吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

CMP拋光液廠家：半導(dǎo)體拋光液解決方案--吉致電子科技

無錫吉致電子科技有限公司作為國內(nèi)CMP拋光耗材專業(yè)制造商，多年研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗，致力于為半導(dǎo)體、集成電路、3D封裝等領(lǐng)域提供高性能化學(xué)機械拋光解決方案。CMP Slurry系列涵蓋射頻濾波器拋光液、鎢拋光液、銅拋光液、淺槽隔離(STI)拋光液以及TSV硅通孔專用拋光液等，廣泛應(yīng)用于邏輯芯片、3D NAND、DRAM等先進制程的量產(chǎn)環(huán)節(jié)。一、吉致電子半導(dǎo)體拋光液產(chǎn)品特點CMP拋光液產(chǎn)品具備以下優(yōu)勢：卓越的懸浮穩(wěn)定性：顆粒分散均勻，不易沉淀和團聚，使用方便，有效避免因顆粒團聚導(dǎo)致的工件表面劃傷缺陷?；瘜W(xué)-機械協(xié)同作用：通過

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CMP拋光液斷供危機？吉致電子國產(chǎn)替代方案降本30%+

在半導(dǎo)體制造過程中，CMP化學(xué)機械平坦化拋光液（Slurry）是晶圓表面平坦化的關(guān)鍵材料，直接影響芯片的性能和良率。長期以來，這一市場被海外巨頭壟斷，主要供應(yīng)商如Cabot、杜邦、富士美等。一旦斷供可能導(dǎo)致生產(chǎn)線停滯，嚴重影響芯片交付。面對這一挑戰(zhàn)，吉致電子作為國內(nèi)高端電子材料供應(yīng)商，已實現(xiàn)中高端CMP拋光液的自主研發(fā)與量產(chǎn)，為國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控提供堅實保障。國產(chǎn)CMP拋光液的六大核心優(yōu)勢1. 顯著成本優(yōu)勢，降低企業(yè)采購壓力價格競爭力強：吉致電子CMP拋光液比進口產(chǎn)品低20%-30%，大幅降低半導(dǎo)體廠商的材

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多晶金剛石和單晶金剛石拋光液哪個好？

金剛石拋光液的性能差異根源在于其磨料顆粒的微觀結(jié)構(gòu)。多晶金剛石（又稱聚晶金剛石）由納米級金剛石微晶聚合而成，形成具有多棱面結(jié)構(gòu)的顆粒；而單晶金剛石則是完整的單晶體結(jié)構(gòu)，具有規(guī)則的幾何外形和一致的晶體取向。這種結(jié)構(gòu)差異直接導(dǎo)致了兩類拋光液在硬度、形貌和耐磨性方面的不同表現(xiàn)。一、單晶金剛石VS多晶金剛石的顆粒形貌與切削機理：單晶金剛石磨粒棱角尖銳，初期切削速率高，但磨損后效率下降明顯，4小時拋光去除率波動±15%。多晶金剛石顆粒因微晶隨機取向，持續(xù)暴露新切削面，自銳性強，去除率波動僅 ±5%

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硫化鋅(ZnS)光學(xué)窗口片的化學(xué)機械拋光CMP工藝

硫化鋅(ZnS)光學(xué)窗口片是一種重要的紅外光學(xué)材料，廣泛應(yīng)用于熱成像、導(dǎo)彈整流罩、激光窗口等領(lǐng)域。為確保ZnS光學(xué)窗口片具備超高表面平整度、優(yōu)異紅外透過率和低缺陷率，化學(xué)機械拋光（CMP）成為其精密加工的核心工藝。吉致電子憑借先進的CMP技術(shù)，為硫化鋅光學(xué)元件提供高精度拋光解決方案，滿足軍工、光電、半導(dǎo)體等行業(yè)的高標準需求。一、硫化鋅CMP拋光的關(guān)鍵挑戰(zhàn)硫化鋅材料的特性:①硬度適中但脆性高(莫氏硬度3-4)，易產(chǎn)生劃痕或亞表面損傷。②化學(xué)活性較高，需避免

