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吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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福吉電子采用精密技術(shù)，提供超高質(zhì)量產(chǎn)品
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[常見問題]半導(dǎo)體CMP工藝核心：金屬互聯(lián)層與介質(zhì)層Slurry拋光液的類型劃分[ 2025-08-28 16:59 ]
在半導(dǎo)體芯片制造中，化學(xué)機(jī)械拋光CMP是關(guān)鍵工藝，其中CMP Slurry拋光液就是核心耗材，直接決定芯片平整度、電路可靠性與性能。無論是 導(dǎo)線;（互連層）還是絕緣骨架（介質(zhì)層），都需靠它實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)平整。下面吉致電子小編就來拆解下半導(dǎo)體CMP拋光液的中金屬互聯(lián)層及介質(zhì)層CMP拋光液的類型和應(yīng)用場景。一、金屬互連層CMP拋光液（后端 BEOL 核心）核心需求是選擇性除金屬、護(hù)絕緣 / 阻擋層，主流類型有：銅（Cu）CMP 拋光液14n
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[常見問題]CMP拋光墊怎么選？吉致電子聚氨酯拋光墊適配全工序需求[ 2025-08-27 13:56 ]
在化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）工藝中，聚氨酯拋光墊（Polyurethane Polishing Pad）是實(shí)現(xiàn)化學(xué)作用與機(jī)械研磨協(xié)同” 的核心耗材之一，直接決定拋光后的表面平整度（Global Planarity）、表面粗糙度（Surface Roughness）及拋光效率，其應(yīng)用可從功能定位、關(guān)鍵作用、選型邏輯及使用要點(diǎn)四個維度展開：一、核心功能定位：CMP工藝的;機(jī)械研磨載體CMP 的本質(zhì)是通過
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[常見問題]國產(chǎn)CMP拋光墊：吉致電子無紡布墊如何比肩Fujibo？[ 2025-08-14 14:46 ]
在化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝中，拋光墊CMP PAD對精密元件表面處理質(zhì)量影響重大，高端市場長期被國際巨頭壟斷，國產(chǎn)替代拋光墊/研磨墊的需求強(qiáng)烈。無錫吉致電子憑借多年技術(shù)積累，研發(fā)的高性能無紡布及半導(dǎo)體拋光墊系列產(chǎn)品，可實(shí)現(xiàn)對Fujibo(富士紡)等進(jìn)口品牌的替代，在拋光效率、使用壽命和本土定制化服務(wù)上優(yōu)勢顯著。無紡布拋光墊的技術(shù)特點(diǎn)、應(yīng)用場景及國產(chǎn)化突破意義，為相關(guān)行業(yè)提供高性價比拋光方案。吉致電子無紡布拋光墊，以特殊纖維結(jié)構(gòu)和創(chuàng)新工藝，實(shí)現(xiàn)高耐磨性與優(yōu)異拋光性能的結(jié)合。相比傳統(tǒng)聚氨酯拋光墊，其三維網(wǎng)絡(luò)孔隙能更有效輸
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[行業(yè)資訊]CMP拋光液廠家：半導(dǎo)體拋光液解決方案--吉致電子科技[ 2025-08-12 11:38 ]
無錫吉致電子科技有限公司作為國內(nèi)CMP拋光耗材專業(yè)制造商，多年研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，致力于為半導(dǎo)體、集成電路、3D封裝等領(lǐng)域提供高性能化學(xué)機(jī)械拋光解決方案。CMP Slurry系列涵蓋射頻濾波器拋光液、鎢拋光液、銅拋光液、淺槽隔離(STI)拋光液以及TSV硅通孔專用拋光液等，廣泛應(yīng)用于邏輯芯片、3D NAND、DRAM等先進(jìn)制程的量產(chǎn)環(huán)節(jié)。一、吉致電子半導(dǎo)體拋光液產(chǎn)品特點(diǎn)CMP拋光液產(chǎn)品具備以下優(yōu)勢：卓越的懸浮穩(wěn)定性：顆粒分散均勻，不易沉淀和團(tuán)聚，使用方便，有效避免因顆粒團(tuán)聚導(dǎo)致的工件表面劃傷缺陷?；瘜W(xué)-機(jī)械協(xié)同作用：通過
