在光電信息、量子通信、半導體激光等高端產(chǎn)業(yè)領域，鈮酸鋰（LN）、鉭酸鋰（LT）晶體憑借優(yōu)異的電光、聲光及非線性光學特性，成為制造高性能器件的核心基材。而晶體表面的光潔度直接決定器件的光傳輸效率、調制性能與長期穩(wěn)定性，化學機械拋光（CMP）作為實現(xiàn)晶體超精密表面加工的關鍵工藝，其技術水準與配套耗材（拋光液、拋光墊）的適配性，成為突破高端晶體應用瓶頸的核心支撐。吉致電子深耕光電材料精密加工領域，針對LN/LT晶體的材質特性，打造定制化CMP拋光解決方案，通過精準匹配拋光液配方與拋光墊類型，實現(xiàn)從常規(guī)精密拋光到原子級超光滑表面的全場景覆蓋，為高端光電器件量產(chǎn)賦能。

核心邏輯：拋光液與拋光墊的精準適配，決定CMP拋光終極效果

LN/LT晶體屬于硬脆極性材料，化學穩(wěn)定性強、機械加工難度大，傳統(tǒng)拋光工藝易產(chǎn)生劃痕、麻點、亞表面損傷等缺陷。CMP拋光的核心優(yōu)勢在于“化學腐蝕+機械研磨”的協(xié)同作用，而拋光液的化學活性、顆粒分散性，以及拋光墊的孔隙結構、硬度、研磨效率，直接決定化學與機械作用的平衡度——這也是吉致電子CMP解決方案的核心研發(fā)方向。

我們通過上千組實驗驗證，針對LN/LT晶體的晶格結構與化學特性，定制研發(fā)專用CMP拋光液：通過精準調控拋光液pH值（8-11可調）、優(yōu)化研磨顆粒（氧化硅/氧化鋁）的粒徑分布與表面修飾，實現(xiàn)對晶體表面的溫和化學腐蝕與高效機械去除，同時抑制拋光過程中的顆粒團聚與劃痕產(chǎn)生；搭配自主篩選的高性能拋光墊（如Suba系列、聚氨酯多孔拋光墊等），通過優(yōu)化拋光墊的孔隙率與表面平整度，提升拋光液的滲透與更新效率，減少拋光殘留物，保障拋光過程的穩(wěn)定性與一致性。

性能突破：全場景覆蓋的超精密拋光效果

依托定制化的拋光液與拋光墊適配方案，吉致電子LN/LT晶體CMP拋光工藝可根據(jù)不同應用場景的需求，實現(xiàn)從常規(guī)精密級到原子級的表面光潔度控制，具體表現(xiàn)如下：

1.常規(guī)精密拋光：適配通用光電器件需求

針對普通光學調制器、濾波器等通用光電器件，采用吉致常規(guī)優(yōu)化CMP工藝，搭配專用拋光液與標準拋光墊，可快速實現(xiàn)LN/LT晶體表面的精密拋光。工藝穩(wěn)定后，晶體表面粗糙度達到要求且表面無明顯劃痕、麻點等缺陷，完全滿足通用光電器件對光傳輸與結構穩(wěn)定性的基礎要求，且拋光效率優(yōu)異，適配量產(chǎn)需求。

2.原子級超光滑拋光：賦能高端光子芯片領域

對于光子芯片、量子比特器件等對表面質量要求極高的高端應用，吉致電子推出精細化CMP拋光方案：通過研磨液預處理消除前期加工損傷，再搭配高活性定制拋光液，結合長效精準拋光工藝（拋光時間可根據(jù)需求調控至9小時以上），可實現(xiàn)LN/LT晶體原子級的超光滑表面加工。實驗數(shù)據(jù)顯示，經(jīng)該方案處理后，晶體表面粗糙度（Sa）可從預處理后有效降低粗糙度，消除亞表面損傷，為高端器件的高電光調制效率、低傳輸損耗提供核心保障。

3.特殊結構拋光：適配定制化器件需求

針對LN/LT晶體超構表面、調制器電極接觸面等特殊結構的加工需求，吉致電子通過定制拋光液配方與拋光墊類型（如柔性拋光墊、局部精準拋光墊），優(yōu)化拋光壓力與軌跡，實現(xiàn)局部區(qū)域的精準拋光。例如，在超構表面?zhèn)缺趻伖庵?，可將側壁粗糙度降低?nm；針對調制器電極接觸面，可將表面粗糙度穩(wěn)定控制在0.3nm左右，保障器件的結構兼容性與性能穩(wěn)定性。

吉致電子從耗材到工藝的全鏈條保障

不同于單純的耗材供應，吉致電子提供“拋光液+拋光墊+吸附墊+工藝參數(shù)”的全鏈條CMP解決方案：擁有專業(yè)的材料研發(fā)團隊，可根據(jù)客戶的晶體規(guī)格、器件需求定制拋光液與拋光墊；配備先進的表面檢測設備（如原子力顯微鏡、白光干涉儀），實時監(jiān)控拋光效果，確保每一批次產(chǎn)品的一致性；提供全程技術支持，從工藝調試到量產(chǎn)落地，為客戶解決加工過程中的各類技術難題。

未來，吉致電子將持續(xù)深耕LN/LT晶體精密加工領域，以更精準的拋光耗材適配、更高效的CMP工藝方案，助力高端光電產(chǎn)業(yè)的技術升級與量產(chǎn)突破，成為光電核心材料精密加工的可靠伙伴。

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