吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

探秘光學(xué)玻璃拋光液CMP工藝：吉致電子的技術(shù)革新

解鎖CMP工藝：原理與優(yōu)勢(shì)在光學(xué)元件加工領(lǐng)域，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是實(shí)現(xiàn)高精度表面平坦化的核心技術(shù)，通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同作用，完成光學(xué)玻璃的精密加工。CMP工藝的核心是化學(xué)與機(jī)械作用的協(xié)同。拋光液中的化學(xué)試劑先與玻璃表面反應(yīng)，形成一層易去除的軟化層；這一化學(xué)預(yù)處理為后續(xù)機(jī)械研磨奠定基礎(chǔ)，通過(guò)精準(zhǔn)控制反應(yīng)強(qiáng)度，確保軟化層既易去除又不損傷玻璃本體。隨后機(jī)械研磨啟動(dòng)，拋光墊上的磨料顆粒在特定壓力和轉(zhuǎn)速下，摩擦去除軟化層。通過(guò)精確控制拋光壓力、轉(zhuǎn)速及磨料特性等參數(shù)，可實(shí)現(xiàn)材料去除量的精準(zhǔn)把控，達(dá)到所需平坦化精度。

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吉致電子CMP精拋墊：半導(dǎo)體高精度拋光的核心關(guān)鍵

化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域唯一能實(shí)現(xiàn)全局平坦化的核心工藝，直接決定了芯片的圖形精度、電性能穩(wěn)定性及最終良率，在7nm及以下先進(jìn)制程中更是不可或缺的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。而CMP精拋墊（final polishing pad）作為該工藝精拋階段的核心耗材，承擔(dān)著“精細(xì)修整”晶圓表面的重要使命，是實(shí)現(xiàn)超精密平坦化目標(biāo)的核心支撐。吉致電子深耕半導(dǎo)體耗材領(lǐng)域，其研發(fā)生產(chǎn)的CMP精拋墊憑借精準(zhǔn)的設(shè)計(jì)、卓越的性能和穩(wěn)定的品質(zhì)，成為半導(dǎo)體制造企業(yè)的優(yōu)選合作伙伴，其核心作用可從以下四大維度深度解析：1

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破解G804W高成本與慢響應(yīng)：國(guó)產(chǎn)CMP拋光墊的替代邏輯

在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速迭代的今天，碳化硅（SiC）作為核心材料，正以其優(yōu)異的耐高溫、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)特性，重塑新能源汽車功率器件、高頻通信器件等高端制造領(lǐng)域的技術(shù)格局。而化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）作為碳化硅加工的關(guān)鍵工序，其核心耗材——拋光墊的性能直接決定了器件的成品精度與可靠性。長(zhǎng)期以來(lái)，日本Fujibo的G804W拋光墊憑借穩(wěn)定的性能，成為全球碳化硅CMP領(lǐng)域的主流選擇之一。如今，隨著國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的崛起，吉致電子依托自主研發(fā)實(shí)力，在G804W國(guó)產(chǎn)替代賽道上實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵突破，為產(chǎn)業(yè)鏈自主可控注入強(qiáng)

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半導(dǎo)體制造的 “表面革命”：硅片拋光的技術(shù)本質(zhì)與基石價(jià)值

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的精密制造鏈條中，每一顆高性能芯片的誕生，都離不開(kāi)從硅料提純到芯片封裝的數(shù)百道工藝環(huán)節(jié)。其中，硅片拋光作為銜接硅片切割研磨與后續(xù)光刻、薄膜沉積的關(guān)鍵工序，堪稱半導(dǎo)體制造的“表面精整藝術(shù)”——它以納米級(jí)的精度塑造硅片表面形態(tài)，直接決定芯片的性能、可靠性與良率。作為深耕電子領(lǐng)域的企業(yè)，吉致電子深知這一工藝的核心價(jià)值，本文將帶您深入解析硅片拋光的技術(shù)精髓。為何硅片拋光是半導(dǎo)體制造的“必答題”？硅片經(jīng)過(guò)切割、研磨等前道工序后，表面會(huì)殘留微米

