一、碳化硅CMP工藝：精密制造的“表面革命”

碳化硅（SiC）以其優(yōu)異的耐高溫、高擊穿場強特性，成為半導體功率器件、新能源汽車電子等高端領域的核心材料。而化學機械拋光（CMP）作為實現(xiàn)碳化硅襯底原子級光滑表面的關鍵工藝，其核心效能直接由拋光液與拋光墊兩大耗材決定。吉致電子深耕CMP材料領域多年，針對碳化硅襯底拋光的4道核心制程，打造了全系列適配的拋光液Slurry與拋光墊Pad產品，實現(xiàn)“高效去除”與“超精表面”的完美平衡。

二、碳化硅拋光液：化學與機械的精準協(xié)同

拋光液的配方設計直接決定碳化硅表面的去除效率與質量，吉致電子通過進口技術轉化與自主研發(fā)，形成了兼具性能與穩(wěn)定性的產品體系。

（一）核心技術原理

依托“化學軟化 - 機械剝離”的經典CMP機制，吉致碳化硅拋光液通過氧化劑（如高錳酸鉀等）與SiC表面發(fā)生連鎖氧化反應，生成易去除的軟質改性層，再借助高硬度磨料實現(xiàn)精準剝離。通過pH值的精細化調控（粗拋pH11左右，精拋pH9.5左右），可靈活匹配不同拋光階段的需求，既保證材料去除率，又避免過度腐蝕。

（二）產品核心優(yōu)勢

全制程適配性能：針對粗拋、精拋等不同工序，提供專用配方產品。其中氧化鋁基拋光液表現(xiàn)尤為突出，拋光后Si面粗糙度可低至0.14nm，C面粗糙度約0.15nm，滿足半導體級表面質量要求。

高效穩(wěn)定兼容：在碳化硅襯底拋光中，既能快速去除表面氧化層與劃痕，又與各類CMP設備及工藝體系高度兼容，同時可適配不銹鋼、陶瓷等多類材料拋光。

品質與環(huán)保雙保障：采用環(huán)保型配方，不含重金屬與揮發(fā)性有機化合物，生產過程全程可控。本土化生產模式確保每批次產品性能一致，交貨周期較進口產品大幅縮短，價格更具優(yōu)勢。

便捷的使用特性：可根據工藝需求用去離子水進行5-20倍稀釋，循環(huán)拋光時可直接使用原液，儲存于5-35℃陰涼環(huán)境即可保持穩(wěn)定，操作門檻低。

三、碳化硅拋光墊：表面平整的“承載基石”

拋光墊作為磨料傳輸與壓力傳導的關鍵載體，其材質與結構設計對拋光均勻性至關重要。吉致電子針對性開發(fā)的系列拋光墊，實現(xiàn)了進口產品的高效替代。

（一）材質與結構創(chuàng)新

采用聚氨酯與無紡布原料，結合特殊微孔洞結構與柔軟表面設計，既能高效承載并傳輸磨料，又具備良好的緩沖與晶背保護效果，可適配低、中、高硬度材料的拋光需求。相較于傳統(tǒng)拋光墊，其抗氧化性與耐腐蝕性顯著提升，有效解決了磨屑沉積導致的彈性喪失問題。

全系列工藝覆蓋：提供粗磨墊、精磨墊、粗拋墊、精拋墊等全品類產品，完美匹配碳化硅拋光的4道制程，實現(xiàn)高移除率與高平坦性的統(tǒng)一，表面缺陷率顯著降低。

進口替代級品質：產品性能可媲美Politex、FUJIBO等進口品牌，在耐用性、磨料保持性與潤濕性能上表現(xiàn)優(yōu)異，且價格更具競爭力，性價比優(yōu)勢突出。

穩(wěn)定的供應保障：依托本土化生產基地與成熟供應鏈體系，交貨周期穩(wěn)定可控，解決了進口產品供應滯后的痛點，為企業(yè)連續(xù)生產提供支撐。

四、國產化替代：賦能高端制造升級

當前碳化硅拋光材料市場正迎來快速增長期，吉致電子憑借“技術引進 + 自主創(chuàng)新”的發(fā)展路徑，已成為國產化替代的重要力量。吉致電子拋光液與拋光墊產品不僅在性能上實現(xiàn)進口替代，更以親民的價格、快速的交付與專業(yè)的技術服務，為國內碳化硅襯底制造企業(yè)降低生產成本、提升良率提供了可靠支撐。從半導體晶圓到IC制造，吉致電子的CMP耗材解決方案正廣泛賦能高端精密制造領域。

五、關于吉致電子

無錫吉致電子科技有限公司擁有25年CMP材料研發(fā)生產經驗，引進國外先進技術與設備，建立了從原材料采購到成品檢測的全鏈條質量控制體系。目前已形成碳化硅研磨液、拋光液、拋光墊等全系列產品矩陣，為集成電路、半導體、LED、光學等多領域客戶提供定制化拋光解決方案。

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