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[行業(yè)資訊]CMP拋光液斷供危機(jī)？吉致電子國產(chǎn)替代方案降本30%+[ 2025-08-08 15:56 ]
在半導(dǎo)體制造過程中，CMP化學(xué)機(jī)械平坦化拋光液（Slurry）是晶圓表面平坦化的關(guān)鍵材料，直接影響芯片的性能和良率。長期以來，這一市場被海外巨頭壟斷，主要供應(yīng)商如Cabot、杜邦、富士美等。一旦斷供可能導(dǎo)致生產(chǎn)線停滯，嚴(yán)重影響芯片交付。面對這一挑戰(zhàn)，吉致電子作為國內(nèi)高端電子材料供應(yīng)商，已實(shí)現(xiàn)中高端CMP拋光液的自主研發(fā)與量產(chǎn)，為國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控提供堅(jiān)實(shí)保障。國產(chǎn)CMP拋光液的六大核心優(yōu)勢1. 顯著成本優(yōu)勢，降低企業(yè)采購壓力價格競爭力強(qiáng)：吉致電子CMP拋光液比進(jìn)口產(chǎn)品低20%-30%，大幅降低半導(dǎo)體廠商的材
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[行業(yè)資訊]硫化鋅(ZnS)光學(xué)窗口片的化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝[ 2025-08-01 14:11 ]
硫化鋅(ZnS)光學(xué)窗口片是一種重要的紅外光學(xué)材料，廣泛應(yīng)用于熱成像、導(dǎo)彈整流罩、激光窗口等領(lǐng)域。為確保ZnS光學(xué)窗口片具備超高表面平整度、優(yōu)異紅外透過率和低缺陷率，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）成為其精密加工的核心工藝。吉致電子憑借先進(jìn)的CMP技術(shù)，為硫化鋅光學(xué)元件提供高精度拋光解決方案，滿足軍工、光電、半導(dǎo)體等行業(yè)的高標(biāo)準(zhǔn)需求。一、硫化鋅CMP拋光的關(guān)鍵挑戰(zhàn)硫化鋅材料的特性:①硬度適中但脆性高(莫氏硬度3-4)，易產(chǎn)生劃痕或亞表面損傷。②化學(xué)活性較高，需避免
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[行業(yè)資訊]Apple Logo鏡面拋光秘訣:吉致電子金屬CMP拋光液解決方案[ 2025-07-25 15:25 ]
在高端消費(fèi)電子領(lǐng)域，3C產(chǎn)品的每一個細(xì)節(jié)都至關(guān)重要。無論是iPhone的背面Logo，還是MacBook的金屬標(biāo)志，鏡面級的拋光效果不僅提升了產(chǎn)品的質(zhì)感，更代表了品牌對極致的追求。吉致電子金屬Logo拋光液專為鈦合金、鋁合金、不銹鋼等材質(zhì)的標(biāo)志拋光而研發(fā)，通過化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝，幫助客戶實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的鏡面效果，尤其適用于Apple產(chǎn)品標(biāo)志的高標(biāo)準(zhǔn)要求。為什么選擇吉致電子Logo拋光液？1. 納米級拋光，鏡面效果卓越采用納米級磨料，確保拋光均勻性，避免劃痕、麻點(diǎn)等問題。適用于粗磨、細(xì)磨、拋光全流程，顯著提升
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[行業(yè)資訊]光儲行業(yè)玻璃硬盤CMP拋光解決方案[ 2025-07-22 16:50 ]
一、玻璃硬盤CMP拋光液的技術(shù)原理CMP拋光是一種結(jié)合化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨的精密表面處理技術(shù)。對于玻璃硬盤基板而言，CMP拋光過程涉及復(fù)雜的物理化學(xué)相互作用：化學(xué)作用：拋光液中的化學(xué)組分與玻璃表面發(fā)生反應(yīng)，生成易于去除的軟化層或反應(yīng)產(chǎn)物。對于硅酸鹽玻璃，通常涉及Si-O鍵的水解和離子交換反應(yīng)。機(jī)械作用：拋光墊和研磨顆粒通過機(jī)械摩擦去除表面反應(yīng)層，同時暴露出新鮮表面繼續(xù)參與化學(xué)反應(yīng)。協(xié)同效應(yīng)：理想的拋光過程要求化學(xué)腐蝕速率與機(jī)械去除速率達(dá)到動態(tài)平衡，以獲得超光滑無損傷的表面。二、玻璃硬盤對CMP拋光液的性能要求為滿足高