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吉致電子納米氧化鈰拋光液：給半導(dǎo)體CMP工藝加足馬力！

在半導(dǎo)體芯片微型化、光學(xué)器件高精度化的發(fā)展浪潮中，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）作為實(shí)現(xiàn)材料表面全局平面化的關(guān)鍵工藝，其技術(shù)水平直接決定了終端產(chǎn)品的性能與品質(zhì)。氧化鈰拋光液憑借其獨(dú)特的化學(xué)機(jī)械協(xié)同作用優(yōu)勢(shì)，成為CMP工藝中的核心耗材之一。吉致電子深耕拋光材料領(lǐng)域多年，憑借自主研發(fā)的氧化鈰拋光液系列產(chǎn)品，為半導(dǎo)體、光學(xué)等多個(gè)行業(yè)提供高效、精準(zhǔn)的拋光解決方案，助力產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。聚焦核心場(chǎng)景解鎖全行業(yè)拋光價(jià)值吉致電子氧化鈰拋光液基于不同行業(yè)的拋光需求，進(jìn)行精準(zhǔn)配方設(shè)計(jì)，在關(guān)鍵領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定應(yīng)用，展現(xiàn)出強(qiáng)大的場(chǎng)景適配能力。①半導(dǎo)體

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鍺片的核心應(yīng)用與CMP精密拋光技術(shù)

吉致電子鍺片拋光解決方案——鍺片的應(yīng)用與CMP拋光工藝詳解一、鍺片的應(yīng)用領(lǐng)域 鍺片憑借高電子遷移率、高折射率、紅外透光性好等優(yōu)異特性，在多個(gè)高科技領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用：①半導(dǎo)體器件領(lǐng)域作為高速半導(dǎo)體器件的襯底材料，鍺片可用于制作鍺硅（SiGe）異質(zhì)結(jié)晶體管（HBT）、應(yīng)變鍺金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）等核心器件。這些器件主要應(yīng)用于5G通信、高頻雷達(dá)、衛(wèi)星通信等對(duì)器件運(yùn)行速度和頻率要求極高的前沿場(chǎng)景。②紅外光學(xué)領(lǐng)域鍺材料對(duì)2-15μm波段的紅外光具有高透過(guò)率，同時(shí)具

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磷化銦拋光液：高精度低缺陷晶圓平坦化首選

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，磷化銦（InP）襯底因其優(yōu)異的電子和光學(xué)特性，成為光通信、毫米波雷達(dá)、量子通信等高端應(yīng)用的核心材料。然而，InP襯底的化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝對(duì)拋光液的要求極為嚴(yán)苛，需要兼顧高效拋光速率、表面質(zhì)量、工藝穩(wěn)定性等多重因素。吉致電子針對(duì)這一需求，推出了專為磷化銦襯底設(shè)計(jì)的CMP拋光液，其核心優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：1.高效拋光速率與表面質(zhì)量的完美平衡粗拋階段：采用較大粒徑（如5-10μm）的氧化鋁磨料，可快速去除表面余量，拋光速率可達(dá)數(shù)μm/h，顯著提升生產(chǎn)效率。精拋階段：切換至小粒徑（如50-10

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吉致電子InP磷化銦襯底拋光研磨關(guān)鍵工藝解析

磷化銦（InP）作為第三代半導(dǎo)體核心材料，憑借其優(yōu)異的電子遷移率、寬禁帶寬度及良好的光電特性，在光通信、毫米波雷達(dá)、量子通信等高端領(lǐng)域占據(jù)不可替代的地位。磷化銦襯底的表面質(zhì)量直接決定后續(xù)外延生長(zhǎng)、器件制備的精度與可靠性，而拋光研磨工藝正是把控這一核心指標(biāo)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。吉致電子深耕半導(dǎo)體材料加工領(lǐng)域，結(jié)合多年實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，對(duì)磷化銦襯底拋光研磨的關(guān)鍵工藝進(jìn)行系統(tǒng)解析。一、研磨工藝：奠定高精度基礎(chǔ)研磨工藝的核心目標(biāo)是快速去除襯底表面的切割損傷層，修正幾何形狀偏差，為后續(xù)拋光工序提供平整、均勻的表面基底。其工藝參數(shù)的精準(zhǔn)控制直接

