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[常見問題]從硅基到第三代半導(dǎo)體：吉致電子CMP拋光液技術(shù)演進與全材料覆蓋解決方案[ 2026-01-09 15:59 ]

隨著半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點的不斷演進，化學機械拋光（CMP）工藝已成為集成電路制造中不可或缺的關(guān)鍵制程環(huán)節(jié)，其精度與穩(wěn)定性直接影響芯片的集成度、性能表現(xiàn)與整體良率。作為CMP工藝的核心耗材，CMP拋光液不僅需要滿足硅（Si）、砷化鎵（GaAs）等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的加工要求，更要在第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的高精度拋光中展現(xiàn)出關(guān)鍵作用與持續(xù)增長的應(yīng)用潛力。聚焦關(guān)鍵應(yīng)用：CMP拋光液突破第三代半導(dǎo)體平坦化技術(shù)瓶頸以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石及氮化鋁（AlN）等為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具備寬禁帶、高

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[常見問題]藍寶石襯底研磨拋光工藝與耗材方案|吉致電子CMP廠家[ 2025-12-25 16:47 ]

在LED芯片制備流程中，藍寶石襯底的表面質(zhì)量直接決定后續(xù)芯片性能與成品良率，而表面平坦加工的核心目標，便是精準去除線切割工藝遺留的線痕、裂紋及殘余應(yīng)力等表面與亞表面損傷層，為LED芯片制備提供符合嚴苛要求的襯底表面。其中，化學機械研磨（CMP）工藝是實現(xiàn)藍寶石襯底超精密平坦化的關(guān)鍵技術(shù)路徑，而雙面研磨、單面精磨與CMP工藝的合理搭配，以及適配的研磨拋光耗材選擇，更是保障加工質(zhì)量的核心環(huán)節(jié)。本文將深入解析相關(guān)工藝特性，并分享耗材選擇的關(guān)鍵要點。一、核心加工工藝：雙面研磨與單面精磨的技術(shù)特性藍寶石襯底的平坦化加工是一套

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[常見問題]吉致電子CMP精拋墊：半導(dǎo)體高精度拋光的核心關(guān)鍵[ 2025-11-27 16:37 ]

化學機械拋光（CMP）技術(shù)作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域唯一能實現(xiàn)全局平坦化的核心工藝，直接決定了芯片的圖形精度、電性能穩(wěn)定性及最終良率，在7nm及以下先進制程中更是不可或缺的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。而CMP精拋墊（final polishing pad）作為該工藝精拋階段的核心耗材，承擔著“精細修整”晶圓表面的重要使命，是實現(xiàn)超精密平坦化目標的核心支撐。吉致電子深耕半導(dǎo)體耗材領(lǐng)域，其研發(fā)生產(chǎn)的CMP精拋墊憑借精準的設(shè)計、卓越的性能和穩(wěn)定的品質(zhì)，成為半導(dǎo)體制造企業(yè)的優(yōu)選合作伙伴，其核心作用可從以下四大維度深度解析：1

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[行業(yè)資訊]吉致電子砷化鎵襯底CMP拋光液 | 高平坦度低缺陷半導(dǎo)體slurry[ 2025-10-21 11:35 ]

吉致電子CMP拋光耗材廠家——精準匹配半導(dǎo)體高端材料拋光需求在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的今天，砷化鎵GaAs作為第二代半導(dǎo)體材料的代表，因其優(yōu)異的電子遷移率和直接帶隙特性，在射頻前端、光電器件和高速集成電路中扮演著不可替代的角色。然而，砷化鎵襯底的高效精密拋光一直是行業(yè)面臨的重大挑戰(zhàn)。砷化鎵CMP拋光的核心挑戰(zhàn)砷化鎵材料由兩種硬度和化學性質(zhì)差異顯著的原子構(gòu)成，在拋光過程中容易產(chǎn)生晶格損傷、表面粗糙和化學計量比失衡等問題。傳統(tǒng)的拋光工藝難以同時實現(xiàn)全局平坦化、低表面損傷和高材料去除率，這直接影響著后

