吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

Suba800拋光墊國(guó)產(chǎn)替代一樣香

  Suba800是一款在半導(dǎo)體及集成電路相關(guān)領(lǐng)域被廣泛使用的cmp拋光墊。其作為化學(xué)機(jī)械平面研磨工藝的知名耗材，產(chǎn)品特性顯著且穩(wěn)定性高，適用于半導(dǎo)體硅片、晶圓、精密陶瓷、藍(lán)寶石襯底等工件的表面平坦化。  Suba800拋光墊還適用于光學(xué)和金屬材料的拋光。在光學(xué)材料的拋光中，Suba800能提供高透明度、低粗糙度的表面，提高光學(xué)性能。在金屬工件拋光中，Suba800能夠有效去除金屬表面的氧化膜和劃痕，使其表面更加光滑、亮麗。  無(wú)錫吉致電子科技有限公司生產(chǎn)的 Suba800國(guó)產(chǎn)替代產(chǎn)品

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DNA基因芯片cmp工藝

  基因芯片又稱DNA芯或DNA微陣列。它是一種同時(shí)將大量的探針分子固定到固相支持物上，借助核酸分子雜交配對(duì)的特性對(duì)DNA樣品的序列信息進(jìn)行高效解讀和分析的技術(shù)，主要應(yīng)用在醫(yī)學(xué)領(lǐng)域、生物學(xué)研究領(lǐng)域和農(nóng)業(yè)領(lǐng)域。DNA芯片生產(chǎn)過(guò)程需要經(jīng)過(guò)CMP研磨拋光去除基板水凝膜，達(dá)到理想表面效果。 吉致電子DNA基因芯片slurry，有效去除基底涂覆的軟材料,軟材料包括但不限于聚合物、無(wú)機(jī)水凝膠或有機(jī)聚合物水凝膠等。基因芯片研磨液使用微米級(jí)磨料制備，粒徑均一穩(wěn)定，有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、軟材質(zhì)水凝

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納米拋光液---吉致電子氧化硅slurry的應(yīng)用及特點(diǎn)

  吉致電子納米級(jí)氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型CMP拋光產(chǎn)品。粒度均一的SiO2磨料顆粒在CMP研磨過(guò)程中分散均勻，能達(dá)到快速拋光的目的且不會(huì)對(duì)加工件造成物理?yè)p傷。納米級(jí)硅溶膠拋光液不易腐蝕設(shè)備，提高了使用的安全性。制備工藝和配方有效提高了平坦化加工速率，快速降低表面粗糙度，且工件表面劃傷少。  吉致電子氧化硅slurry粒徑分布可控，根據(jù)不同的拋光需求，生產(chǎn)出不同粒徑大小的納米氧化硅拋光液，粒徑范圍通常在 5-100nm 之間。以氧化硅為磨料的納米拋

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吉致電子鈮酸鋰拋光液的重要作用

吉致電子鈮酸鋰晶體化學(xué)機(jī)械拋光液在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的用途。鈮酸鋰在半導(dǎo)體行業(yè)中是晶圓制備過(guò)程中的關(guān)鍵材料。通過(guò)CMP化學(xué)機(jī)械拋光，能夠有效提高晶圓的表面平整度和光潔度，為后續(xù)的半導(dǎo)體器件制造提供優(yōu)質(zhì)的基礎(chǔ)。例如，在集成電路的生產(chǎn)中，鈮酸鋰晶體化學(xué)機(jī)械拋光液能夠精確地去除工件表面的微小凸起和雜質(zhì)，達(dá)到表面平坦化效果，確保后期芯片制造的性能和可靠性。鈮酸鋰cmp拋光液還能為光學(xué)表面提供高光潔度拋光，因其具有優(yōu)良的電光、聲光、壓電等性能，在光電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。經(jīng)過(guò)CMP拋光液處理后的鈮酸鋰光學(xué)元件，表面粗糙度極低