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吉致電子：什么樣的外延工藝需要CMP？

外延工藝中CMP的應(yīng)用邏輯及吉致電子技術(shù)實(shí)踐——什么樣的外延工藝需要CMP？外延工藝中是否需要CMP（化學(xué)機(jī)械拋光），取決于外延層的表面平整度要求和后續(xù)工藝兼容性，而非外延工藝本身。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，當(dāng)外延生長(zhǎng)后，晶圓表面的平整度、缺陷密度或薄膜厚度均勻性無(wú)法滿足下一步制造需求時(shí)，就需要引入CMP進(jìn)行處理，而吉致電子在高精度CMP工藝及配套材料領(lǐng)域的技術(shù)積累，正為這類需求提供高效解決方案。一、關(guān)鍵應(yīng)用場(chǎng)景：需要CMP的外延工藝以下三類外延工藝對(duì)表面質(zhì)量要求極高，通常需要搭配CMP，而吉致電子的專業(yè)化

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吉致電子砷化鎵襯底CMP拋光液 | 高平坦度低缺陷半導(dǎo)體slurry

吉致電子CMP拋光耗材廠家——精準(zhǔn)匹配半導(dǎo)體高端材料拋光需求在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的今天，砷化鎵GaAs作為第二代半導(dǎo)體材料的代表，因其優(yōu)異的電子遷移率和直接帶隙特性，在射頻前端、光電器件和高速集成電路中扮演著不可替代的角色。然而，砷化鎵襯底的高效精密拋光一直是行業(yè)面臨的重大挑戰(zhàn)。砷化鎵CMP拋光的核心挑戰(zhàn)砷化鎵材料由兩種硬度和化學(xué)性質(zhì)差異顯著的原子構(gòu)成，在拋光過(guò)程中容易產(chǎn)生晶格損傷、表面粗糙和化學(xué)計(jì)量比失衡等問(wèn)題。傳統(tǒng)的拋光工藝難以同時(shí)實(shí)現(xiàn)全局平坦化、低表面損傷和高材料去除率，這直接影響著后

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碳化硅SiC襯底CMP拋光液拋光墊

一、碳化硅CMP工藝：精密制造的“表面革命”碳化硅（SiC）以其優(yōu)異的耐高溫、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)特性，成為半導(dǎo)體功率器件、新能源汽車電子等高端領(lǐng)域的核心材料。而化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）作為實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底原子級(jí)光滑表面的關(guān)鍵工藝，其核心效能直接由拋光液與拋光墊兩大耗材決定。吉致電子深耕CMP材料領(lǐng)域多年，針對(duì)碳化硅襯底拋光的4道核心制程，打造了全系列適配的拋光液Slurry與拋光墊Pad產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)“高效去除”與“超精表面”的完美平衡。二、碳化硅拋光液：化學(xué)

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吉致電子非晶鋯拋光液有哪些（鋯基非晶合金CMP工藝）

非晶鋯（Amorphous Zirconium），也常被稱為鋯基非晶合金或鋯基大塊金屬玻璃（Zr-based Bulk Metallic Glass, Zr-BMG），是一種通過(guò)特殊工藝使鋯（Zr）與其他金屬元素（如銅、鎳、鋁、鈦等）形成的無(wú)定形晶體結(jié)構(gòu)的金屬材料，核心特征是原子排列不具備傳統(tǒng)晶體材料的長(zhǎng)程有序性，呈現(xiàn)“玻璃態(tài)”的微觀結(jié)構(gòu)。由于其“高強(qiáng)度、高耐磨、高耐蝕”的綜合性能，非晶鋯已在多個(gè)高要求領(lǐng)域落地應(yīng)用：醫(yī)療領(lǐng)域口腔修復(fù)：非晶鋯的硬度與牙釉質(zhì)接近，耐口腔酸

