吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產

吉致電子：什么樣的外延工藝需要CMP？[ 10-28 16:12 ]

外延工藝中CMP的應用邏輯及吉致電子技術實踐——什么樣的外延工藝需要CMP？外延工藝中是否需要CMP（化學機械拋光），取決于外延層的表面平整度要求和后續(xù)工藝兼容性，而非外延工藝本身。簡單來說，當外延生長后，晶圓表面的平整度、缺陷密度或薄膜厚度均勻性無法滿足下一步制造需求時，就需要引入CMP進行處理，而吉致電子在高精度CMP工藝及配套材料領域的技術積累，正為這類需求提供高效解決方案。一、關鍵應用場景：需要CMP的外延工藝以下三類外延工藝對表面質量要求極高，通常需要搭配CMP，而吉致電子的專業(yè)化

碳化硅SiC襯底CMP拋光液拋光墊[ 10-15 14:55 ]

一、碳化硅CMP工藝：精密制造的“表面革命”碳化硅（SiC）以其優(yōu)異的耐高溫、高擊穿場強特性，成為半導體功率器件、新能源汽車電子等高端領域的核心材料。而化學機械拋光（CMP）作為實現(xiàn)碳化硅襯底原子級光滑表面的關鍵工藝，其核心效能直接由拋光液與拋光墊兩大耗材決定。吉致電子深耕CMP材料領域多年，針對碳化硅襯底拋光的4道核心制程，打造了全系列適配的拋光液Slurry與拋光墊Pad產品，實現(xiàn)“高效去除”與“超精表面”的完美平衡。二、碳化硅拋光液：化學

吉致電子非晶鋯拋光液有哪些（鋯基非晶合金CMP工藝）[ 10-13 14:29 ]

非晶鋯（Amorphous Zirconium），也常被稱為鋯基非晶合金或鋯基大塊金屬玻璃（Zr-based Bulk Metallic Glass, Zr-BMG），是一種通過特殊工藝使鋯（Zr）與其他金屬元素（如銅、鎳、鋁、鈦等）形成的無定形晶體結構的金屬材料，核心特征是原子排列不具備傳統(tǒng)晶體材料的長程有序性，呈現(xiàn)“玻璃態(tài)”的微觀結構。由于其“高強度、高耐磨、高耐蝕”的綜合性能，非晶鋯已在多個高要求領域落地應用：醫(yī)療領域口腔修復：非晶鋯的硬度與牙釉質接近，耐口腔酸

覆銅陶瓷基板為什么選擇CMP拋光工藝（AMB/DPC/DBC陶瓷板）[ 09-25 16:58 ]

陶瓷覆銅板（如Al2O3、AlN陶瓷基覆銅板）作為高功率電子器件（如IGBT、LED芯片）的關鍵載體，對表面質量和性能有嚴苛要求：極低表面粗糙度：陶瓷基板與金屬銅層的結合面需平整光滑，否則會導致覆銅時出現(xiàn)氣泡、分層，影響導熱性和電氣可靠性；無損傷表面：陶瓷材料脆性高，傳統(tǒng)機械拋光易產生劃痕、微裂紋，破壞絕緣性能和結構強度；高精度厚度控制：部分高頻、高功率場景下，陶瓷基板厚度公差需控制在±5μm內，直接影響器件封裝密度和散熱效率。這些需求恰好與化學機械拋光（CMP）“化學腐蝕+機械研磨&rd

告別傳統(tǒng)蠟粘，藍寶石襯底CMP吸附墊真香！[ 09-19 13:39 ]

在藍寶石襯底化學機械拋光CMP工藝中，無蠟吸附墊Template是實現(xiàn)襯底穩(wěn)定固定、保障拋光精度與良率的核心輔助部件，TP墊的作用是圍繞“無損傷固定”“精準工藝控制”“高效生產”三大核心目標展開，具體可拆解為以5個關鍵維度：1.藍寶石襯底吸附墊的功能：替代傳統(tǒng)蠟粘，實現(xiàn)“無損傷固定”傳統(tǒng)藍寶石襯底CMP中，常采用熱蠟粘貼方式將襯底固定在陶瓷吸盤上（通過加熱蠟層融化后貼合、冷卻后固化），但存在明顯缺陷：蠟層殘留需額外清洗（

