部分高頻、高功率場景下，陶瓷基板厚度公差需控制在±5μm內，直接影響器件封裝密度和散熱效率。這些需求恰好與化學機械拋光（CMP）“化學腐蝕+機械研磨&rd

告別傳統(tǒng)蠟粘，藍寶石襯底CMP吸附墊真香！[ 09-19 13:39 ]

在藍寶石襯底化學機械拋光CMP工藝中，無蠟吸附墊Template是實現(xiàn)襯底穩(wěn)定固定、保障拋光精度與良率的核心輔助部件，TP墊的作用是圍繞“無損傷固定”“精準工藝控制”“高效生產(chǎn)”三大核心目標展開，具體可拆解為以5個關鍵維度：1.藍寶石襯底吸附墊的功能：替代傳統(tǒng)蠟粘，實現(xiàn)“無損傷固定”傳統(tǒng)藍寶石襯底CMP中，常采用熱蠟粘貼方式將襯底固定在陶瓷吸盤上（通過加熱蠟層融化后貼合、冷卻后固化），但存在明顯缺陷：蠟層殘留需額外清洗（

從性能到場景：吉致電子CMP Pad軟質拋光墊與硬質墊的區(qū)別[ 09-17 15:24 ]

在精密拋光領域（如半導體晶圓、光學玻璃、藍寶石襯底等加工），拋光墊CMP PAD的硬度是影響拋光效果的核心參數(shù)之一。CMP化學機械拋光工藝中軟質拋光墊與硬質拋光墊的差異，本質上是“材料形變能力”與“機械作用強度”的對立與適配，其優(yōu)點和差別主要體現(xiàn)在拋光效率、表面質量、適用場景等多個維度，具體可通過以下對比清晰呈現(xiàn)：一、核心定義與材質差異首先需明確二者的本質區(qū)別：硬質拋光墊：通常以高分子聚合物（如聚氨酯、聚酰亞胺）為基材，添加剛性填料（如氧化鈰、氧化鋁、碳化硅微粉），整

無蠟吸附墊成精密拋光新核心？吉致電子賦能蘋果Logo品質突破[ 09-11 14:18 ]

從iPhone、MacBook的不銹鋼Logo，到iWatch的鈦合金部件，再到iPad的鋁合金標識，其鏡面級的視覺與觸感體驗，已成為全球消費者對高端品質的直觀認知。而這一驚艷效果的實現(xiàn)，背后離不開化學機械拋光CMP工藝的核心突破，其中無蠟吸附墊（Template） 更是決定蘋果Logo拋光精度與品質的關鍵技術支撐。一、蘋果Logo的CMP拋光為何必須“去蠟”？傳統(tǒng)工藝的三大致命局限長期以來，消費電子精密部件拋光多依賴蠟粘固定工藝，即將

CMP工藝中油性金剛石與水性金剛石研磨液的差異及應用解析[ 09-10 09:03 ]

CMP工藝中油性與水性金剛石研磨液的差異及應用解析在CMP化學機械工藝中研磨液作為核心耗材，直接影響工件的拋光效率、表面質量及生產(chǎn)成本。其中，油性金剛拋光液與水性金剛石研磨液憑借各自獨特的性能特點，在不同加工場景中發(fā)揮著重要作用。吉致電子小編將從成分、性能及應用場景三方面，深入解析兩者的差異，為行業(yè)應用提供參考。一、核心成分差異研磨液的基礎成分決定了其基本特性，油性與水性金剛石研磨液在分散介質及輔助添加劑上存在顯著區(qū)別：油性金剛拋光液：以油類（如酒精基、礦物油基等）為主要分散介質，配合潤滑劑、防銹劑及金剛石磨粒組成

吉致電子CMP放射狀同心圓開槽紋理拋光墊，賦能精密拋光[ 09-05 16:56 ]

在化學機械拋光（CMP）工藝中，拋光墊作為核心耗材，其紋理設計直接影響拋光效率、表面質量與材料適配性。其中，放射狀同心圓開槽紋理拋光墊憑借獨特的結構優(yōu)勢，成為半導體、光學、金屬及陶瓷等領域精密加工的關鍵支撐，為電子材料制造注入高效、穩(wěn)定的技術動力。一、核心特性：精準破解拋光工藝痛點放射狀同心圓開槽紋理融合了兩種溝槽設計的優(yōu)勢，從拋光液管理、材料去除、碎屑處理到表面均一性控制，全方位優(yōu)化拋光過程，解決傳統(tǒng)拋光墊易出現(xiàn)的局部干涸、排屑不暢、邊緣過度磨損等問題。1. 拋光液均勻分布，保障反應連續(xù)性放射狀溝槽可引導拋光液從

半導體CMP工藝核心：金屬互聯(lián)層與介質層Slurry拋光液的類型劃分[ 08-28 16:59 ]

在半導體芯片制造中，化學機械拋光CMP是關鍵工藝，其中CMP Slurry拋光液就是核心耗材，直接決定芯片平整度、電路可靠性與性能。無論是 導線;（互連層）還是絕緣骨架（介質層），都需靠它實現(xiàn)精準平整。下面吉致電子小編就來拆解下半導體CMP拋光液的中金屬互聯(lián)層及介質層CMP拋光液的類型和應用場景。一、金屬互連層CMP拋光液（后端 BEOL 核心）核心需求是選擇性除金屬、護絕緣 / 阻擋層，主流類型有：銅（Cu）CMP 拋光液14n