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吉致電子CMP晶圓拋光液的特性與選型指南

在晶圓制造的全局平面化環(huán)節(jié)，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是關(guān)鍵工藝，而CMP拋光液作為核心耗材，直接決定晶圓表面平整度、缺陷率等關(guān)鍵指標(biāo)，影響芯片最終性能與良率。吉致電子小編根據(jù)CMP拋光液的核心優(yōu)勢(shì)與選型方向，為半導(dǎo)體制造企業(yè)提供實(shí)用參考。一、CMP拋光液的4大核心特性CMP拋光液由磨料、氧化劑、螯合劑等組分復(fù)配而成，需兼顧“化學(xué)腐蝕”與“機(jī)械研磨”協(xié)同作用，核心特性可概括為：1.化學(xué)-機(jī)械協(xié)同精準(zhǔn)可控拋光時(shí)，氧化劑先將晶圓表面材料氧化為易去除的氧化物，螯合劑與氧化物形成

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帶背膠的阻尼布拋光墊：CMP工藝的高效適配型輔助核心

在化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝中，帶背膠的阻尼布拋光墊是連接拋光盤與工件的關(guān)鍵部件，憑借精準(zhǔn)適配性與穩(wěn)定性能，為CMP相關(guān)設(shè)備及工藝提供可靠支撐，帶背膠的阻尼布拋光墊CMP PAD優(yōu)點(diǎn)有以下4點(diǎn)：一、精準(zhǔn)適配，安裝便捷背膠采用高粘接力特種膠（可選國(guó)產(chǎn)/3M），無(wú)需額外夾具就可直接緊密貼合拋光頭或載臺(tái)，避免高速旋轉(zhuǎn)（10-150rpm）時(shí)“跑位”，保障拋光軌跡一致；厚度公差≤±0.02mm，支持0.5～5mm多規(guī)格選擇，還能按4/8/12英寸硅片等工件尺寸靈活裁剪，適配不同CMP

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桂香迎佳節(jié)，紅旗映月圓--吉致電子祝您雙節(jié)快樂(lè)!

桂香迎佳節(jié)，紅旗映月圓致吉致電子的各位伙伴：丹桂浮香，皓月凌空；紅旗漫卷，九州同慶。當(dāng)中秋的清輝邂逅國(guó)慶的榮光，便暈染出最動(dòng)人的時(shí)代畫卷。承蒙諸君攜手同行，我們于歲月中沉淀初心，在征程上共筑華章。此刻，愿這輪明月承載團(tuán)圓的期盼，愿這方沃土延續(xù)盛世的安康。謹(jǐn)以中秋的皎潔、國(guó)慶的赤誠(chéng)，祝君闔家圓滿，事業(yè)昌隆，家國(guó)同輝，歲歲無(wú)憂。                            

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藍(lán)寶石襯底CMP拋光為什么要用吸附墊

在藍(lán)寶石襯底的化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）加工中，吸附墊（也常稱為 “真空吸附墊” 或 “承載吸附墊”）是連接拋光機(jī)工作臺(tái)與藍(lán)寶石襯底的核心輔助部件，其作用貫穿 “襯底固定 - 壓力傳遞 - 拋光穩(wěn)定性 - 表面質(zhì)量保障” 全流程，直接影響 CMP 加工的效率、精度與成品良率。以下從核心作用和技術(shù)意義兩方面展開(kāi)詳細(xì)解析：一、吸附墊的核心作用吸附墊的本質(zhì)是通過(guò) “物理吸附 + 柔性適配” 實(shí)現(xiàn)襯底與工作臺(tái)的可靠結(jié)合，具體功能可拆

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覆銅陶瓷基板為什么選擇CMP拋光工藝（AMB/DPC/DBC陶瓷板）

