吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

半導體銅CMP拋光液：銅互連工藝的核心材料

半導體銅化學機械拋光液（Copper CMP Slurry）是用于半導體制造過程中銅互連層化學機械拋光（CMP）的關(guān)鍵材料。隨著半導體技術(shù)的發(fā)展，銅CU因其低電阻率和高抗電遷移性能，取代鋁成為主流互連材料。銅CMP拋光液在銅互連工藝中起到至關(guān)重要的作用，確保銅層平整化并實現(xiàn)多層互連結(jié)構(gòu)，CU CMP Slurry通過化學腐蝕與機械研磨的結(jié)合，實現(xiàn)銅層的高精度平整化和表面質(zhì)量控制。。 一、Copper CMP Slurry銅CMP拋光液的組成：主要磨料顆粒（Abrasive Particles）有二氧化硅（

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硬盤玻璃的表面拋光主要用什么工藝？

    硬盤玻璃（也稱為硬盤盤片基板或玻璃基板）是一種用于制造硬盤驅(qū)動器（HDD）盤片的特殊玻璃材料。它是硬盤盤片的基礎材料，用于存儲數(shù)據(jù)。硬盤玻璃通常采用特殊的鋁硅酸鹽玻璃或化學強化玻璃，具有硬度高、輕量化、低熱膨脹系數(shù)、高表面光潔度的特點。硬盤玻璃的表面拋光是其制造過程中非常關(guān)鍵的一環(huán)，因為硬盤盤片需要極高的表面平整度和光潔度，以確保數(shù)據(jù)存儲和讀寫的精確性。硬盤玻璃的表面拋光主要采用CMP化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing）。 &nb

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突破技術(shù)壁壘：國產(chǎn)拋光墊替代Suba800的崛起之路

國產(chǎn)替代Suba800拋光墊（CMP Pad）的產(chǎn)品在近年來取得了顯著的技術(shù)進步，逐漸在半導體集成電路市場上占據(jù)一席之地。以下是Suba拋光墊國產(chǎn)替代產(chǎn)品的優(yōu)勢和特點：一、Suba拋光墊國產(chǎn)替代產(chǎn)品的優(yōu)勢1.成本優(yōu)勢?國產(chǎn)CMP拋光墊的價格通常比進口產(chǎn)品低，能夠顯著降低生產(chǎn)成本，尤其適合對成本敏感的企業(yè)。?減少了進口關(guān)稅和物流費用，進一步降低了采購成本。2.供應鏈穩(wěn)定?國產(chǎn)化生產(chǎn)避免了國際供應鏈的不確定性（如貿(mào)易摩擦、物流延遲等），供貨周期更短，響應速度更快。?國內(nèi)廠商通常能提供更靈活的CMP拋光耗材訂單服務，支持

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CMP拋光液:精密光學鏡頭制造的幕后英雄

CMP（化學機械拋光）技術(shù)在光學制造領(lǐng)域確實扮演著至關(guān)重要的角色，尤其是在高精度光學元件的加工中。CMP拋光液通過化學腐蝕和機械研磨的結(jié)合，能夠?qū)崿F(xiàn)光學玻璃表面的超平滑處理，滿足現(xiàn)代光學系統(tǒng)對表面粗糙度和形狀精度的嚴苛要求。 吉致電子光學玻璃CMP Slurry的應用領(lǐng)域：①精密光學鏡頭：在手機攝像頭、顯微鏡、望遠鏡等光學系統(tǒng)中，通過CMP工藝和拋光液的拋磨可使光學鏡頭元件在光線折射與散射方面得到有效優(yōu)化，成像質(zhì)量大幅提升。確保了鏡頭的高分辨率和成像質(zhì)量。②航空航天光學窗口：航空航天光學窗口面臨復雜空間環(huán)

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鈮酸鋰/鉭酸鋰晶體拋光液成分及特點

鈮酸鋰（LiNbO?）和鉭酸鋰（LiTaO?）襯底的CMP（化學機械拋光）拋光液是一種專門設計用于實現(xiàn)高效材料去除和表面平整化的化學機械混合物。其組成和特性如下：1. 主要成分磨料：常用磨料包括二氧化硅（SiO?）或氧化鋁（Al?O?）納米顆粒。磨料粒徑通常在20-200 nm之間，以實現(xiàn)高效的材料去除和表面光滑。氧化劑：用于氧化襯底表面，使其更容易被磨料去除。常見的氧化劑包括過氧化氫（H?O?）、硝酸（HNO?）或高錳酸鉀（KMnO?）。pH調(diào)節(jié)劑：拋光液的pH值通?？刂圃?-11之間，以優(yōu)化化學反應和

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磷化銦襯底拋光液與CMP工藝的關(guān)聯(lián)