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[吉致動態(tài)]吉致電子CMP晶圓拋光液的特性與選型指南[ 2025-10-11 16:15 ]

在晶圓制造的全局平面化環(huán)節(jié)，化學機械拋光（CMP）是關(guān)鍵工藝，而CMP拋光液作為核心耗材，直接決定晶圓表面平整度、缺陷率等關(guān)鍵指標，影響芯片最終性能與良率。吉致電子小編根據(jù)CMP拋光液的核心優(yōu)勢與選型方向，為半導(dǎo)體制造企業(yè)提供實用參考。一、CMP拋光液的4大核心特性CMP拋光液由磨料、氧化劑、螯合劑等組分復(fù)配而成，需兼顧“化學腐蝕”與“機械研磨”協(xié)同作用，核心特性可概括為：1.化學-機械協(xié)同精準可控拋光時，氧化劑先將晶圓表面材料氧化為易去除的氧化物，螯合劑與氧化物形成

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[常見問題]從性能到場景：吉致電子CMP Pad軟質(zhì)拋光墊與硬質(zhì)墊的區(qū)別[ 2025-09-17 15:24 ]

在精密拋光領(lǐng)域（如半導(dǎo)體晶圓、光學玻璃、藍寶石襯底等加工），拋光墊CMP PAD的硬度是影響拋光效果的核心參數(shù)之一。CMP化學機械拋光工藝中軟質(zhì)拋光墊與硬質(zhì)拋光墊的差異，本質(zhì)上是“材料形變能力”與“機械作用強度”的對立與適配，其優(yōu)點和差別主要體現(xiàn)在拋光效率、表面質(zhì)量、適用場景等多個維度，具體可通過以下對比清晰呈現(xiàn)：一、核心定義與材質(zhì)差異首先需明確二者的本質(zhì)區(qū)別：硬質(zhì)拋光墊：通常以高分子聚合物（如聚氨酯、聚酰亞胺）為基材，添加剛性填料（如氧化鈰、氧化鋁、碳化硅微粉），整

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[常見問題]吉致電子CMP放射狀同心圓開槽紋理拋光墊，賦能精密拋光[ 2025-09-05 16:56 ]

在化學機械拋光（CMP）工藝中，拋光墊作為核心耗材，其紋理設(shè)計直接影響拋光效率、表面質(zhì)量與材料適配性。其中，放射狀同心圓開槽紋理拋光墊憑借獨特的結(jié)構(gòu)優(yōu)勢，成為半導(dǎo)體、光學、金屬及陶瓷等領(lǐng)域精密加工的關(guān)鍵支撐，為電子材料制造注入高效、穩(wěn)定的技術(shù)動力。一、核心特性：精準破解拋光工藝痛點放射狀同心圓開槽紋理融合了兩種溝槽設(shè)計的優(yōu)勢，從拋光液管理、材料去除、碎屑處理到表面均一性控制，全方位優(yōu)化拋光過程，解決傳統(tǒng)拋光墊易出現(xiàn)的局部干涸、排屑不暢、邊緣過度磨損等問題。1. 拋光液均勻分布，保障反應(yīng)連續(xù)性放射狀溝槽可引導(dǎo)拋光液從

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[行業(yè)資訊]CMP拋光液斷供危機？吉致電子國產(chǎn)替代方案降本30%+[ 2025-08-08 15:56 ]

在半導(dǎo)體制造過程中，CMP化學機械平坦化拋光液（Slurry）是晶圓表面平坦化的關(guān)鍵材料，直接影響芯片的性能和良率。長期以來，這一市場被海外巨頭壟斷，主要供應(yīng)商如Cabot、杜邦、富士美等。一旦斷供可能導(dǎo)致生產(chǎn)線停滯，嚴重影響芯片交付。面對這一挑戰(zhàn)，吉致電子作為國內(nèi)高端電子材料供應(yīng)商，已實現(xiàn)中高端CMP拋光液的自主研發(fā)與量產(chǎn)，為國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控提供堅實保障。國產(chǎn)CMP拋光液的六大核心優(yōu)勢1. 顯著成本優(yōu)勢，降低企業(yè)采購壓力價格競爭力強：吉致電子CMP拋光液比進口產(chǎn)品低20%-30%，大幅降低半導(dǎo)體廠商的材