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歡度十一國(guó)慶：吉致電子與您共同慶祝祖國(guó)生日，共創(chuàng)美好未來(lái)

親愛的吉致電子同仁、客戶、合作伙伴： 2024年10月1日，中華人民共和國(guó)迎來(lái)75周年華誕，情牽華夏心連心，值此普天同慶的時(shí)刻，我們想借此機(jī)會(huì)表達(dá)對(duì)祖國(guó)、對(duì)奮斗拼搏的各位之深深熱愛和祝福，愿我們的祖國(guó)更上一層樓！ 吉致電子作為一家富有濃厚愛國(guó)情懷且正在蓬勃發(fā)展的電子科技企業(yè)，我們深知自己的使命與愿景：致力于研發(fā)生產(chǎn)卓越的集成電路精密拋光產(chǎn)品，為國(guó)家半導(dǎo)體行業(yè)貢獻(xiàn)一份力。吉致電子們與祖國(guó)同呼吸、共命運(yùn)，有了祖國(guó)的支持我們的cmp拋光研磨產(chǎn)品才能不斷地推陳出新，吉致電子將始終堅(jiān)守初心，全力以赴為客戶

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吉致電子：CMP鉬金屬研磨液，點(diǎn)亮鉬材非凡光彩

  無(wú)錫吉致電子科技有限公司是CMP研磨液、拋光墊及CMP拋光耗材研發(fā)生產(chǎn)廠家，至今已有 20 余年的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。  吉致電子CMP產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于金屬、光電、集成電路半導(dǎo)體、陶瓷、硬盤面板顯示器等材質(zhì)的表面深度處理，目前已發(fā)展為集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的現(xiàn)代工業(yè)科技廠家。目前我司生產(chǎn)的鉬金屬研磨液適用于平面形態(tài)的鉬、鉬合金工件的鏡面拋光，通過(guò)  化學(xué)機(jī)械平面研磨工藝，使鉬金屬表面快速去粗和平坦化，過(guò)程簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是利用拋光設(shè)備將鉬金屬拋光液化學(xué)氧化腐蝕鉬合金表面，再通過(guò)拋光墊外力研磨去除氧

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吉致藍(lán)寶石研磨液--高效研磨與拋光的理想選擇

藍(lán)寶石研磨液:高效研磨與拋光的理想選擇藍(lán)寶石研磨液，作為一種在精密加工領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用的研磨材料，主要用于藍(lán)寶石襯底的研磨和減薄，以實(shí)現(xiàn)其表面的高精度和高質(zhì)量處理。一，組成成分藍(lán)寶石研磨液主要由以下幾部分組成:1.優(yōu)質(zhì)聚晶金剛石微粉:這是研磨液的核心磨料，具有極高的硬度和耐磨性，能夠有效地去除藍(lán)寶石表面的材料，實(shí)現(xiàn)高效研磨。聚晶金剛石的獨(dú)特結(jié)構(gòu)使其在研磨過(guò)程中能夠保持良好的切削性能，同時(shí)減少對(duì)工件表面的劃傷2.復(fù)合分散劑:其作用是確保聚晶金剛石微粉能夠均勻地分散在研磨液中，避免顆粒團(tuán)聚,從而保證研磨液的穩(wěn)定性和

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吉致電子陶瓷覆銅板研磨液

陶瓷覆銅板 CMP 拋光液的定義，為半導(dǎo)體行業(yè)電子封裝使用的研磨液及拋光液，適用于陶瓷覆銅板粗拋及精拋。提高陶瓷工件表面去除率和平坦化性能，提供鏡面效果，解決電鍍銅層厚度及均勻性、表面粗糙度等拋光難題。吉致電子陶瓷覆銅板研磨液具有懸浮性好不易沉淀，顆粒分散均勻不團(tuán)聚，軟硬度適中避免劃傷，拋磨過(guò)程中提高拋光速度和質(zhì)量，分散性好降低微劃傷概率提高精度，無(wú)粉塵產(chǎn)生環(huán)保安全，可定制化滿足不同需求。吉致電子CMP研磨液的分類與成分：根據(jù)拋光對(duì)象分為不同類別，成分包括研磨顆粒、PH 值調(diào)節(jié)劑、氧化劑、分散劑以及表面活性劑，各成

