碲鋅鎘（CdZnTe，CZT）晶體屬于典型的軟脆晶體，其力學(xué)特性介于軟質(zhì)和脆性材料之間。

軟脆晶體的定義與特征：

軟質(zhì)材料：硬度較低（莫氏硬度約2.0–2.5，接近石膏或滑石），易劃傷或塑性變形。

脆性材料：斷裂韌性低，易產(chǎn)生裂紋或解理斷裂（類似玻璃或硅）。

CZT同時(shí)具備這兩種特性，屬于軟而脆的半導(dǎo)體晶體。CdZnTe單晶襯底加工困難：切割、拋光過程中易產(chǎn)生裂紋、邊緣崩缺或表面損傷。

吉致電子的碲鋅鎘（CdZnTe）單晶襯底拋光液針對(duì)CZT材料軟脆、易損傷及表面高要求的特點(diǎn)，采用低損傷納米磨料技術(shù)（如超細(xì)膠體SiO₂）和智能平衡配方，在保證高效去除率的同時(shí)實(shí)現(xiàn)原子級(jí)光滑表面和亞納米級(jí)損傷層。

CZT碲鋅鎘CMP拋光液Slurry其優(yōu)勢(shì)在于：通過金屬絡(luò)合劑和表面活性劑優(yōu)化抑制富Te層與缺陷，確?；瘜W(xué)計(jì)量比穩(wěn)定；寬工藝窗口適配多種設(shè)備參數(shù)，且環(huán)保設(shè)計(jì)降低廢液處理難度。適用拋光液后顯著提升HgCdTe外延質(zhì)量與器件良率，同時(shí)以長(zhǎng)壽命、高穩(wěn)定性減少綜合成本，是高性能紅外及輻射探測(cè)器襯底制備的理想選擇。CMP拋光液具體參數(shù)需以吉致電子官方技術(shù)文檔為準(zhǔn)。若需評(píng)估樣品，可按要求提供適配您襯底規(guī)格（晶向、Zn含量）的定制化方案。

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