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[常見問題]硅晶圓芯片拋光如何選擇無蠟吸附墊？[ 2025-07-04 17:08 ]
半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，無蠟吸附墊Template正逐漸成為提升生產(chǎn)效率與加工精度的關(guān)鍵要素。相較于傳統(tǒng)蠟?zāi)Ｑb夾工藝，無蠟吸附墊展現(xiàn)出諸多優(yōu)勢。如何挑選出契合晶圓、芯片CMP拋光需求的無蠟吸附墊，成為眾多半導(dǎo)體企業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。選擇半導(dǎo)體無蠟吸附墊，吉致電子建議您可從以下幾個方面考慮：考慮晶圓尺寸與類型：不同的半導(dǎo)體加工涉及不同尺寸的晶圓，如8英寸或12英寸等，需選擇與之適配的無蠟吸附墊。同時，根據(jù)晶圓材料類型，如硅片、SiC、藍(lán)寶石襯底等，選擇具有相應(yīng)材料兼容性的吸附墊，確保在加工過程中不會對晶圓造成化學(xué)腐蝕等損害。關(guān)注吸
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[行業(yè)資訊]吉致電子：以創(chuàng)新CMP拋光液技術(shù)賦能碳化硅襯底新時代[ 2025-06-24 17:06 ]
隨著第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，碳化硅(SiC)襯底憑借其卓越性能，正在新能源汽車、5G通信、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域掀起技術(shù)革命。作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體材料解決方案提供商，吉致電子深耕碳化硅襯底CMP拋光液研發(fā)，為行業(yè)提供高性能、高穩(wěn)定性的拋光解決方案。碳化硅襯底：高端應(yīng)用行業(yè)的基石碳化硅襯底因其寬禁帶、高導(dǎo)熱等特性，成為制造高壓、高溫、高頻器件的理想選擇。在新能源汽車領(lǐng)域，采用SiC襯底的功率模塊可使逆變器效率提升5-10%；在5G基站中，基于SiC襯底的射頻器件能顯著提升信號傳輸效率。這些高端應(yīng)用對襯底表面質(zhì)量提出嚴(yán)苛要
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[行業(yè)資訊]吉致電子無蠟吸附墊革新晶圓制造工藝：零殘留·高平坦·更穩(wěn)定[ 2025-06-19 17:02 ]
在半導(dǎo)體晶圓拋光領(lǐng)域傳統(tǒng)蠟?zāi)Ｑb夾工藝存在效率低、良率受限等痛點(diǎn)，而半導(dǎo)體真空吸附墊Template技術(shù)的創(chuàng)新和使用正在推動行業(yè)變革。吉致電子通過定制化半導(dǎo)體晶圓拋光的CMP（化學(xué)機(jī)械平坦化）無蠟吸附墊、真空吸附板設(shè)計(jì)，可為半導(dǎo)體領(lǐng)域客戶提升生產(chǎn)效率。吉致電子真空吸附墊/CMP拋光模版通過「無蠟革命」，為硅片、晶圓、SiC、藍(lán)寶石襯底、光學(xué)玻璃等材料提供高精度拋光解決方案。傳統(tǒng)蠟粘工藝的核心痛點(diǎn)效率瓶頸蠟?zāi)Ｐ杓訜?冷卻固化，單次裝夾耗時30分鐘以上，影響產(chǎn)能。殘留蠟清洗工序復(fù)雜，增加非生產(chǎn)
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[吉致動態(tài)]國產(chǎn)替代｜吉致電子硅片CMP拋光液Slurry[ 2025-06-10 15:10 ]
一、CMP拋光技術(shù)：半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵工藝化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Planarization, CMP）是半導(dǎo)體硅片制造的核心工藝之一，直接影響芯片性能與良率。在硅片加工過程中，CMP通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同作用，實(shí)現(xiàn)原子級表面平坦化（粗糙度<0.2nm），滿足先進(jìn)制程對晶圓表面超潔凈、超平整的要求。吉致電子CMP拋光液的三大核心作用①高效拋光：納米級磨料（如膠體SiO2）精準(zhǔn)去除表面凸起，提升硅片平整度，減少微劃痕。②潤滑保護(hù)：特殊添加劑降低摩擦系數(shù)（<0.05），減少