從性能到場景：吉致電子CMP Pad軟質拋光墊與硬質墊的區(qū)別[ 09-17 15:24 ]

在精密拋光領域（如半導體晶圓、光學玻璃、藍寶石襯底等加工），拋光墊CMP PAD的硬度是影響拋光效果的核心參數(shù)之一。CMP化學機械拋光工藝中軟質拋光墊與硬質拋光墊的差異，本質上是“材料形變能力”與“機械作用強度”的對立與適配，其優(yōu)點和差別主要體現(xiàn)在拋光效率、表面質量、適用場景等多個維度，具體可通過以下對比清晰呈現(xiàn)：一、核心定義與材質差異首先需明確二者的本質區(qū)別：硬質拋光墊：通常以高分子聚合物（如聚氨酯、聚酰亞胺）為基材，添加剛性填料（如氧化鈰、氧化鋁、碳化硅微粉），整

無蠟吸附墊成精密拋光新核心？吉致電子賦能蘋果Logo品質突破[ 09-11 14:18 ]

從iPhone、MacBook的不銹鋼Logo，到iWatch的鈦合金部件，再到iPad的鋁合金標識，其鏡面級的視覺與觸感體驗，已成為全球消費者對高端品質的直觀認知。而這一驚艷效果的實現(xiàn)，背后離不開化學機械拋光CMP工藝的核心突破，其中無蠟吸附墊（Template） 更是決定蘋果Logo拋光精度與品質的關鍵技術支撐。一、蘋果Logo的CMP拋光為何必須“去蠟”？傳統(tǒng)工藝的三大致命局限長期以來，消費電子精密部件拋光多依賴蠟粘固定工藝，即將

CMP工藝中油性金剛石與水性金剛石研磨液的差異及應用解析[ 09-10 09:03 ]

CMP工藝中油性與水性金剛石研磨液的差異及應用解析在CMP化學機械工藝中研磨液作為核心耗材，直接影響工件的拋光效率、表面質量及生產成本。其中，油性金剛拋光液與水性金剛石研磨液憑借各自獨特的性能特點，在不同加工場景中發(fā)揮著重要作用。吉致電子小編將從成分、性能及應用場景三方面，深入解析兩者的差異，為行業(yè)應用提供參考。一、核心成分差異研磨液的基礎成分決定了其基本特性，油性與水性金剛石研磨液在分散介質及輔助添加劑上存在顯著區(qū)別：油性金剛拋光液：以油類（如酒精基、礦物油基等）為主要分散介質，配合潤滑劑、防銹劑及金剛石磨粒組成

吉致電子CMP放射狀同心圓開槽紋理拋光墊，賦能精密拋光[ 09-05 16:56 ]

在化學機械拋光（CMP）工藝中，拋光墊作為核心耗材，其紋理設計直接影響拋光效率、表面質量與材料適配性。其中，放射狀同心圓開槽紋理拋光墊憑借獨特的結構優(yōu)勢，成為半導體、光學、金屬及陶瓷等領域精密加工的關鍵支撐，為電子材料制造注入高效、穩(wěn)定的技術動力。一、核心特性：精準破解拋光工藝痛點放射狀同心圓開槽紋理融合了兩種溝槽設計的優(yōu)勢，從拋光液管理、材料去除、碎屑處理到表面均一性控制，全方位優(yōu)化拋光過程，解決傳統(tǒng)拋光墊易出現(xiàn)的局部干涸、排屑不暢、邊緣過度磨損等問題。1. 拋光液均勻分布，保障反應連續(xù)性放射狀溝槽可引導拋光液從

半導體CMP工藝核心：金屬互聯(lián)層與介質層Slurry拋光液的類型劃分[ 08-28 16:59 ]

在半導體芯片制造中，化學機械拋光CMP是關鍵工藝，其中CMP Slurry拋光液就是核心耗材，直接決定芯片平整度、電路可靠性與性能。無論是 導線;（互連層）還是絕緣骨架（介質層），都需靠它實現(xiàn)精準平整。下面吉致電子小編就來拆解下半導體CMP拋光液的中金屬互聯(lián)層及介質層CMP拋光液的類型和應用場景。一、金屬互連層CMP拋光液（后端 BEOL 核心）核心需求是選擇性除金屬、護絕緣 / 阻擋層，主流類型有：銅（Cu）CMP 拋光液14n

