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吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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[行業(yè)資訊]吉致電子CMP拋光墊：從粗到精，體驗(yàn)高效拋光[ 2024-11-29 14:35 ]
  CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）拋光墊是一種在半導(dǎo)體制造過(guò)程中用于平面化晶圓表面的關(guān)鍵材料。CMP拋光墊通過(guò)結(jié)合化學(xué)反應(yīng)和機(jī)械研磨的方式，能夠有效地去除晶圓表面的多余材料，從而達(dá)到高度平整的表面質(zhì)量。拋光墊CMP PAD通常由高分子聚合物材料制成，表面具有一定的微孔結(jié)構(gòu)，以便在拋光過(guò)程中儲(chǔ)存和釋放拋光液CMP Slurry，從而確保拋光過(guò)程的均勻性和效率。  CMP拋光墊在使用過(guò)程中需要定期更換，以保持其最佳的拋光性能。不同的CMP拋光墊適用于不同的拋光工藝和材料，因此選擇合適的拋光墊對(duì)于確保晶圓質(zhì)量
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[行業(yè)資訊]杜邦I(lǐng)C1000拋光墊的特點(diǎn)及國(guó)產(chǎn)替代[ 2024-10-23 14:50 ]
  在半導(dǎo)體晶圓及芯片的制造過(guò)程中，CMP是實(shí)現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的關(guān)鍵工藝，而IC1000作為一種高性能的拋光墊，為 CMP工藝的順利進(jìn)行提供了有力保障。  杜邦I(lǐng)C1000系列拋光墊能夠存儲(chǔ)和輸送CMP拋光液至拋光區(qū)域，通過(guò)slurry的流動(dòng)和分布使拋光工作持續(xù)均勻地進(jìn)行。在化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程中，拋光液中的化學(xué)成分與晶圓表面材料產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成較易去除的物質(zhì)，而dupont IC1000 Pad為這一化學(xué)反應(yīng)提供了穩(wěn)定的場(chǎng)所。同時(shí)，IC1000拋光墊能夠去除拋光過(guò)程中產(chǎn)生的副產(chǎn)品，如氧化產(chǎn)物
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[行業(yè)資訊]吉致電子鈮酸鋰LN拋光液的優(yōu)點(diǎn)[ 2024-10-18 16:13 ]
  鈮酸鋰晶體LiNbO3化學(xué)機(jī)械拋光液能夠顯著降低工件表面粗糙度。在CMP化學(xué)機(jī)械加工工藝的優(yōu)化下LN鈮酸鋰工件表面粗糙度得以快速降低，獲得超光滑、無(wú)損傷的表面。表面粗糙度低不僅提高了工件的外觀質(zhì)量，更重要的是符合鈮酸鋰晶片高精度加工的嚴(yán)格需求。在一些對(duì)表面精度要求極高的應(yīng)用領(lǐng)域，如光電子器件制造中，低表面粗糙度可以有效提高光的傳輸效率，減少散射損耗，提升器件的性能和可靠性。例如，在集成光路中，低損耗和高折射率對(duì)比度的光波導(dǎo)是構(gòu)建大規(guī)模光子集成芯片的最基本單元，而超光滑的鈮酸鋰表面能夠?yàn)楣獠▽?dǎo)提供更好的
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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子鈮酸鋰拋光液的重要作用[ 2024-10-03 12:06 ]
吉致電子鈮酸鋰晶體化學(xué)機(jī)械拋光液在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的用途。鈮酸鋰在半導(dǎo)體行業(yè)中是晶圓制備過(guò)程中的關(guān)鍵材料。通過(guò)CMP化學(xué)機(jī)械拋光，能夠有效提高晶圓的表面平整度和光潔度，為后續(xù)的半導(dǎo)體器件制造提供優(yōu)質(zhì)的基礎(chǔ)。例如，在集成電路的生產(chǎn)中，鈮酸鋰晶體化學(xué)機(jī)械拋光液能夠精確地去除工件表面的微小凸起和雜質(zhì)，達(dá)到表面平坦化效果，確保后期芯片制造的性能和可靠性。鈮酸鋰cmp拋光液還能為光學(xué)表面提供高光潔度拋光，因其具有優(yōu)良的電光、聲光、壓電等性能，在光電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。經(jīng)過(guò)CMP拋光液處理后的鈮酸鋰光學(xué)元件，表面粗糙度極低