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吉致電子--共慶2024花好月圓中秋節(jié)

  海上生明月，天涯共此時(shí)！2024中秋佳節(jié)將近，月到中秋分外明，佳節(jié)喜氣伴你行。人逢喜事精神爽，人月兩圓事業(yè)成。心寬氣順身體棒，合家幸福享天倫。  無(wú)論您在天涯海角，無(wú)錫吉致電子科技有限公司全體成員都深深祝褔您，----中秋團(tuán)圓，幸福美滿，佳節(jié)快樂!無(wú)錫吉致電子科技有限公司http://m.lygpingan.cn/聯(lián)系電話：17706168670郵編：214000?地址：江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)新榮路6號(hào)

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吉致電子藍(lán)寶石拋光液雙面研磨與單面精磨

  藍(lán)寶石襯底的表面平坦加工旨在去除線切產(chǎn)生的線痕、裂紋和殘余應(yīng)力等表面、亞表面損傷層，提升藍(lán)寶石晶片的表面質(zhì)量，從而達(dá)到 LED 芯片制備的表面質(zhì)量要求。CMP化學(xué)機(jī)械研磨工藝是解決藍(lán)寶石襯底表面平坦化的有效工藝之一，那么雙面研磨與單面精磨工藝是怎樣的，研磨拋光耗材該怎么選？  藍(lán)寶石襯底雙面研磨可實(shí)現(xiàn)上、下兩個(gè)平面的實(shí)時(shí)同步加工，有效減小兩個(gè)平面之間因加工引起的應(yīng)力應(yīng)變差，具有較好的表面翹曲度和平整度修正效果;但雙面研磨后晶片表面仍然存在著厚度為(0~25)um的表面/亞表面損傷層，而化學(xué)機(jī)

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襯底與晶圓材料的選擇與特性

襯底材料半導(dǎo)體襯底材料的選擇對(duì)器件性能有重大影響。常見的襯底材料包括硅、砷化鎵、碳化硅等。硅襯底：硅SI是最常見的襯底材料，因其優(yōu)良的電學(xué)、熱學(xué)和機(jī)械特性廣泛應(yīng)用于集成電路和微電子器件。硅襯底具有成本低、加工成熟、易于大規(guī)模生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。砷化鎵襯底：砷化鎵GaAs具有高電子遷移率和良好的光電特性，常用于高頻器件和光電器件。雖然成本較高，但在特定領(lǐng)域有無(wú)可替代的優(yōu)勢(shì)。碳化硅襯底：碳化硅SIC具有高硬度、高熱導(dǎo)率和高溫穩(wěn)定性，適用于高溫、高功率和高頻應(yīng)用。碳化硅襯底的加工難度較大，但其優(yōu)異的性能使其在特定領(lǐng)域有著重要應(yīng)用

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CMP拋光液---半導(dǎo)體拋光液種類有哪些

  半導(dǎo)體拋光液種類有哪些？CMP拋光液在集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用遠(yuǎn)不止晶圓拋光，半導(dǎo)體使用的CMP制程包括氧化層（Oxide CMP）、多晶硅（Poly CMP）、金屬層（Metal CMP）。就拋光工藝而言，不同制程的產(chǎn)品需要不同的拋光流程，28nm制程需要12~13次CMP，進(jìn)入10nm制程后CMP次數(shù)將翻倍，達(dá)到25~30次。STI CMP Slurry---淺溝槽隔離平坦化  STI淺溝槽隔離技術(shù)是用氧化物隔開各個(gè)門電路，使各門電路之間互不導(dǎo)通，STI CMP工藝的目標(biāo)是去除填充在淺溝槽中的