CMP拋光墊怎么選？吉致電子聚氨酯拋光墊適配全工序需求[ 08-27 13:56 ]

在化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）工藝中，聚氨酯拋光墊（Polyurethane Polishing Pad）是實現(xiàn)化學作用與機械研磨協(xié)同” 的核心耗材之一，直接決定拋光后的表面平整度（Global Planarity）、表面粗糙度（Surface Roughness）及拋光效率，其應用可從功能定位、關鍵作用、選型邏輯及使用要點四個維度展開：一、核心功能定位：CMP工藝的;機械研磨載體CMP 的本質是通過

國產CMP拋光墊：吉致電子無紡布墊如何比肩Fujibo？[ 08-14 14:46 ]

在化學機械拋光CMP工藝中，拋光墊CMP PAD對精密元件表面處理質量影響重大，高端市場長期被國際巨頭壟斷，國產替代拋光墊/研磨墊的需求強烈。無錫吉致電子憑借多年技術積累，研發(fā)的高性能無紡布及半導體拋光墊系列產品，可實現(xiàn)對Fujibo(富士紡)等進口品牌的替代，在拋光效率、使用壽命和本土定制化服務上優(yōu)勢顯著。無紡布拋光墊的技術特點、應用場景及國產化突破意義，為相關行業(yè)提供高性價比拋光方案。吉致電子無紡布拋光墊，以特殊纖維結構和創(chuàng)新工藝，實現(xiàn)高耐磨性與優(yōu)異拋光性能的結合。相比傳統(tǒng)聚氨酯拋光墊，其三維網(wǎng)絡孔隙能更有效輸

硅晶圓芯片拋光如何選擇無蠟吸附墊？[ 07-04 17:08 ]

半導體制造領域，無蠟吸附墊Template正逐漸成為提升生產效率與加工精度的關鍵要素。相較于傳統(tǒng)蠟模裝夾工藝，無蠟吸附墊展現(xiàn)出諸多優(yōu)勢。如何挑選出契合晶圓、芯片CMP拋光需求的無蠟吸附墊，成為眾多半導體企業(yè)關注的焦點。選擇半導體無蠟吸附墊，吉致電子建議您可從以下幾個方面考慮：考慮晶圓尺寸與類型：不同的半導體加工涉及不同尺寸的晶圓，如8英寸或12英寸等，需選擇與之適配的無蠟吸附墊。同時，根據(jù)晶圓材料類型，如硅片、SiC、藍寶石襯底等，選擇具有相應材料兼容性的吸附墊，確保在加工過程中不會對晶圓造成化學腐蝕等損害。關注吸

化學機械拋光（CMP）如何優(yōu)化陶瓷覆銅板平坦化？[ 05-23 16:32 ]

陶瓷覆銅板（Ceramic Copper-Clad Laminate，簡稱陶瓷基覆銅板或DBC/DPC）是一種高性能電子基板材料，廣泛應用于高功率、高溫、高頻等苛刻環(huán)境下的電子器件中。它由陶瓷基板和覆銅層通過特殊工藝結合而成，兼具陶瓷的優(yōu)異性能和金屬銅的導電特性。陶瓷覆銅板CMP研磨液是一種專用于化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）工藝的特殊液體，用于對陶瓷覆銅板（如DBC、DPC等）表面進行高精度平坦化處理。其核心作用是通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同效應，去除銅層和陶

如何解決二氧化硅拋光液結晶問題？吉致電子CMP拋光專家支招[ 05-08 17:28 ]

在半導體、光學玻璃等精密制造領域，二氧化硅（SiO2）拋光液因其高精度、低損傷的特性被廣泛應用。然而，拋光液在存儲或使用過程中可能出現(xiàn)結晶結塊現(xiàn)象，輕則影響拋光效果，重則導致工件劃傷甚至報廢。如何有效避免和解決這一問題？吉致電子憑借多年CMP拋光液研發(fā)經(jīng)驗，為您提供專業(yè)解決方案！一、結晶原因分析二氧化硅拋光液以高純度硅粉為原料，通過水解法制備，其膠體粒子在水性環(huán)境中形成穩(wěn)定的離子網(wǎng)狀結構。但若水分流失、溫度波動或pH失衡，粒子會迅速聚集形成硬質結晶。主要誘因包括：存儲不當（溫度過高/過低、未密封）拋光液停滯（流動不