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碲鋅鎘CZT單晶襯底拋光液CMP Slurry

碲鋅鎘（CdZnTe，CZT）晶體屬于典型的軟脆晶體，其力學(xué)特性介于軟質(zhì)和脆性材料之間。軟脆晶體的定義與特征：軟質(zhì)材料：硬度較低（莫氏硬度約2.0–2.5，接近石膏或滑石），易劃傷或塑性變形。脆性材料：斷裂韌性低，易產(chǎn)生裂紋或解理斷裂（類似玻璃或硅）。CZT同時具備這兩種特性，屬于軟而脆的半導(dǎo)體晶體。CdZnTe單晶襯底加工困難：切割、拋光過程中易產(chǎn)生裂紋、邊緣崩缺或表面損傷。吉致電子的碲鋅鎘（CdZnTe）單晶襯底拋光液針對CZT材料軟脆、易損傷及表面高要求的特點，采用低損傷納米磨料技術(shù)（如超細膠體S

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Apple Logo鏡面拋光秘訣:吉致電子金屬CMP拋光液解決方案

在高端消費電子領(lǐng)域，3C產(chǎn)品的每一個細節(jié)都至關(guān)重要。無論是iPhone的背面Logo，還是MacBook的金屬標志，鏡面級的拋光效果不僅提升了產(chǎn)品的質(zhì)感，更代表了品牌對極致的追求。吉致電子金屬Logo拋光液專為鈦合金、鋁合金、不銹鋼等材質(zhì)的標志拋光而研發(fā)，通過化學(xué)機械拋光（CMP）工藝，幫助客戶實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的鏡面效果，尤其適用于Apple產(chǎn)品標志的高標準要求。為什么選擇吉致電子Logo拋光液？1. 納米級拋光，鏡面效果卓越采用納米級磨料，確保拋光均勻性，避免劃痕、麻點等問題。適用于粗磨、細磨、拋光全流程，顯著提升

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吉致電子半導(dǎo)體晶圓無蠟吸附墊CMP專用

半導(dǎo)體晶圓化學(xué)機械拋光（CMP）工藝中，化學(xué)抗性無蠟吸附墊作為關(guān)鍵耗材，其核心作用在于解決傳統(tǒng)吸附材料的局限性，同時滿足先進制程對潔凈度、穩(wěn)定性和工藝兼容性的嚴苛要求。吉致電子半導(dǎo)體CMP專用無蠟吸附墊產(chǎn)品，解決了傳統(tǒng)吸附墊在嚴苛化學(xué)環(huán)境下性能不足、適配性差的問題，還為碳化硅晶圓等精密元件的高效、高質(zhì)量拋光提供了可靠的解決方案。材料抗性設(shè)計：采用高分子復(fù)合材料體系，通過交聯(lián)密度調(diào)控和納米填料改性，實現(xiàn)對KMnO4等強氧化性漿料的化學(xué)惰性。實驗數(shù)據(jù)表明，在80℃/10%KMnO4溶液中浸泡240小時后，吸附墊的拉伸強

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光儲行業(yè)玻璃硬盤CMP拋光解決方案

一、玻璃硬盤CMP拋光液的技術(shù)原理CMP拋光是一種結(jié)合化學(xué)腐蝕和機械研磨的精密表面處理技術(shù)。對于玻璃硬盤基板而言，CMP拋光過程涉及復(fù)雜的物理化學(xué)相互作用：化學(xué)作用：拋光液中的化學(xué)組分與玻璃表面發(fā)生反應(yīng)，生成易于去除的軟化層或反應(yīng)產(chǎn)物。對于硅酸鹽玻璃，通常涉及Si-O鍵的水解和離子交換反應(yīng)。機械作用：拋光墊和研磨顆粒通過機械摩擦去除表面反應(yīng)層，同時暴露出新鮮表面繼續(xù)參與化學(xué)反應(yīng)。協(xié)同效應(yīng)：理想的拋光過程要求化學(xué)腐蝕速率與機械去除速率達到動態(tài)平衡，以獲得超光滑無損傷的表面。二、玻璃硬盤對CMP拋光液的性能要求為滿足高