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[吉致動態(tài)]吉致電子：金剛石懸浮液的作用及功效（CMP拋光專用）[ 2025-06-06 17:14 ]
在半導(dǎo)體制造、精密光學(xué)、硬質(zhì)合金加工等領(lǐng)域，材料表面的超精密拋光直接決定了產(chǎn)品的性能與可靠性。吉致電子憑借先進(jìn)的研發(fā)實(shí)力和成熟的工藝技術(shù)，推出高性能金剛石拋光液/研磨液系列產(chǎn)品，為高硬度材料提供高效、穩(wěn)定的拋光解決方案。吉致電子金剛石懸浮液產(chǎn)品（研磨液/拋光液）可滿足不同拋光需求，根據(jù)材料特性和工藝要求分為以下幾類：1. 按晶體結(jié)構(gòu)分類單晶金剛石拋光液：晶體結(jié)構(gòu)單一，切削力均勻，適合高精度表面拋光，減少亞表面損傷。多晶金剛石拋光液：由多向晶粒組成，材料去除率高，適用于高效粗拋和中拋。類多晶金剛石拋光液：兼具單晶和多
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[吉致動態(tài)]Fujibo拋光墊國產(chǎn)替代挑戰(zhàn)與吉致電子解決方案[ 2025-05-30 11:42 ]
Fujibo（日本富士紡）是知名的拋光墊制造商，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、液晶顯示器（LCD）、硬盤（HDD）藍(lán)寶石襯底等精密加工領(lǐng)域。Fujibo拋光墊因其高精度拋光、均勻性、耐磨性好等特點(diǎn)，長期以來占據(jù)市場主導(dǎo)地位，但隨著國內(nèi)技術(shù)的突破和產(chǎn)業(yè)鏈的完善，國產(chǎn)拋光墊正逐步實(shí)現(xiàn)對進(jìn)口產(chǎn)品的替代。吉致電子作為國內(nèi)經(jīng)驗(yàn)豐富的電子行業(yè)CMP拋光材料供應(yīng)商，致力于為客戶提供高性價比的國產(chǎn)拋光墊解決方案，助力企業(yè)降本增效，保障供應(yīng)鏈安全。國產(chǎn)拋光墊替代Fujibo的五大優(yōu)勢1. 顯著降低成本，提升競爭力國產(chǎn)拋光墊價格比Fujib
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[吉致動態(tài)]吉致電子：半導(dǎo)體陶瓷CMP工藝拋光耗材解析[ 2025-05-16 17:45 ]
在半導(dǎo)體陶瓷的化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝中，吉致電子（JEEZ Electronics）作為國產(chǎn)CMP耗材供應(yīng)商，其拋光液（Slurry）和拋光墊（Polishing Pad）等產(chǎn)品可應(yīng)用于陶瓷材料的精密平坦化加工。以下是結(jié)合吉致電子的技術(shù)特點(diǎn)，半導(dǎo)體陶瓷CMP中的潛在應(yīng)用方案：吉致電子CMP拋光液在半導(dǎo)體陶瓷中的應(yīng)用半導(dǎo)體陶瓷CMP研磨拋光漿料特性與適配性CMP Slurry磨料類型：納米氧化硅（SiO2）漿料：適用于SiC、GaN等硬質(zhì)陶瓷，通過表面氧化反應(yīng)（如SiC + H2O2 → SiO2 +
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[行業(yè)資訊]CMP阻尼布拋光墊：多材料精密拋光的解決方案[ 2025-05-13 15:51 ]
阻尼布拋光墊/精拋墊是CMP工藝中材料納米級精度的關(guān)鍵保障：在半導(dǎo)體化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝的最后精拋階段，阻尼布拋光墊（CMP精拋墊）扮演著決定晶圓最終表面質(zhì)量的關(guān)鍵角色。這種特殊絲絨狀材料的CMP拋光墊，質(zhì)地細(xì)膩、柔軟，表面多孔呈彈性，使用周期長。阻尼布拋光墊可對碳化硅襯底、精密陶瓷、砷化鎵、磷化銦、玻璃硬盤、光學(xué)玻璃、金屬制品、藍(lán)寶石襯底等材質(zhì)或工件進(jìn)行精密終道拋光，在去除納米級材料的同時，實(shí)現(xiàn)原子級表面平整度，是先進(jìn)制程芯片制造不可或缺的核心耗材。精拋階段的特殊挑戰(zhàn)與需求與粗拋或中拋階段不同，精拋工藝面臨
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[常見問題]如何解決二氧化硅拋光液結(jié)晶問題？吉致電子CMP拋光專家支招[ 2025-05-08 17:28 ]