磷化銦襯底拋光液與化學機械平面研磨工藝（CMP）的關(guān)聯(lián)磷化銦（InP）作為第二代半導體材料的代表，因其優(yōu)異的電學、光學和熱學性能，在高速電子器件、光電子器件和微波器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。然而InP襯底表面的高質(zhì)量加工是實現(xiàn)高性能器件的關(guān)鍵，其中化學機械平面研磨工藝（CMP）扮演著至關(guān)重要的角色。一、 磷化銦襯底為什么使用CMP技術(shù)CMP是一種結(jié)合化學腐蝕和機械研磨的表面平坦化技術(shù)，通過拋光液slurry中的磨料成分與襯底表面發(fā)生化學反應，生成一層易于去除的軟化層，再借助拋光墊Pad的機械作用將其去除，從而實

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無蠟吸附墊：精密制造的卓越之選

無蠟吸附墊的設計充分考慮了不同行業(yè)、不同工藝的實際需求，具有高度的通用性和靈活性。提高吸附穩(wěn)定性，還能起到良好的排屑作用，防止加工過程中產(chǎn)生的碎屑堆積在吸附墊表面，影響加工精度和吸附效果。 以下是吉致電子無蠟吸附墊的介紹：組合式無蠟拋光吸附墊 結(jié)構(gòu)：包括基布、吸附結(jié)構(gòu)和粘貼結(jié)構(gòu)。吸附結(jié)構(gòu)由聚氨酯吸附層和環(huán)形氣腔組成，聚氨酯吸附層粘貼在基布上，環(huán)形氣腔設置在聚氨酯吸附層上，起到吸附固定且揭開時減少吸附力的作用；粘貼結(jié)構(gòu)包括無殘留雙面膠和離型紙，無殘留雙面膠粘貼在基布上，離型紙粘貼在無殘留雙面膠上 。 優(yōu)點：

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影響碳化硅襯底質(zhì)量的重要工藝參數(shù)有哪些

碳化硅襯底提高加工速率和良品率的主要因素除了用對拋光液和拋光墊，在CMP拋光研磨過程的工藝參數(shù)也很重要：拋光壓力：適當增加壓力可以提高拋光效率，但過高的壓力可能導致襯底表面產(chǎn)生劃痕、損傷甚至破裂。一般根據(jù)襯底的厚度、硬度以及拋光設備的性能，壓力范圍在幾十千帕到幾百千帕之間。拋光轉(zhuǎn)速：包括襯底承載臺的轉(zhuǎn)速和拋光墊的轉(zhuǎn)速。轉(zhuǎn)速影響拋光液在襯底和拋光墊之間的流動狀態(tài)以及磨料的磨削作用。較高的轉(zhuǎn)速可以加快拋光速度，但也可能使拋光液分布不均勻，導致表面質(zhì)量下降。轉(zhuǎn)速通常在每分鐘幾十轉(zhuǎn)到幾百轉(zhuǎn)之間調(diào)整。拋光時間：由襯底需要去除

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吉致電子給您拜年啦！

親愛的吉致電子合作伙伴：您好！2025年的春節(jié)鐘聲已經(jīng)敲響，在這辭舊迎新、闔家團圓的美好時刻，吉致電子科技有限公司全體員工向您及您的家人致以最誠摯、最美好的新春祝福！過去一年，我們一同見證了行業(yè)的風云變幻，也共同經(jīng)歷了諸多挑戰(zhàn)。但無論市場環(huán)境如何復雜，您始終堅定地站在我們身邊，與我們并肩前行。這種不離不棄的信任，是我們最為珍視的財富，也是我們持續(xù)創(chuàng)新、提升自我的強大動力源泉。值此新春佳節(jié)，愿您和您的家人盡享健康之福，身體硬朗，活力滿滿。家庭生活幸福美滿，親情在歡聲笑語中愈發(fā)深厚，每天都被溫暖與愛意環(huán)繞。新的一年，

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吉致電子：SIC碳化硅襯底CMP工藝面臨的挑戰(zhàn)與解決方案

SiC CMP拋光液是一種用于對碳化硅襯底進行化學機械拋光的關(guān)鍵材料，通過化學腐蝕和機械磨損的協(xié)同作用，實現(xiàn)碳化硅襯底表面材料的去除及平坦化，從而提高晶圓襯底的表面質(zhì)量，達到超光滑、無缺陷損傷的狀態(tài)，滿足外延應用等對襯底表面質(zhì)量的嚴苛要求。目前碳化硅襯底CMP工藝面臨的挑戰(zhàn)與解決方案：①碳化硅硬度高：碳化硅硬度僅次于金剛石，這使得其拋光難度較大。需要研發(fā)更高效的磨料和優(yōu)化拋光液配方，以提高對碳化硅的去除速率。例如，采用高硬度、高活性的磨料，并優(yōu)化磨料的粒徑分布和形狀，同時調(diào)整化學試劑的種類和濃度，增強