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陶瓷基板無蠟吸附墊的優(yōu)點與選型指南

在陶瓷基板（Al2O3、AlN、SiC等）的化學(xué)機械拋光CMP工藝中，無蠟吸附墊憑借其高精度、無污染的特性，成為替代傳統(tǒng)蠟粘附工藝的理想選擇。吉致電子為您解析Template這一關(guān)鍵耗材的技術(shù)優(yōu)勢及選型要點。一、為什么選擇無蠟吸附墊？1. 杜絕污染，提升良率傳統(tǒng)蠟粘附會殘留有機物，導(dǎo)致陶瓷基板后續(xù)工藝（如金屬化）失效。無蠟吸附墊通過真空吸附或微紋理固定，避免污染，特別適合高頻/高功率電子器件等嚴苛應(yīng)用場景。2. 均勻拋光，降低缺陷聚氨酯（PU）材質(zhì)的彈性層可自適應(yīng)基板形貌，配合多孔結(jié)構(gòu)設(shè)計，確保壓力分布均勻，減少劃

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襯底與晶圓在半導(dǎo)體制造中的作用及CMP技術(shù)解析

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，襯底和晶圓是兩個密切相關(guān)但又各具功能的核心概念。襯底作為基礎(chǔ)層材料，為整個芯片制造過程提供物理支撐；而晶圓則是從襯底材料中切割出來的圓形硅片，是半導(dǎo)體芯片制造的直接載體。襯底通常是硅或其他半導(dǎo)體材料的薄片，具有優(yōu)異的機械性能和熱穩(wěn)定性。晶圓作為襯底的一部分，經(jīng)過精密加工后具有特定的晶體取向和表面特性，能夠滿足后續(xù)復(fù)雜的半導(dǎo)體工藝要求。襯底的核心功能與應(yīng)用承載功能：襯底為半導(dǎo)體芯片提供穩(wěn)定的機械支撐平臺，確保在整個制造過程中保持結(jié)構(gòu)完整性。優(yōu)質(zhì)的襯底能夠承受高溫、化學(xué)腐蝕等嚴苛工藝條件而不變形或降解

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吉致電子化學(xué)抗性無蠟吸附墊：半導(dǎo)體晶圓拋光專屬解決方案

在精密半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，拋光工藝的潔凈度與穩(wěn)定性直接決定晶圓品質(zhì)。吉致電子憑借對材料科學(xué)與工藝參數(shù)的深度理解，推出化學(xué)抗性無蠟吸附墊，以獨家定制化設(shè)計打破傳統(tǒng)模板局限，為碳化硅SiC晶圓及高錳酸鉀（KMnO4）基漿料等嚴苛環(huán)境提供高耐久、超潔凈的拋光背附解決方案。一，精準匹配：從工藝需求到定制化設(shè)計每一款拋光背附板的性能都需與客戶的生產(chǎn)場景深度契合?；瘜W(xué)抗性吸附墊的設(shè)計流程始于全面調(diào)研——從工件特性、漿料化學(xué)性質(zhì)（pH值、腐蝕性）到設(shè)備參數(shù)（壓力、溫度），吉致電子通過定制化圖紙，精準適配材料厚

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吉致電子：25 年CMP技術(shù)，鑄就高端手機鏡面質(zhì)感

當高端手機的金屬邊框以鏡面之姿映出光影流轉(zhuǎn)，指尖劃過的絲滑觸感背后是3C行業(yè)精密制造的科技結(jié)晶。吉致電子深耕CMP化學(xué)機械拋光技術(shù)25年，作為3C行業(yè)拋光液及耗材的核心供應(yīng)商與技術(shù)支持廠家，為華為、蘋果等品牌定制不銹鋼、鈦合金、鋁合金邊框鏡面拋光解決方案，解密手機「完美鏡面」的誕生密碼。一、手機邊框鏡面拋光的三大核心挑戰(zhàn)與吉致電子方案手機金屬邊框的拋光工藝堪稱精密制造的 “極限挑戰(zhàn)”，吉致電子針對核心難點給出定制化解決方案：①材質(zhì)差異大：不銹鋼硬度高、鈦合金易氧化、鋁合金怕腐蝕，傳統(tǒng)拋光液難