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[行業(yè)資訊]吉致電子碳化硅CMP研磨液：助力SiC半導(dǎo)體制造升級[ 2025-06-26 16:03 ]

吉致電子碳化硅CMP研磨液采用多組分協(xié)同作用的設(shè)計理念，結(jié)合氧化鋁磨料的高效機械作用與高錳酸鉀的精密化學氧化，實現(xiàn)了材料去除率與表面質(zhì)量的完美平衡。產(chǎn)品經(jīng)過嚴格的質(zhì)量控制和實際產(chǎn)線驗證，具有以下核心優(yōu)勢：1. 高效化學-機械協(xié)同拋光機制吉致電子CMP研磨液的獨特之處在于其雙重作用機制：高錳酸鉀(KMnO4)作為強氧化劑，在拋光過程中將碳化硅表面氧化生成較軟的SiO2層，這一氧化層硬度顯著低于碳化硅基底，隨后被氧化鋁磨料高效機械去除。通過調(diào)節(jié)pH值(通?？刂圃?0-11之間)，實現(xiàn)了氧化速率與機械去除的最佳匹配，既保

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[吉致動態(tài)]國產(chǎn)替代｜吉致電子硅片CMP拋光液Slurry[ 2025-06-10 15:10 ]

一、CMP拋光技術(shù)：半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵工藝化學機械拋光（Chemical Mechanical Planarization, CMP）是半導(dǎo)體硅片制造的核心工藝之一，直接影響芯片性能與良率。在硅片加工過程中，CMP通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用，實現(xiàn)原子級表面平坦化（粗糙度<0.2nm），滿足先進制程對晶圓表面超潔凈、超平整的要求。吉致電子CMP拋光液的三大核心作用①高效拋光：納米級磨料（如膠體SiO2）精準去除表面凸起，提升硅片平整度，減少微劃痕。②潤滑保護：特殊添加劑降低摩擦系數(shù)（<0.05），減少

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[吉致動態(tài)]吉致電子：半導(dǎo)體陶瓷CMP工藝拋光耗材解析[ 2025-05-16 17:45 ]

在半導(dǎo)體陶瓷的化學機械拋光（CMP）工藝中，吉致電子（JEEZ Electronics）作為國產(chǎn)CMP耗材供應(yīng)商，其拋光液（Slurry）和拋光墊（Polishing Pad）等產(chǎn)品可應(yīng)用于陶瓷材料的精密平坦化加工。以下是結(jié)合吉致電子的技術(shù)特點，半導(dǎo)體陶瓷CMP中的潛在應(yīng)用方案：吉致電子CMP拋光液在半導(dǎo)體陶瓷中的應(yīng)用半導(dǎo)體陶瓷CMP研磨拋光漿料特性與適配性CMP Slurry磨料類型：納米氧化硅（SiO2）漿料：適用于SiC、GaN等硬質(zhì)陶瓷，通過表面氧化反應(yīng)（如SiC + H2O2 → SiO2 +

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[常見問題]如何解決二氧化硅拋光液結(jié)晶問題？吉致電子CMP拋光專家支招[ 2025-05-08 17:28 ]

在半導(dǎo)體、光學玻璃等精密制造領(lǐng)域，二氧化硅（SiO2）拋光液因其高精度、低損傷的特性被廣泛應(yīng)用。然而，拋光液在存儲或使用過程中可能出現(xiàn)結(jié)晶結(jié)塊現(xiàn)象，輕則影響拋光效果，重則導(dǎo)致工件劃傷甚至報廢。如何有效避免和解決這一問題？吉致電子憑借多年CMP拋光液研發(fā)經(jīng)驗，為您提供專業(yè)解決方案！一、結(jié)晶原因分析二氧化硅拋光液以高純度硅粉為原料，通過水解法制備，其膠體粒子在水性環(huán)境中形成穩(wěn)定的離子網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。但若水分流失、溫度波動或pH失衡，粒子會迅速聚集形成硬質(zhì)結(jié)晶。主要誘因包括：存儲不當（溫度過高/過低、未密封）拋光液停滯（流動不