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2025碳化硅襯底CMP工藝流程

碳化硅襯底CMP工藝流程如下：準備工作：對碳化硅SiC襯底進行清洗和預處理，去除表面的灰塵、油污等雜質(zhì)，保證襯底表面潔凈。同時，檢查CMP拋光設備是否正常運行，調(diào)整好吉致電子碳化硅專用拋光墊的平整度和壓力等參數(shù)。拋光液涂覆：通過自動供液系統(tǒng)，按照一定的流量和頻率進行參數(shù)調(diào)整，確保拋光液在拋光過程中始終充足且均勻分布。CMP拋光過程：將SiC襯底固定在拋光機的承載臺/無蠟吸附墊，使其與涵養(yǎng)拋光液的拋光墊接觸。拋光機帶動襯底和拋光墊做相對運動，在一定的壓力和轉(zhuǎn)速下，拋光液中的磨料對碳化硅襯底表面進行機械磨削，同時拋光液

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吉致電子2025年春節(jié)放假通知

尊敬的吉致電子合作伙伴：您好！舊歲已展千重錦，新年再進百尺竿。在這辭舊迎新的美好時刻，無錫吉致電子科技有限公司全體員工向您及您的家人致以最誠摯的新春祝福，感謝您一直以來對我們的支持與信任，您的認可與信賴是我們不斷前行的動力。回首過去一年，我們共同經(jīng)歷了諸多挑戰(zhàn)，也一同收獲了成長與進步。我們深知，每一次突破與成就，都離不開您的堅定支持。您的寶貴建議，讓我們的產(chǎn)品和服務不斷完善，得以更精準地滿足您的需求。在此，我們向您表達最衷心的感謝?，F(xiàn)將我司 2025年春節(jié)放假時間安排告知如下：放假時間為 2025 年 1 月&nb

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半導體CMP--碳化硅襯底無蠟吸附墊的特點

碳化硅SiC襯底在CMP研磨拋光工藝中使用吉致無蠟吸附墊的好處主要體現(xiàn)在以下幾個方面：①穩(wěn)定性與吸附力真空吸附原理優(yōu)勢：利用真空吸附，可在吸附墊與襯底間形成強大負壓，使襯底與吸附墊緊密貼合。如在化學機械拋光（CMP）中，能讓晶圓襯底在高速旋轉(zhuǎn)和研磨壓力下保持原位，避免位移和晃動，確保拋光均勻性。②降低破片率：吉致電子半導體無蠟吸附墊強而穩(wěn)定的吸附力可均勻分散外力，防止局部受力過大。在超薄晶圓或大尺寸晶圓拋光時，能有效避免因吸附不穩(wěn)導致的晶圓破裂，提高生產(chǎn)效益。③簡化工藝流程無需除蠟環(huán)節(jié)：傳統(tǒng)吸附墊常需涂蠟輔助吸附，

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吉致電子--Apple Logo 無蠟吸附墊

無蠟吸附墊蘋果logo研磨拋光墊是一種專為Apple logo研磨拋光設計的工具，其無蠟構(gòu)造確保了高效穩(wěn)定、無殘留的CMP拋光效果，使用方便降低logo工件損耗率。吉致電子無蠟吸附墊Template主要特點無蠟構(gòu)造：采用無蠟材料，有效降低拋光過程中殘留物的產(chǎn)生，從而提升拋光品質(zhì)。高精度研磨：能夠?qū)崿F(xiàn)精準的研磨和拋光作業(yè)，確保蘋果logo的細節(jié)和清晰度得到完美呈現(xiàn)。卓越耐磨性：選用高品質(zhì)材料，耐磨性強，顯著延長了產(chǎn)品的使用壽命。環(huán)保安全：無蠟設計減少了對環(huán)境和操作人員的潛在影響。logo專用無蠟吸附墊應用范圍logo

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CMP拋光墊在化學機械平面研磨中的作用和效果

CMP拋光墊在化學機械平面研磨中的作用和效果通過調(diào)整拋光墊的密度和硬度，可以根據(jù)目標值（如鏡面光潔度、精度等）進行優(yōu)化，確保工件表面達到鏡面光潔度，同時與研磨相比，損傷降至最低。在CMP過程中，拋光墊主要發(fā)揮以下作用：1. 均勻施加壓力：由于拋光墊通常由柔性材料制成，并具有一定的彈性，它能夠在壓力施加時均勻變形，確保材料的去除速率在整個晶圓表面上保持一致，避免局部去除過度或不足。2. 散熱：CMP過程中會產(chǎn)生大量熱量，拋光墊通常由具有良好導熱性能的材料制成，例如聚氨酯等，能夠快速傳導熱量，防止局部過熱，從而保護晶圓