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吉致電子 Cu CMP研磨工藝的三個(gè)步驟

Cu CMP研磨工藝通常包括三步。第一步：用來(lái)磨掉晶圓表面的大部分金屬。第二步：通過(guò)降低研磨速率的方法精磨與阻擋層接觸的金屬,并通過(guò)終點(diǎn)偵測(cè)技術(shù)（Endpoint）使研磨停在阻擋層上。第三步：磨掉阻擋層以及少量的介質(zhì)氧化物,并用大量的去離子水（DIW）清洗研磨墊和晶圓。Cu CMP研磨工藝中第一和第二步的研磨液通常是酸性的,使之對(duì)阻擋層和介質(zhì)層具有高的選擇性,而第三步的研磨液通常是偏堿性,對(duì)不同材料具有不同的選擇性。這兩種研磨液（金屬研磨液/介質(zhì)研磨液）都應(yīng)該含有H2O2、抗腐蝕的BTA（三唑甲基苯）以及其他添加物

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CMP拋光墊的種類及特點(diǎn)

Cmp拋光墊種類可按材質(zhì)結(jié)構(gòu)主要有：聚合物拋光墊、無(wú)紡布拋光墊、帶絨毛結(jié)構(gòu)的無(wú)紡布拋光墊、復(fù)合型拋光墊。①聚合物拋光墊聚合物拋光墊的主要成分是發(fā)泡體固化聚氨酯，聚氨酯拋光墊具有抗撕裂強(qiáng)度高、耐磨性強(qiáng)、耐酸堿腐蝕性優(yōu)異的特點(diǎn)，是最常用的拋光墊材料之一。 圖 聚氨酯拋光墊微觀結(jié)構(gòu) 在拋光過(guò)程中，聚氨酯拋光墊表面微孔可以軟化和使拋光墊表面粗糙化，并且能夠?qū)⒛チ项w粒保持在拋光液中，可以實(shí)現(xiàn)高效的平坦化加工。聚氨酯拋光墊表面的溝槽有利于拋光殘?jiān)呐懦?。但聚氨酯拋光墊硬度過(guò)高，拋光過(guò)程中變形小，加工過(guò)程中容

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半導(dǎo)體晶圓常見材質(zhì)有哪些

半導(dǎo)體晶圓常見材質(zhì)有哪些？晶圓常見的材質(zhì)包括硅、藍(lán)寶石、氮化硅等。一、硅晶圓硅是目前制造半導(dǎo)體器件的主要材料，因其易加工、價(jià)格較低等優(yōu)良性能被廣泛采用。硅晶圓表面光潔度高，可重復(fù)性好，在光電子技術(shù)、光學(xué)等領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用。其制造過(guò)程主要包括單晶生長(zhǎng)、切片和拋光等工序。二、藍(lán)寶石晶圓藍(lán)寶石（sapphire）是一種高硬度透明晶體，其晶格結(jié)構(gòu)與GaAs、Al2O3等半導(dǎo)體材料相近，尤其因其較大的帶隙（3.2eV）在制造高亮度LED、激光器等器件中得到廣泛應(yīng)用。此外，藍(lán)寶石的高強(qiáng)度、高抗腐蝕性也使其成為防護(hù)材料，如用于

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吉致電子CMP拋光墊的作用

CMP技術(shù)是指被拋光材料在化學(xué)和機(jī)械的共同作用下，工件表面達(dá)到所要求的平整度的一個(gè)工藝過(guò)程。cmp拋光液中的化學(xué)成分與被拋磨工件材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，形成易去除的軟化層，拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對(duì)材料表面進(jìn)行物理機(jī)械拋光將軟化層除去。在CMP制程中，拋光墊的主要作用有：①使拋光液有效均勻分布至整個(gè)加工區(qū)域，且可提供新補(bǔ)充的拋光液進(jìn)行一個(gè)拋光液循環(huán)；②從工件拋光表面除去拋光過(guò)程產(chǎn)生的殘留物（如拋光碎屑、拋光碎片等）；③傳遞材料去除所需的機(jī)械載荷；④維持拋光過(guò)程所需的機(jī)械和化學(xué)環(huán)境。除拋光墊的力學(xué)性能以外，其表面組織