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[吉致動(dòng)態(tài)]碳化硅襯底需要CMP嗎[ 2024-01-30 17:17 ]
  碳化硅襯底需要CMP嗎？需要碳化硅SIC晶圓生產(chǎn)的最終過(guò)程為化學(xué)機(jī)械研磨平面步驟---簡(jiǎn)稱“CMP”。CMP工藝旨在制備用于外延生長(zhǎng)的襯底表面，同時(shí)使晶圓表面平坦化達(dá)到理想的粗糙度。  化學(xué)機(jī)械拋光步驟一般使用化學(xué)研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸漬氈型研磨片來(lái)實(shí)現(xiàn)的。碳化硅晶圓置于研磨片上，通過(guò)夾具或真空吸附墊將單面固定。被磨拋的晶圓載體暴露于研磨漿的化學(xué)反應(yīng)及物理摩擦中，僅從晶圓表面去除幾微米。  吉致電子研發(fā)用于SIC襯底研磨拋光的CMP研磨液/拋光液，以及研
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[常見(jiàn)問(wèn)題]CMP化學(xué)機(jī)械拋光在半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要作用[ 2023-12-21 11:53 ]
  化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是半導(dǎo)體晶圓制造的關(guān)鍵步驟，這項(xiàng)工藝能有效減少和降低晶圓表面的不平整，達(dá)到半導(dǎo)體加工所需的高精度平面要求。拋光液(slurry)、拋光墊(pad)是CMP技術(shù)的關(guān)鍵耗材，分別占CMP耗材49%和33%的價(jià)值量，CMP耗材品質(zhì)直接影響拋光效果，對(duì)提高晶圓制造質(zhì)量至關(guān)重要。  CMP拋光液/墊技術(shù)壁壘較高，高品質(zhì)的拋光液需要綜合控制磨料硬度、粒徑、形狀、各成分質(zhì)量濃度等要素。拋光墊則更加看重低缺陷率和長(zhǎng)使用壽命。配置多功能,高效率的拋光液是提升CMP效果的重要環(huán)節(jié)。&nbs
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[應(yīng)用案例]吉致電子--CMP不銹鋼表面快速拋光[ 2023-12-18 17:58 ]
不銹鋼獲取高質(zhì)量的鏡面的傳統(tǒng)工藝主要采用的拋光技術(shù):電解拋光、化學(xué)拋光和機(jī)械拋光。隨著對(duì)鏡面不銹鋼表面質(zhì)量要求的不斷提高，同時(shí)為了提高拋光效率，新型不銹鋼拋光工藝----CMP化學(xué)機(jī)械拋光 被廣泛應(yīng)用。吉致電子針對(duì)不銹鋼表面鏡面處理，配制組成的CMP拋光液，通過(guò)化學(xué)溶液提高不銹鋼表面活性，同時(shí)進(jìn)行高速的機(jī)械拋光，用來(lái)消除表面凹凸而獲得更高質(zhì)量的光潔鏡面。CMP化學(xué)機(jī)械拋光對(duì)環(huán)境污染最小，不銹鋼鏡面拋光質(zhì)量最好，快速有效降低原始工件表面粗糙度，經(jīng)過(guò)粗拋和精拋工藝能達(dá)到鏡面效果，無(wú)劃傷、無(wú)凹坑、無(wú)麻點(diǎn)橘皮。根據(jù)金屬的種
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[行業(yè)資訊]CMP在半導(dǎo)體晶圓制程中的作用[ 2023-06-21 14:10 ]
  化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是實(shí)現(xiàn)晶圓全局平坦化的關(guān)鍵工藝，通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同配合作用，利用CMP拋光液、拋光機(jī)和拋光墊等CMP拋光研磨耗材實(shí)現(xiàn)晶圓表面多余材料的去除與納米級(jí)全局平坦化。簡(jiǎn)單來(lái)講，半導(dǎo)體晶圓制程可分為前道和后道 2 個(gè)環(huán)節(jié)。前道指晶圓的加工制造，后道工藝是芯片的封裝測(cè)試。  前道加工領(lǐng)域CMP主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。后道封裝領(lǐng)域CMP 工藝用于先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)的拋光。  晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括 7 個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、擴(kuò)散、離子注