半導體銅CMP拋光液：銅互連工藝的核心材料[ 02-25 14:44 ]

半導體銅化學機械拋光液（Copper CMP Slurry）是用于半導體制造過程中銅互連層化學機械拋光（CMP）的關鍵材料。隨著半導體技術的發(fā)展，銅CU因其低電阻率和高抗電遷移性能，取代鋁成為主流互連材料。銅CMP拋光液在銅互連工藝中起到至關重要的作用，確保銅層平整化并實現(xiàn)多層互連結構，CU CMP Slurry通過化學腐蝕與機械研磨的結合，實現(xiàn)銅層的高精度平整化和表面質量控制。。 一、Copper CMP Slurry銅CMP拋光液的組成：主要磨料顆粒（Abrasive Particles）有二氧化硅（

硬盤玻璃的表面拋光主要用什么工藝？[ 02-18 13:25 ]

    硬盤玻璃（也稱為硬盤盤片基板或玻璃基板）是一種用于制造硬盤驅動器（HDD）盤片的特殊玻璃材料。它是硬盤盤片的基礎材料，用于存儲數(shù)據(jù)。硬盤玻璃通常采用特殊的鋁硅酸鹽玻璃或化學強化玻璃，具有硬度高、輕量化、低熱膨脹系數(shù)、高表面光潔度的特點。硬盤玻璃的表面拋光是其制造過程中非常關鍵的一環(huán)，因為硬盤盤片需要極高的表面平整度和光潔度，以確保數(shù)據(jù)存儲和讀寫的精確性。硬盤玻璃的表面拋光主要采用CMP化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing）。 &nb

鈮酸鋰/鉭酸鋰晶體拋光液成分及特點[ 02-08 15:14 ]

鈮酸鋰（LiNbO?）和鉭酸鋰（LiTaO?）襯底的CMP（化學機械拋光）拋光液是一種專門設計用于實現(xiàn)高效材料去除和表面平整化的化學機械混合物。其組成和特性如下：1. 主要成分磨料：常用磨料包括二氧化硅（SiO?）或氧化鋁（Al?O?）納米顆粒。磨料粒徑通常在20-200 nm之間，以實現(xiàn)高效的材料去除和表面光滑。氧化劑：用于氧化襯底表面，使其更容易被磨料去除。常見的氧化劑包括過氧化氫（H?O?）、硝酸（HNO?）或高錳酸鉀（KMnO?）。pH調節(jié)劑：拋光液的pH值通?？刂圃?-11之間，以優(yōu)化化學反應和

影響碳化硅襯底質量的重要工藝參數(shù)有哪些[ 01-31 17:33 ]

碳化硅襯底提高加工速率和良品率的主要因素除了用對拋光液和拋光墊，在CMP拋光研磨過程的工藝參數(shù)也很重要：拋光壓力：適當增加壓力可以提高拋光效率，但過高的壓力可能導致襯底表面產生劃痕、損傷甚至破裂。一般根據(jù)襯底的厚度、硬度以及拋光設備的性能，壓力范圍在幾十千帕到幾百千帕之間。拋光轉速：包括襯底承載臺的轉速和拋光墊的轉速。轉速影響拋光液在襯底和拋光墊之間的流動狀態(tài)以及磨料的磨削作用。較高的轉速可以加快拋光速度，但也可能使拋光液分布不均勻，導致表面質量下降。轉速通常在每分鐘幾十轉到幾百轉之間調整。拋光時間：由襯底需要去除

CMP拋光墊在化學機械平面研磨中的作用和效果[ 01-11 10:25 ]

CMP拋光墊在化學機械平面研磨中的作用和效果通過調整拋光墊的密度和硬度，可以根據(jù)目標值（如鏡面光潔度、精度等）進行優(yōu)化，確保工件表面達到鏡面光潔度，同時與研磨相比，損傷降至最低。在CMP過程中，拋光墊主要發(fā)揮以下作用：1. 均勻施加壓力：由于拋光墊通常由柔性材料制成，并具有一定的彈性，它能夠在壓力施加時均勻變形，確保材料的去除速率在整個晶圓表面上保持一致，避免局部去除過度或不足。2. 散熱：CMP過程中會產生大量熱量，拋光墊通常由具有良好導熱性能的材料制成，例如聚氨酯等，能夠快速傳導熱量，防止局部過熱，從而保護晶圓