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[吉致動態(tài)]吉致電子：Oxide拋光液的核心作用與應(yīng)用解析[ 2025-03-08 10:10 ]

氧化層拋光液（OX slurry）是一種專為半導(dǎo)體制造、金屬加工及精密光學元件等領(lǐng)域設(shè)計的高性能化學機械拋光（CMP）材料。其核心作用是通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同效應(yīng)，精準去除材料表面的氧化層、瑕疵及微觀不平整，從而實現(xiàn)高平整度、低缺陷率的拋光效果。該技術(shù)貫穿芯片 “從砂到芯” 的全流程，是集成電路制造中晶圓平坦化工藝的關(guān)鍵材料。吉致電子氧化層拋光液的功能與優(yōu)勢如下：一、吉致電子CMP氧化層拋光液的核心功能1.精準表面處理通過化學腐蝕與機械研磨協(xié)同作用，定向去除材料表面氧化層、瑕疵及微觀不

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[吉致動態(tài)]吉致電子解析：磷化銦襯底怎么拋光研磨[ 2025-03-07 15:22 ]

磷化銦（InP）作為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的典型代表，憑借其高電子遷移率、寬禁帶寬度和良好的光電性能，在光通信器件、激光器和探測器等領(lǐng)域占據(jù)關(guān)鍵地位。其精密加工要求嚴苛，尤其是表面粗糙度需達到納米級（Ra < 0.1nm），傳統(tǒng)機械研磨易導(dǎo)致晶格損傷，化學機械拋光（CMP）技術(shù)則成為實現(xiàn)原子級平整表面的核心工藝。吉致電子將系統(tǒng)介紹InP磷化銦襯底CMP拋光從粗磨到精拋的流程及控制要點。一、Inp磷化銦拋光準備工作材料：準備好磷化銦工件，確保其表面無明顯損傷、雜質(zhì)。同時準備吉致電子CMP研磨墊，如聚氨酯拋光墊，其

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[吉致動態(tài)]吉致電子CMP Pad化學機械拋光墊[ 2024-12-27 18:27 ]

吉致電子專注研發(fā)、設(shè)計、測試與生產(chǎn)制造CMP耗材，CMP PAD化學機械拋光墊用于半導(dǎo)體制造、平面顯示器、光學玻璃、各類晶圓襯底材料、高精密陶瓷件、金屬與硬盤基板的研磨拋光工藝。吉致電子CMP拋光墊采用精密涂布技術(shù)和科技材料能有效提升客戶制程中的移除率和高平坦度、低缺陷等要求。吉致拋光墊團隊從事高分子材料合成、發(fā)泡技術(shù)與復(fù)合材料研制已有多年經(jīng)驗，積累深厚的材料制造和研發(fā)基礎(chǔ).拋光墊產(chǎn)品因其特殊纖維材質(zhì)，耐用、耐磨、耐酸堿，價比高。PAD產(chǎn)品包括且不限于：聚氨酯拋光墊、阻尼布精拋墊、復(fù)合拋光墊、絨面拋光墊、無紡布拋光

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[吉致資訊]吉致電子CMP精拋墊的作用有哪些[ 2024-12-17 15:37 ]

吉致電子CMP精拋墊的作用有哪些？化學機械拋光（CMP）技術(shù)是目前國際上公認的唯一能夠?qū)崿F(xiàn)全局平坦化的技術(shù)，在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中占據(jù)著舉足輕重的地位。CMP精拋墊，作為CMP化學機械平面研磨（Chemical Mechanical Polishing）精拋階段所使用的拋光墊，是半導(dǎo)體制造過程中不可或缺的關(guān)鍵耗材。吉致電子CMP拋光墊--精拋墊的功能特點將通過以下四個方面進行闡述： CMP精拋墊在CMP工藝流程中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，其主要功能涵蓋：1.確保拋光液能夠高效且均勻