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[應(yīng)用案例]碳化硅SiC拋光工藝[ 2023-04-19 17:08 ]
  根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)工藝不同，CMP拋光液可分為介質(zhì)層化學(xué)機(jī)械拋光液、阻擋層化學(xué)機(jī)械拋光液、銅化學(xué)機(jī)械拋光液、硅化學(xué)機(jī)械拋光液、鎢化學(xué)機(jī)械拋光液、TSV化學(xué)機(jī)械拋光液、淺槽隔離化學(xué)機(jī)械拋光液等。  SIC CMP拋光液是半導(dǎo)體晶圓制造過(guò)程中所需主要材料之一，在碳化硅材料工件打磨過(guò)程中起著關(guān)鍵作用，拋光液的種類、顆粒分散度、粒徑大小、物理化學(xué)性質(zhì)及穩(wěn)定性等均與拋光效果緊密相關(guān)。  近年來(lái)，在人工智能、5G、數(shù)據(jù)中心等技術(shù)不斷發(fā)展背景下，碳化硅襯底應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大、市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，進(jìn)而帶動(dòng)
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[應(yīng)用案例]硬質(zhì)合金拋光液--鏡面拋光鎢鋼刀片[ 2023-04-14 15:01 ]
   硬質(zhì)合金刀片具有硬度高、韌性較好、耐熱、耐腐蝕等一系列優(yōu)良性能，特別是它的高硬度和耐磨性，在1000℃時(shí)仍保持較高的硬度。硬質(zhì)合金鎢鋼工件對(duì)于很多拋光工藝來(lái)說(shuō)屬于比較難加工的一種材質(zhì)。鎢鋼刀片拋光目前可通過(guò)CMP化學(xué)機(jī)械拋光工藝，搭配金屬專用拋光液達(dá)到理想的表面光潔度。  硬質(zhì)合金刀片又叫鎢鋼刀片，原始件表面有銹斑、劃痕和麻點(diǎn)等不良現(xiàn)象，要解決這些問(wèn)題需通過(guò)平面研磨機(jī)配合吉致電子硬質(zhì)合金研磨液、研磨墊、研磨盤(pán)等達(dá)到鏡面效果。  硬質(zhì)合金的CMP機(jī)械化學(xué)鏡面拋光，經(jīng)過(guò)粗拋
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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子常見(jiàn)的CMP研磨液[ 2023-02-27 16:15 ]
  CMP 化學(xué)機(jī)械拋光液slurry的主要成分包括：磨料、添加劑和分散液。添加劑的種類根據(jù)產(chǎn)品適用場(chǎng)景也有所不同，分金屬拋光液和非金屬拋光液。金屬CMP拋光液含：金屬絡(luò)合劑、腐蝕抑制劑等。非金屬CMP拋光液含：各種調(diào)節(jié)去除速率和選擇比的添加劑。  根據(jù)拋光對(duì)象不同，拋光液可分為銅拋光液、鎢拋光液、硅拋光液和鈷拋光液等類別。其中，銅拋光液和鎢拋光液主要用于邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片制造過(guò)程，在10nm 及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)中，鈷將部分代替銅作為導(dǎo)線；硅拋光液主要用于硅晶圓初步加工過(guò)程中。吉致電子常見(jiàn)的CMP研
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[行業(yè)資訊]銅化學(xué)機(jī)械拋光液---什么是TSV技術(shù)？[ 2023-02-24 15:34 ]