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吉致電子碳化硅CMP研磨液：助力SiC半導(dǎo)體制造升級

吉致電子碳化硅CMP研磨液采用多組分協(xié)同作用的設(shè)計理念，結(jié)合氧化鋁磨料的高效機械作用與高錳酸鉀的精密化學(xué)氧化，實現(xiàn)了材料去除率與表面質(zhì)量的完美平衡。產(chǎn)品經(jīng)過嚴格的質(zhì)量控制和實際產(chǎn)線驗證，具有以下核心優(yōu)勢：1. 高效化學(xué)-機械協(xié)同拋光機制吉致電子CMP研磨液的獨特之處在于其雙重作用機制：高錳酸鉀(KMnO4)作為強氧化劑，在拋光過程中將碳化硅表面氧化生成較軟的SiO2層，這一氧化層硬度顯著低于碳化硅基底，隨后被氧化鋁磨料高效機械去除。通過調(diào)節(jié)pH值(通?？刂圃?0-11之間)，實現(xiàn)了氧化速率與機械去除的最佳匹配，既保

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吉致電子：以創(chuàng)新CMP拋光液技術(shù)賦能碳化硅襯底新時代

隨著第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，碳化硅(SiC)襯底憑借其卓越性能，正在新能源汽車、5G通信、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域掀起技術(shù)革命。作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體材料解決方案提供商，吉致電子深耕碳化硅襯底CMP拋光液研發(fā)，為行業(yè)提供高性能、高穩(wěn)定性的拋光解決方案。碳化硅襯底：高端應(yīng)用行業(yè)的基石碳化硅襯底因其寬禁帶、高導(dǎo)熱等特性，成為制造高壓、高溫、高頻器件的理想選擇。在新能源汽車領(lǐng)域，采用SiC襯底的功率模塊可使逆變器效率提升5-10%；在5G基站中，基于SiC襯底的射頻器件能顯著提升信號傳輸效率。這些高端應(yīng)用對襯底表面質(zhì)量提出嚴苛要

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吉致電子無蠟吸附墊革新晶圓制造工藝：零殘留·高平坦·更穩(wěn)定

在半導(dǎo)體晶圓拋光領(lǐng)域傳統(tǒng)蠟?zāi)Ｑb夾工藝存在效率低、良率受限等痛點，而半導(dǎo)體真空吸附墊Template技術(shù)的創(chuàng)新和使用正在推動行業(yè)變革。吉致電子通過定制化半導(dǎo)體晶圓拋光的CMP（化學(xué)機械平坦化）無蠟吸附墊、真空吸附板設(shè)計，可為半導(dǎo)體領(lǐng)域客戶提升生產(chǎn)效率。吉致電子真空吸附墊/CMP拋光模版通過「無蠟革命」，為硅片、晶圓、SiC、藍寶石襯底、光學(xué)玻璃等材料提供高精度拋光解決方案。傳統(tǒng)蠟粘工藝的核心痛點效率瓶頸蠟?zāi)Ｐ杓訜?冷卻固化，單次裝夾耗時30分鐘以上，影響產(chǎn)能。殘留蠟清洗工序復(fù)雜，增加非生產(chǎn)

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化學(xué)機械CMPAl2O3氧化鋁精拋液

吉致電子氧化鋁精拋液（CMP Slurry）采用高純度分級氧化鋁微粉為原料，經(jīng)特殊表面改性工藝處理，通過科學(xué)配方精密配制而成。具有以下顯著優(yōu)勢：適用于化學(xué)機械平面研磨工藝CMP場景---鋁合金、不銹鋼、鎢鋼、鑄鐵件等金屬材質(zhì);以及藍寶石、碳化硅襯底、光學(xué)玻璃、精密陶瓷基板等半導(dǎo)體襯底材料的精密拋光加工。氧化鋁精拋液性能優(yōu)勢突出：獨特的抗結(jié)晶配方，確保拋光過程穩(wěn)定對拋光設(shè)備無腐蝕，維護簡便殘留物易清洗，提高生產(chǎn)效率氧化鋁精拋液效果卓越：創(chuàng)新的化學(xué)機械協(xié)同作用機制，顯著提升拋光效率優(yōu)化的表面處理工藝，確保拋光面質(zhì)量達到