在半導(dǎo)體、光學(xué)玻璃等精密制造領(lǐng)域，二氧化硅（SiO2）拋光液因其高精度、低損傷的特性被廣泛應(yīng)用。然而，拋光液在存儲或使用過程中可能出現(xiàn)結(jié)晶結(jié)塊現(xiàn)象，輕則影響拋光效果，重則導(dǎo)致工件劃傷甚至報(bào)廢。如何有效避免和解決這一問題？吉致電子憑借多年CMP拋光液研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，為您提供專業(yè)解決方案！一、結(jié)晶原因分析二氧化硅拋光液以高純度硅粉為原料，通過水解法制備，其膠體粒子在水性環(huán)境中形成穩(wěn)定的離子網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。但若水分流失、溫度波動或pH失衡，粒子會迅速聚集形成硬質(zhì)結(jié)晶。主要誘因包括：存儲不當(dāng)（溫度過高/過低、未密封）拋光液停滯（流動不
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[行業(yè)資訊]吉致電子：鎢CMP拋光液組成與應(yīng)用解析[ 2025-04-25 10:52 ]
鎢CMP拋光液：半導(dǎo)體關(guān)鍵制程材料的技術(shù)解析——吉致電子高精度平坦化解決方案1. 產(chǎn)品定義與技術(shù)背景鎢化學(xué)機(jī)械拋光液（Tungsten CMP Slurry）是用于半導(dǎo)體先進(jìn)制程中鎢互連層全局平坦化的專用功能性材料，通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同作用，實(shí)現(xiàn)納米級表面精度（Ra＜0.5nm），滿足高密度集成電路（IC）對互連結(jié)構(gòu)的苛刻要求。2. 核心組分與作用機(jī)理3. 關(guān)鍵性能指標(biāo)去除速率：200-600 nm/min（可調(diào)，適配不同工藝節(jié)點(diǎn)）非均勻性（WIWNU）：＜3% @300mm晶圓選擇
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[吉致動態(tài)]鉬襯底的應(yīng)用領(lǐng)域及CMP拋光技術(shù)解析[ 2025-04-23 09:51 ]
鉬（Mo）襯底憑借其高熔點(diǎn)（2623℃）、高熱導(dǎo)率（138 W/m·K）、低熱膨脹系數(shù)（4.8×10-6/K）以及優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度和耐腐蝕性，在半導(dǎo)體、光學(xué)、新能源、航空航天等高科技領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。吉致電子對鉬襯底的主要應(yīng)用場景解析其化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）關(guān)鍵技術(shù)，幫助行業(yè)客戶更好地選擇和使用鉬襯底拋光液。一、鉬襯底的核心優(yōu)勢高溫穩(wěn)定性：熔點(diǎn)高達(dá)2623℃，適用于高溫環(huán)境。優(yōu)異的熱管理能力：高熱導(dǎo)率+低熱膨脹系數(shù)，減少熱應(yīng)力。高機(jī)械強(qiáng)度：耐磨損、抗蠕變，適合精密器件制造。良好的導(dǎo)電性：適
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[吉致動態(tài)]藍(lán)寶石襯底CMP拋光新視野：氧化鋁與氧化硅的多元應(yīng)用[ 2025-04-11 15:47 ]
在藍(lán)寶石襯底的化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝中，拋光材料的選擇直接關(guān)系到拋光效果和生產(chǎn)效率。氧化鋁和氧化硅作為兩種常用的拋光磨料，以其獨(dú)特的性能優(yōu)勢，在該領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。吉致電子憑借深厚的行業(yè)積累，為您深入剖析這兩種材料在藍(lán)寶石襯底 CMP 拋光中的特性與應(yīng)用。氧化鋁在拋光中的特性硬度匹配優(yōu)勢α-氧化鋁的硬度與藍(lán)寶石極為接近，這一特性在拋光過程中具有關(guān)鍵意義。理論上，相近的硬度可能會增加劃傷藍(lán)寶石表面的風(fēng)險，但在實(shí)際應(yīng)用中，只要確保氧化鋁磨料的顆粒形狀規(guī)則、粒徑分布均勻，就能有效避免劃傷。在拋光壓力作用下，憑
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