銅機(jī)械化學(xué)拋光液---什么是TSV技術(shù)？TSV全稱為：Through -Silicon-Via，中文譯為：硅通孔技術(shù)。它是通過(guò)在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過(guò)銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連，實(shí)現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。TSV也是繼線鍵合（Wire Bonding）、TAB和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術(shù)。TSV的顯著優(yōu)勢(shì)：TSV可以通過(guò)垂直互連減小互聯(lián)長(zhǎng)度，減小信號(hào)延遲，降低電容/電感，實(shí)現(xiàn)芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實(shí)現(xiàn)器件集成的小型化。吉致電子
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[常見(jiàn)問(wèn)題]吉致電子拋光液--CMP拋光工藝在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用[ 2023-02-09 13:14 ]
  CMP化學(xué)機(jī)械拋光應(yīng)用于各種集成電路及半導(dǎo)體行業(yè)等減薄與平坦化拋光，吉致電子拋光液在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用，主要為STI CMP、Oxide CMP、ILD CMP、IMD CMP提供拋光漿料與耗材。  CMP一般包括三道拋光工序，包括CMP拋光液、拋光墊、拋光蠟、陶瓷片等。拋光研磨工序根據(jù)工件參數(shù)要求，需要調(diào)整不同的拋光壓力、拋光液組分、pH值、拋光墊材質(zhì)、結(jié)構(gòu)及硬度等。CMP拋光液和CMP拋光墊是CMP工藝的核心要素，直接影響工件表面的拋光質(zhì)量。  在半導(dǎo)體行業(yè)CMP環(huán)節(jié)之中，也存在
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[應(yīng)用案例]鋁合金拋光液--鋁質(zhì)工件鏡面拋光[ 2022-12-29 10:44 ]
  鋁合金地較軟，硬度低，因此在加工成型過(guò)程中極易產(chǎn)生機(jī)械損傷造成劃痕、磨損等表面缺陷，同時(shí)易發(fā)生腐蝕，表面的化學(xué)穩(wěn)定性差。為了消除加工過(guò)程中的缺陷,通常采用CMP化學(xué)機(jī)械拋光方法，以期獲得良好的表面光潔度。  隨著高新技術(shù)的發(fā)展，吉致電子鋁合金拋光液已經(jīng)有成熟的技術(shù)支持，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)CMP拋磨材料極高精度、近乎無(wú)缺陷的超精密平面化加工。CMP可以真正使鋁合金襯底實(shí)現(xiàn)全局平面化，得到近似完美的表面和極低的表面粗超度，且大大提高了生產(chǎn)率，降低了生產(chǎn)成本。鋁合金工件加工的表面均勻一致性好、近乎無(wú)表面損
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[行業(yè)資訊]SIT Slurry平坦化流程與方法[ 2022-12-15 15:44 ]
淺槽隔離（shallow trench isolation），簡(jiǎn)稱STI。是在襯底上制作的晶體管有源區(qū)之間隔離區(qū)的一種可選工藝，通常用于亞0.25um工藝以下，利用掩模完成選擇性氧化，主要絕緣材料是淀積SiO?，淺槽隔離主要分為三個(gè)部分：槽刻蝕，氧化硅填充，CMP拋光液平坦化。一，槽刻蝕1,隔離氧化硅生成：氧化硅用于保護(hù)有源區(qū)在去掉氮化硅時(shí)免受化學(xué)污染2,氮化硅(Si?N?)淀積：氮化硅是堅(jiān)硬的掩模材料，有助于保護(hù)STI氧化硅淀積過(guò)程中保護(hù)有源區(qū)；在化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)中充當(dāng)阻擋材料3,淺槽刻蝕：用氟基和氯基氣體
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[常見(jiàn)問(wèn)題]SIC碳化硅的化學(xué)機(jī)械拋光工藝[ 2022-12-14 16:20 ]
  碳化硅Sic單晶生長(zhǎng)之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是沒(méi)法直接用于外延的，這就需要加工。其中，滾圓把晶碇做成標(biāo)準(zhǔn)的圓柱體，線切割會(huì)把晶碇切割成晶片，各種表征保證加工的方向，而拋光則是提高晶片的質(zhì)量。  SiC表面的損傷層可以通過(guò)四種方法去除：機(jī)械拋光：簡(jiǎn)單但會(huì)殘留劃痕，適用于初拋；化學(xué)機(jī)械拋光：（Chemical Mechanical Polishing，CMP），引入化學(xué)腐蝕去除劃痕，適用于精拋；氫氣刻蝕：設(shè)備復(fù)雜，常用于HTCVD過(guò)程；等離子輔助拋光：設(shè)備復(fù)雜，不常用。選擇CMP
