半導(dǎo)體晶圓化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝中，化學(xué)抗性無蠟吸附墊作為關(guān)鍵耗材，其核心作用在于解決傳統(tǒng)吸附材料的局限性，同時(shí)滿足先進(jìn)制程對潔凈度、穩(wěn)定性和工藝兼容性的嚴(yán)苛要求。吉致電子半導(dǎo)體CMP專用無蠟吸附墊產(chǎn)品，解決了傳統(tǒng)吸附墊在嚴(yán)苛化學(xué)環(huán)境下性能不足、適配性差的問題，還為碳化硅晶圓等精密元件的高效、高質(zhì)量拋光提供了可靠的解決方案。

材料抗性設(shè)計(jì)：

采用高分子復(fù)合材料體系，通過交聯(lián)密度調(diào)控和納米填料改性，實(shí)現(xiàn)對KMnO₄等強(qiáng)氧化性漿料的化學(xué)惰性。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明，在80℃/10%KMnO4溶液中浸泡240小時(shí)后，吸附墊的拉伸強(qiáng)度保持率＞90%，遠(yuǎn)超傳統(tǒng)PVC材料的35%。

針對SiC晶圓拋光時(shí)產(chǎn)生的微米級磨料沖擊，表面采用梯度彈性模量設(shè)計(jì)，兼顧抗劃傷性和應(yīng)力緩沖。

潔凈度保障機(jī)制：

• 創(chuàng)新性開發(fā)"物理-化學(xué)雙鎖止"防污染結(jié)構(gòu)：

物理層：3D網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)將顆粒物截留效率提升。

化學(xué)層：表面離子聚合物有效抑制顆粒靜電吸附。

市場應(yīng)用前景：

解決第三代半導(dǎo)體痛點(diǎn)：SiC晶圓拋光過程中，傳統(tǒng)石蠟粘接劑在＞200N壓力下易發(fā)生熔滲污染。吉致電子方案可將污染風(fēng)險(xiǎn)降低，幫助客戶提升拋光良率。

經(jīng)濟(jì)效益測算：單片晶圓可減少無蠟墊更換次數(shù)3-5次，按年產(chǎn)10萬片的6英寸SiC產(chǎn)線計(jì)算，年節(jié)約耗材成本約$2.5M，同時(shí)減少設(shè)備停機(jī)時(shí)間。

吉致電子無蠟吸附墊核心亮點(diǎn)

化學(xué)抗性突出：作為無蠟吸附墊，其關(guān)鍵特性在于具備優(yōu)異的化學(xué)抗性，這使其能夠在接觸具有強(qiáng)氧化性的高錳酸鉀KMnO₄基漿料時(shí)保持穩(wěn)定性能，避免因化學(xué)腐蝕而影響使用壽命或產(chǎn)生污染。

定制化設(shè)計(jì)：采用獨(dú)家定制化設(shè)計(jì)，突破了傳統(tǒng)模板的局限。這意味著可以根據(jù)不同規(guī)格的碳化硅（SiC）晶圓以及具體的拋光工藝需求，靈活調(diào)整吸附墊的參數(shù)和結(jié)構(gòu)，從而更好地適配應(yīng)用場景。

高耐久與超潔凈：能保持高耐久性，減少了頻繁更換的頻率，降低了使用成本；同時(shí)，超潔凈的特性可確保在拋光過程中不會引入雜質(zhì)，保障晶圓等精密元件的加工質(zhì)量。

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