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從襯底到外延片：半導(dǎo)體材料的層級關(guān)系與作用

半導(dǎo)體襯底（Substrate）和外延片（Epitaxial Wafer）是半導(dǎo)體制造中的兩種關(guān)鍵材料，它們的區(qū)別主要體現(xiàn)在定義、結(jié)構(gòu)、用途和制備工藝上：1. 定義與作用襯底（Substrate）是半導(dǎo)體器件的“基礎(chǔ)載體”，通常為單晶圓片（如硅、碳化硅、藍寶石等），提供機械支撐和晶體結(jié)構(gòu)模板。功能：確保后續(xù)外延生長或器件加工的晶體結(jié)構(gòu)一致性。外延片（Epitaxial Wafer）是在襯底表面通過外延生長技術(shù)（如氣相外延、分子束外延）沉積的一層單晶薄膜。功能：優(yōu)化電學(xué)性能（如純度、摻雜濃度）

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CMP阻尼布拋光墊：多材料精密拋光的解決方案

阻尼布拋光墊/精拋墊是CMP工藝中材料納米級精度的關(guān)鍵保障：在半導(dǎo)體化學(xué)機械拋光（CMP）工藝的最后精拋階段，阻尼布拋光墊（CMP精拋墊）扮演著決定晶圓最終表面質(zhì)量的關(guān)鍵角色。這種特殊絲絨狀材料的CMP拋光墊，質(zhì)地細膩、柔軟，表面多孔呈彈性，使用周期長。阻尼布拋光墊可對碳化硅襯底、精密陶瓷、砷化鎵、磷化銦、玻璃硬盤、光學(xué)玻璃、金屬制品、藍寶石襯底等材質(zhì)或工件進行精密終道拋光，在去除納米級材料的同時，實現(xiàn)原子級表面平整度，是先進制程芯片制造不可或缺的核心耗材。精拋階段的特殊挑戰(zhàn)與需求與粗拋或中拋階段不同，精拋工藝面臨

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吉致電子：鎢CMP拋光液組成與應(yīng)用解析

鎢CMP拋光液：半導(dǎo)體關(guān)鍵制程材料的技術(shù)解析——吉致電子高精度平坦化解決方案1. 產(chǎn)品定義與技術(shù)背景鎢化學(xué)機械拋光液（Tungsten CMP Slurry）是用于半導(dǎo)體先進制程中鎢互連層全局平坦化的專用功能性材料，通過化學(xué)腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用，實現(xiàn)納米級表面精度（Ra＜0.5nm），滿足高密度集成電路（IC）對互連結(jié)構(gòu)的苛刻要求。2. 核心組分與作用機理3. 關(guān)鍵性能指標去除速率：200-600 nm/min（可調(diào)，適配不同工藝節(jié)點）非均勻性（WIWNU）：＜3% @300mm晶圓選擇

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先進半導(dǎo)體制造中的CMP Slurry：銅/鎢/碳化硅拋光液技術(shù)與國產(chǎn)化進展

化學(xué)機械平坦化（CMP）工藝是半導(dǎo)體制造中的核心技術(shù)，其通過化學(xué)與機械協(xié)同作用實現(xiàn)納米級表面精度，對集成電路性能至關(guān)重要。以下從技術(shù)、市場及國產(chǎn)化角度進行專業(yè)分析：一、CMP工藝核心要素拋光液（Slurry）化學(xué)組分：氧化劑（如H2O2用于Cu CMP）、磨料（納米SiO2/Al2O3）、pH調(diào)節(jié)劑及緩蝕劑，需針對材料特性（如Cu/W/SiC）定制配方。關(guān)鍵參數(shù)：材料去除率（MRR）、選擇比（Selectivity）、表面粗糙度（Ra＜0.5nm）及缺陷控制（如劃痕≤30nm）。吉致電子優(yōu)勢：25年技術(shù)積累可

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