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[吉致動態(tài)]吉致電子CMP拋光液在光學玻璃加工中的應(yīng)用進展[ 2024-12-11 16:17 ]

CMP拋光液在光學玻璃領(lǐng)域的應(yīng)用主要體現(xiàn)在實現(xiàn)光學玻璃表面的超精密加工，以滿足對表面粗糙度和平坦度的高要求。CMP拋光液通過化學作用和機械研磨的有機結(jié)合，能夠有效地去除光學玻璃表面的材料，達到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的效果。隨著光學技術(shù)的不斷發(fā)展，對光學玻璃表面質(zhì)量的要求也越來越高。CMP拋光液/研磨液作為一種先進的拋光材料，在光學玻璃領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。在CMP拋光過程中，拋光液中的化學成分與光學玻璃表面發(fā)生反應(yīng)形成軟質(zhì)層。同時，拋光液中的磨料微粒，如納米二氧化硅

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[行業(yè)資訊]吉致電子CMP拋光墊：從粗到精，體驗高效拋光[ 2024-11-29 14:35 ]

CMP（化學機械拋光）拋光墊是一種在半導(dǎo)體制造過程中用于平面化晶圓表面的關(guān)鍵材料。CMP拋光墊通過結(jié)合化學反應(yīng)和機械研磨的方式，能夠有效地去除晶圓表面的多余材料，從而達到高度平整的表面質(zhì)量。拋光墊CMP PAD通常由高分子聚合物材料制成，表面具有一定的微孔結(jié)構(gòu)，以便在拋光過程中儲存和釋放拋光液CMP Slurry，從而確保拋光過程的均勻性和效率。 CMP拋光墊在使用過程中需要定期更換，以保持其最佳的拋光性能。不同的CMP拋光墊適用于不同的拋光工藝和材料，因此選擇合適的拋光墊對于確保晶圓質(zhì)量

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[吉致動態(tài)]吉致電子：CMP鉬金屬研磨液，點亮鉬材非凡光彩[ 2024-09-29 16:55 ]

無錫吉致電子科技有限公司是CMP研磨液、拋光墊及CMP拋光耗材研發(fā)生產(chǎn)廠家，至今已有 20 余年的研發(fā)經(jīng)驗。吉致電子CMP產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于金屬、光電、集成電路半導(dǎo)體、陶瓷、硬盤面板顯示器等材質(zhì)的表面深度處理，目前已發(fā)展為集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的現(xiàn)代工業(yè)科技廠家。目前我司生產(chǎn)的鉬金屬研磨液適用于平面形態(tài)的鉬、鉬合金工件的鏡面拋光，通過化學機械平面研磨工藝，使鉬金屬表面快速去粗和平坦化，過程簡單來說就是利用拋光設(shè)備將鉬金屬拋光液化學氧化腐蝕鉬合金表面，再通過拋光墊外力研磨去除氧

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[客戶感言]吉致電子陶瓷覆銅板研磨液[ 2024-09-24 17:46 ]

陶瓷覆銅板 CMP 拋光液的定義，為半導(dǎo)體行業(yè)電子封裝使用的研磨液及拋光液，適用于陶瓷覆銅板粗拋及精拋。提高陶瓷工件表面去除率和平坦化性能，提供鏡面效果，解決電鍍銅層厚度及均勻性、表面粗糙度等拋光難題。吉致電子陶瓷覆銅板研磨液具有懸浮性好不易沉淀，顆粒分散均勻不團聚，軟硬度適中避免劃傷，拋磨過程中提高拋光速度和質(zhì)量，分散性好降低微劃傷概率提高精度，無粉塵產(chǎn)生環(huán)保安全，可定制化滿足不同需求。吉致電子CMP研磨液的分類與成分：根據(jù)拋光對象分為不同類別，成分包括研磨顆粒、PH 值調(diào)節(jié)劑、氧化劑、分散劑以及表面活性劑，各成

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