從性能到場(chǎng)景:吉致電子CMP Pad軟質(zhì)拋光墊與硬質(zhì)墊的區(qū)別
在精密拋光領(lǐng)域(如半導(dǎo)體晶圓、光學(xué)玻璃、藍(lán)寶石襯底等加工),拋光墊CMP PAD的硬度是影響拋光效果的核心參數(shù)之一。CMP化學(xué)機(jī)械拋光工藝中軟質(zhì)拋光墊與硬質(zhì)拋光墊的差異,本質(zhì)上是“材料形變能力”與“機(jī)械作用強(qiáng)度”的對(duì)立與適配,其優(yōu)點(diǎn)和差別主要體現(xiàn)在拋光效率、表面質(zhì)量、適用場(chǎng)景等多個(gè)維度,具體可通過(guò)以下對(duì)比清晰呈現(xiàn):
一、核心定義與材質(zhì)差異
首先需明確二者的本質(zhì)區(qū)別:
硬質(zhì)拋光墊:通常以高分子聚合物(如聚氨酯、聚酰亞胺)為基材,添加剛性填料(如氧化鈰、氧化鋁、碳化硅微粉),整體結(jié)構(gòu)致密、形變率低(壓縮形變一般<5%),機(jī)械支撐性強(qiáng)。
CMP軟質(zhì)拋光墊:同樣以聚氨酯為基礎(chǔ),但通過(guò)調(diào)整泡孔結(jié)構(gòu)(大孔徑、高孔隙率)、添加柔性添加劑(如彈性樹(shù)脂)或采用多層復(fù)合結(jié)構(gòu)(表層軟質(zhì) + 底層支撐),實(shí)現(xiàn)高形變能力(壓縮形變通常>10%),具備一定彈性和貼合性。
二、關(guān)鍵性能與優(yōu)勢(shì)對(duì)比
對(duì)比維度 | 硬質(zhì)拋光墊 | 軟質(zhì)拋光墊 | 軟質(zhì)拋光墊的核心優(yōu)點(diǎn) |
1. 表面貼合性與平整度 | 剛性強(qiáng),僅能貼合工件宏觀平面,對(duì)微小凹凸適配性差,易產(chǎn)生 “邊緣過(guò)拋” 或 “局部未拋透”。 | 彈性強(qiáng),可自適應(yīng)工件表面微小凹凸(如晶圓邊緣、局部劃痕),貼合度>95%,減少 “拋光盲區(qū)”。 | 減少局部缺陷:尤其適合表面有微小起伏的工件,拋光后全局平整度(如 TTV 值)更優(yōu)。 |
2. 拋光后表面質(zhì)量 | 機(jī)械切削力強(qiáng),易產(chǎn)生 “微劃痕”“表面損傷層”(深度可達(dá) 10-50nm),Ra 通常>5nm。 | 機(jī)械切削作用弱,以 “柔性研磨 + 化學(xué)作用” 為主,表面粗糙度(Ra)可低至 0.1-1nm,無(wú)劃痕風(fēng)險(xiǎn)。 | 超光滑表面:滿足光學(xué)元件、半導(dǎo)體頂層拋光等 “無(wú)損傷” 需求,無(wú)需額外后續(xù)精拋。 |
3. 拋光選擇性與均勻性 | 對(duì)硬質(zhì)材料切削率高,軟質(zhì)材料切削率低,選擇性強(qiáng)但均勻性差(WUW 通常<80%)。 | 對(duì)工件不同材質(zhì)(如金屬層 / 介質(zhì)層)的切削差異小,拋光速率均勻性(Within Wafer Uniformity, WUW)可達(dá) 90% 以上。 | 高均勻性:適合多層復(fù)合結(jié)構(gòu)(如芯片銅互連 + 介質(zhì)層)的同步拋光,避免層間高差。 |
4. 拋光液吸附與傳遞 | 泡孔致密、孔隙率低(<20%),拋光液吸附量少,易因 “干摩擦” 導(dǎo)致界面溫度升高。 | 泡孔結(jié)構(gòu)疏松、孔隙率高(30%-60%),可大量吸附拋光液(磨粒 + 化學(xué)試劑),并緩慢釋放至拋光界面。 | 穩(wěn)定界面環(huán)境:減少拋光液流失,避免磨粒團(tuán)聚,同時(shí)降低界面溫度(<40℃),保護(hù)工件。 |
5. 磨損特性與壽命 | 剛性強(qiáng)、耐磨性好,不易形變,壽命較長(zhǎng)(通常加工 200-500 片晶圓)。 | 因材質(zhì)柔軟,長(zhǎng)期拋光后易出現(xiàn) “形變老化” 或 “局部磨損”,壽命較短(通常加工 50-100 片晶圓)。 | 適配高精度場(chǎng)景:雖壽命短,但可通過(guò)定期 “修整(Dressing)” 恢復(fù)表面形貌,保證單批次拋光一致性。 |
6. 適用場(chǎng)景 | 側(cè)重 “粗拋 / 中拋”,如晶圓減薄、金屬基底平整化、硬質(zhì)陶瓷毛坯拋光(快速去除余量)。 | 側(cè)重 “精拋 / 終拋”,如半導(dǎo)體晶圓頂層拋光、光學(xué)玻璃超光滑表面加工、藍(lán)寶石襯底最終拋光。 | 滿足高精度需求:在 “追求表面質(zhì)量而非效率” 的終端加工環(huán)節(jié),是不可替代的核心耗材。 |
三、CMP PAD拋光墊的應(yīng)用場(chǎng)景
硬質(zhì)拋光墊用于全局平坦化及快速下尺寸,是先進(jìn)邏輯芯片制造(如臺(tái)積電、英特爾、三星的7nm、5nm、3nm制程)中ILD、STI、銅阻擋層等關(guān)鍵CMP步驟的絕對(duì)主力。
軟質(zhì)拋光墊重點(diǎn)在于提高表面精度,常用于:
①對(duì)平坦化要求不極致,但對(duì)表面缺陷和劃傷“零容忍”的工藝步驟。例如一些存儲(chǔ)器(如DRAM)的制造、MEMS器件拋光等。
②作為硬墊拋光后的精拋步驟,用于去除輕微的損傷層和改善表面光潔度。需要高選擇比的特殊應(yīng)用。
CMP工藝常常是組合使用硬墊(研磨墊)和軟墊(精拋墊),例如先使用硬墊進(jìn)行主要的、高去除量的平坦化,再使用軟墊進(jìn)行精拋以優(yōu)化表面質(zhì)量,從而兼顧兩者優(yōu)點(diǎn)。
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