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半導體晶圓拋光墊的類型有哪些

一、CMP拋光墊概述CMP拋光墊是半導體晶圓制造中不可或缺的工具之一，主要用于半導體晶圓的拋光和平整處理。這些拋光墊CMP Pad采用優(yōu)質(zhì)材料制作，展現(xiàn)出卓越的耐磨性和平坦度，確保晶圓在拋光過程中得到妥善保護，不受損害。根據(jù)不同的材質(zhì)和硬度需求，拋光墊可分為多種類型。二、各種自粘式CMP拋光墊的種類和特點1. 聚氨酯(PU)拋光墊聚氨酯(PU)拋光墊是拋光墊中的一種常見類型，其硬度較低，展現(xiàn)出良好的柔軟性和彈性，特別適用于需要柔軟拋光墊的場合。它的拋光效果出色，使用壽命較長，但價格相對較高。2. 聚酯(PET)拋光

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為什么不能用機械磨削grinding代替cmp？

  為何僅在晶圓背面減薄過程中采用grinding工藝？盡管在芯片制程中也存在減薄需求，為何選擇cmp工藝而非grinding？Grinding與cmp工藝的原理是什么？Grinding，即機械磨削，是一種通過機械力直接去除晶圓表面材料的方法。通常不使用研磨液，而是利用超純水進行清洗或帶走產(chǎn)生的碎屑和熱量。相比之下，cmp即化學機械研磨，結(jié)合了化學反應與機械力來去除材料。目標材料首先與cmp slurry中的氧化劑、酸、堿等發(fā)生微反應，隨后在拋光頭、拋光墊以及slurry中磨料的共同作用下，通過機械力去除

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吉致電子2025元旦祝福

2025新年鐘聲敲響，無錫吉致電子科技有限公司攜全體員工，向您致以最誠摯的祝福！愿2025年，科技引領(lǐng)未來，創(chuàng)新點亮生活。我們不忘初心，砥礪前行，為您帶來更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務。新年新氣象，愿與您攜手共創(chuàng)輝煌！祝福大家元旦快樂，闔家幸福！在新的一年里，吉致電子公司將持續(xù)深耕技術(shù)，不斷探索電子領(lǐng)域的無限可能。我們承諾，將以更加專業(yè)的態(tài)度，更加嚴謹?shù)难邪l(fā)精神，為您打造更加智能、更加高效的CMP研磨拋光解決方案。同時，我們也將更加注重用戶體驗，傾聽每一位客戶的聲音，不斷優(yōu)化產(chǎn)品和服務，讓您感受到來自吉致電子的溫暖與關(guān)懷。愿我

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吉致電子SiC碳化硅研磨墊國產(chǎn)替代

  在碳化硅拋光墊/研磨墊（SiC CMP Pad）市場中，高端領(lǐng)域呈現(xiàn)出寡頭壟斷的格局。其中，杜邦Suba800系列產(chǎn)品被廣泛采用，同時也有部分客戶選擇杜邦的Suba600和Suba400系列，以及Supreme Series和Politex系列等產(chǎn)品。此外，日本廠商Fujibo也在市場中扮演著關(guān)鍵角色，其主打產(chǎn)品包括G804W、728NX和FPK66等型號。  在競爭激烈的半導體集成電路市場中，除了上述提到的幾款CMP拋光墊產(chǎn)品外，國內(nèi)一些新興企業(yè)也在不斷研發(fā)創(chuàng)新，試圖打破現(xiàn)有的市場格局，為

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吉致電子CMP Pad化學機械拋光墊

吉致電子專注研發(fā)、設計、測試與生產(chǎn)制造CMP耗材，CMP PAD化學機械拋光墊用于半導體制造、平面顯示器、光學玻璃、各類晶圓襯底材料、高精密陶瓷件、金屬與硬盤基板的研磨拋光工藝。吉致電子CMP拋光墊采用精密涂布技術(shù)和科技材料能有效提升客戶制程中的移除率和高平坦度、低缺陷等要求。吉致拋光墊團隊從事高分子材料合成、發(fā)泡技術(shù)與復合材料研制已有多年經(jīng)驗，積累深厚的材料制造和研發(fā)基礎.拋光墊產(chǎn)品因其特殊纖維材質(zhì)，耐用、耐磨、耐酸堿，價比高。PAD產(chǎn)品包括且不限于：聚氨酯拋光墊、阻尼布精拋墊、復合拋光墊、絨面拋光墊、無紡布拋光

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