陶瓷覆銅板（如Al2O3、AlN陶瓷基覆銅板）作為高功率電子器件（如IGBT、LED芯片）的關(guān)鍵載體，對(duì)表面質(zhì)量和性能有嚴(yán)苛要求：極低表面粗糙度：陶瓷基板與金屬銅層的結(jié)合面需平整光滑，否則會(huì)導(dǎo)致覆銅時(shí)出現(xiàn)氣泡、分層，影響導(dǎo)熱性和電氣可靠性；無(wú)損傷表面：陶瓷材料脆性高，傳統(tǒng)機(jī)械拋光易產(chǎn)生劃痕、微裂紋，破壞絕緣性能和結(jié)構(gòu)強(qiáng)度；高精度厚度控制：部分高頻、高功率場(chǎng)景下，陶瓷基板厚度公差需控制在±5μm內(nèi)，直接影響器件封裝密度和散熱效率。這些需求恰好與化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）“化學(xué)腐蝕+機(jī)械研磨&rd

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吉致電子鉬片CMP拋光液—高效低損傷，適配高精度鉬加工

鉬片的CMP化學(xué)機(jī)械拋光工藝是實(shí)現(xiàn)其高精度表面制備的核心技術(shù)，尤其適用于半導(dǎo)體、航空航天等對(duì)鉬片/鉬圓/鉬襯底表面粗糙度、平坦度要求嚴(yán)苛的領(lǐng)域。鉬合金工件的CMP加工及拋光液推薦需結(jié)合工藝原理、應(yīng)用場(chǎng)景及實(shí)際生產(chǎn)需求綜合分析：一、鉬片CMP工藝的核心優(yōu)點(diǎn)CMP的本質(zhì)是“化學(xué)腐蝕 + 機(jī)械研磨”的協(xié)同作用，相比傳統(tǒng)機(jī)械拋光（如砂輪拋光、金剛石刀具拋光）或純化學(xué)拋光/電解拋光等，CMP工藝在鉬片加工中展現(xiàn)出不可替代的優(yōu)勢(shì)：1.表面質(zhì)量極高，滿足精密領(lǐng)域需求鉬作為高硬度金屬（莫氏硬度5.5，熔點(diǎn)2

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告別傳統(tǒng)蠟粘，藍(lán)寶石襯底CMP吸附墊真香！

在藍(lán)寶石襯底化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝中，無(wú)蠟吸附墊Template是實(shí)現(xiàn)襯底穩(wěn)定固定、保障拋光精度與良率的核心輔助部件，TP墊的作用是圍繞“無(wú)損傷固定”“精準(zhǔn)工藝控制”“高效生產(chǎn)”三大核心目標(biāo)展開(kāi)，具體可拆解為以5個(gè)關(guān)鍵維度：1.藍(lán)寶石襯底吸附墊的功能：替代傳統(tǒng)蠟粘，實(shí)現(xiàn)“無(wú)損傷固定”傳統(tǒng)藍(lán)寶石襯底CMP中，常采用熱蠟粘貼方式將襯底固定在陶瓷吸盤上（通過(guò)加熱蠟層融化后貼合、冷卻后固化），但存在明顯缺陷：蠟層殘留需額外清洗（

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從性能到場(chǎng)景：吉致電子CMP Pad軟質(zhì)拋光墊與硬質(zhì)墊的區(qū)別

在精密拋光領(lǐng)域（如半導(dǎo)體晶圓、光學(xué)玻璃、藍(lán)寶石襯底等加工），拋光墊CMP PAD的硬度是影響拋光效果的核心參數(shù)之一。CMP化學(xué)機(jī)械拋光工藝中軟質(zhì)拋光墊與硬質(zhì)拋光墊的差異，本質(zhì)上是“材料形變能力”與“機(jī)械作用強(qiáng)度”的對(duì)立與適配，其優(yōu)點(diǎn)和差別主要體現(xiàn)在拋光效率、表面質(zhì)量、適用場(chǎng)景等多個(gè)維度，具體可通過(guò)以下對(duì)比清晰呈現(xiàn)：一、核心定義與材質(zhì)差異首先需明確二者的本質(zhì)區(qū)別：硬質(zhì)拋光墊：通常以高分子聚合物（如聚氨酯、聚酰亞胺）為基材，添加剛性填料（如氧化鈰、氧化鋁、碳化硅微粉），整

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