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[行業(yè)資訊]吉致電子藍(lán)寶石研磨液CMP減薄工藝[ 2022-11-30 17:01 ]
  藍(lán)寶石研磨液/拋光液，是通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ） 用于藍(lán)寶石襯底、窗口片的研磨和減薄，達(dá)到減薄尺寸、表面平坦化效果。  吉致電子藍(lán)寶石研磨液由優(yōu)質(zhì)聚晶金剛石微粉、復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成。藍(lán)寶石研磨液利用聚晶金剛石的特性，在研磨拋光過(guò)程中保持高切削效率的同時(shí)不易對(duì)工件產(chǎn)生劃傷。  吉致電子藍(lán)寶石研磨液、CMP拋光液可以應(yīng)用在藍(lán)寶石襯底的研磨和減薄、光學(xué)晶體、硬質(zhì)玻璃和晶體、超硬陶瓷和合金、磁頭、硬盤(pán)、芯片等領(lǐng)域的研
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[應(yīng)用案例]玉石拋光液---玉石表盤(pán)的CMP拋光工藝[ 2022-11-15 14:12 ]
  一款玉石制成的腕表，優(yōu)雅大氣，彰顯如玉的君子氣質(zhì)。和田玉表盤(pán)的去粗及拋磨拋亮，是可以通過(guò)CMP化學(xué)機(jī)械拋光工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)。  玉石表面亮度還受兩個(gè)因素的影響：一是玉料的材質(zhì)，二是玉料的結(jié)構(gòu)，雖然大多數(shù)玉料都是晶體結(jié)構(gòu)，但晶體的粒度和分布狀況不同，呈纖維狀的玉料易于拋光，呈粒狀纖維的玉料不容易拋光。  通過(guò)吉致電子玉石拋光液與拋光墊的組合拋磨，去除毛坯料表面凹凸不平劃痕，還原玉石本真的光澤，拋光后表盤(pán)工件看起來(lái)綿密細(xì)膩、油脂感足。通過(guò)CMP拋光玉石的優(yōu)點(diǎn)是可以快速減薄尺寸，拋光效率快、亮
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[應(yīng)用案例]吉致電子金屬拋光液---Apple Logo鏡面拋光液[ 2022-11-11 17:21 ]
Apple Logo非常有質(zhì)感，其閃閃發(fā)光的鏡面效果展現(xiàn)出蘋(píng)果品牌的魅力與審美。一個(gè)完美蘋(píng)果LOGO的誕生需要經(jīng)過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光工藝的拋磨，CMP工藝拋出的光潔度更高，效率更穩(wěn)定，保證良品率的同時(shí)也為品牌塑造更好的形象。Apple Logo采用的是6063鋁合金材質(zhì)/不銹鋼材質(zhì)，進(jìn)行CNC切割成LOGO形狀，然后通過(guò)平面拋光機(jī)進(jìn)行拋光，采用復(fù)合型粗拋墊和CMP拋光液進(jìn)行粗拋平整化，最后通過(guò)采用阻尼布精拋墊加精拋液拋磨，達(dá)到完美的鏡面效果。吉致電子為蘋(píng)果LOGO定制的金屬拋光液，工藝為粗磨，中磨，精拋。拋光速率快，光潔
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[行業(yè)資訊]碳化硅襯底CMP拋磨工藝流程[ 2022-10-26 14:32 ]
碳化硅襯底CMP化學(xué)機(jī)械拋光工藝需要用到吉致電子CMP拋光液和拋光墊，拋磨工藝一般分為3道流程：雙面拋磨、粗拋、精拋。下面來(lái)看看吉致電子小編碳化硅晶圓拋光工藝介紹和拋光產(chǎn)品推薦吧。碳化硅襯底雙面研磨：一般使用雙面鑄鐵盤(pán)配合吉致電子金剛石研磨液或者碳化硅晶圓研磨液進(jìn)行加工；主要目的是去除線切損傷層以及改善晶片的平坦度。碳化硅襯底粗拋工藝：針對(duì)碳化硅襯底加工采用專門(mén)的碳化硅晶圓拋光液配合粗拋墊。既可以達(dá)到傳統(tǒng)工藝中較高的的拋光速率（與精磨基本相當(dāng)）又可以達(dá)到傳統(tǒng)工藝中粗拋后的表面光潔度。碳化硅襯底精拋工藝：SIC晶圓精
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