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襯底與晶圓在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用

  襯底和晶圓是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的兩個(gè)重要概念。襯底是作為基礎(chǔ)層的材料，承載著芯片和器件；而晶圓則是從襯底中切割出來(lái)的圓形硅片，作為半導(dǎo)體芯片的主要基板。襯底通常是硅片或其他材料的薄片，而晶圓則是襯底的一部分，具有特定的尺寸和方向。襯底用于承載和沉積薄膜，而晶圓用于生長(zhǎng)材料、制造芯片和執(zhí)行光刻等工藝步驟。 襯底的應(yīng)用：承載半導(dǎo)體芯片：襯底是半導(dǎo)體芯片的基礎(chǔ)，提供穩(wěn)定的平臺(tái)來(lái)構(gòu)建電子器件和集成電路?；A(chǔ)層的沉積：在制造過(guò)程中，襯底上可能需要進(jìn)行一系列的薄膜沉積，如氧化物、金屬等。這些薄膜可以提供保

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金屬互連中的大馬士革工藝

 在半導(dǎo)體制程中為了連接不同的電路元件，傳遞電子信號(hào)和為電路元件供電，需要使用導(dǎo)電金屬來(lái)形成互連結(jié)構(gòu)。鋁曾經(jīng)是半導(dǎo)體行業(yè)中用于這些互聯(lián)結(jié)構(gòu)的主要材料。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步和特征尺寸的不斷縮小，銅成為了替代選擇，那么這個(gè)過(guò)程是如何演變的呢？  金屬互連工藝歷史：早期的集成電路使用了金作為互連材料，到60-90年代中期，鋁逐漸成為集成電路制造中最主要的互連導(dǎo)線材料。1997年，美國(guó) IBM 公司公布了先進(jìn)的銅互連技術(shù)，標(biāo)志著銅正式開始替代鋁成為高性能集成電路的主要互連材料。 

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藍(lán)寶石激光領(lǐng)域視窗拋光液

  藍(lán)寶石激光領(lǐng)域視窗具有 Mohs 9硬度、平整度到<1/20λ,表面粗糙度0.3nm。按照尺寸從0.5英寸 到30英寸和不同壁厚度的規(guī)格制造,包括階梯邊緣、橢圓形邊緣望造、孔、槽和楔角。  藍(lán)寶激光領(lǐng)域視窗對(duì)快速移動(dòng)的沙子、鹽水和其他顆粒物具有抵抗力,非常適合所有類型的激光武器系統(tǒng)、大功率微波和其他需要極其平坦和堅(jiān)固的光學(xué)技術(shù)的應(yīng)用。  吉致電子藍(lán)寶石激光領(lǐng)域視窗拋光液，具有良好的穩(wěn)定性，提高藍(lán)寶石視窗片拋光速率的同時(shí)保證藍(lán)寶石表面光滑、無(wú)缺陷的全局平坦化質(zhì)量。無(wú)錫吉致電子科

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半導(dǎo)體晶圓CMP化學(xué)機(jī)械研磨拋光的原因

 什么是CMP化學(xué)機(jī)械研磨拋光？CMP（Chemical Mechanical Polishing）其實(shí)為化學(xué)與機(jī)械研磨（C&MP）的意思，化學(xué)作用與機(jī)械作用平等。目前CMP已成為半導(dǎo)體制程主流，其重要的原因主要有二：①為了縮小芯片面積，因此采用集成度高、細(xì)線化的多層金屬互連線（七層以上），因線寬極細(xì)，且需多層堆疊，故光刻制程即為一關(guān)鍵步驟。若晶圓表面凹凸不平，平坦度差，則會(huì)影響光刻精確度，因此需以CMP達(dá)成晶圓上金屬層間之全面平坦化（Global Planarization）。②為了降低元件之電

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