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吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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[常見問題]半導體CMP工藝核心：金屬互聯(lián)層與介質(zhì)層Slurry拋光液的類型劃分[ 2025-08-28 16:59 ]
在半導體芯片制造中，化學機械拋光CMP是關鍵工藝，其中CMP Slurry拋光液就是核心耗材，直接決定芯片平整度、電路可靠性與性能。無論是 導線;（互連層）還是絕緣骨架（介質(zhì)層），都需靠它實現(xiàn)精準平整。下面吉致電子小編就來拆解下半導體CMP拋光液的中金屬互聯(lián)層及介質(zhì)層CMP拋光液的類型和應用場景。一、金屬互連層CMP拋光液（后端 BEOL 核心）核心需求是選擇性除金屬、護絕緣 / 阻擋層，主流類型有：銅（Cu）CMP 拋光液14n
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[行業(yè)資訊]CMP拋光液廠家：半導體拋光液解決方案--吉致電子科技[ 2025-08-12 11:38 ]
無錫吉致電子科技有限公司作為國內(nèi)CMP拋光耗材專業(yè)制造商，多年研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗，致力于為半導體、集成電路、3D封裝等領域提供高性能化學機械拋光解決方案。CMP Slurry系列涵蓋射頻濾波器拋光液、鎢拋光液、銅拋光液、淺槽隔離(STI)拋光液以及TSV硅通孔專用拋光液等，廣泛應用于邏輯芯片、3D NAND、DRAM等先進制程的量產(chǎn)環(huán)節(jié)。一、吉致電子半導體拋光液產(chǎn)品特點CMP拋光液產(chǎn)品具備以下優(yōu)勢：卓越的懸浮穩(wěn)定性：顆粒分散均勻，不易沉淀和團聚，使用方便，有效避免因顆粒團聚導致的工件表面劃傷缺陷。化學-機械協(xié)同作用：通過
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[行業(yè)資訊]CMP拋光液斷供危機？吉致電子國產(chǎn)替代方案降本30%+[ 2025-08-08 15:56 ]
在半導體制造過程中，CMP化學機械平坦化拋光液（Slurry）是晶圓表面平坦化的關鍵材料，直接影響芯片的性能和良率。長期以來，這一市場被海外巨頭壟斷，主要供應商如Cabot、杜邦、富士美等。一旦斷供可能導致生產(chǎn)線停滯，嚴重影響芯片交付。面對這一挑戰(zhàn)，吉致電子作為國內(nèi)高端電子材料供應商，已實現(xiàn)中高端CMP拋光液的自主研發(fā)與量產(chǎn)，為國產(chǎn)半導體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控提供堅實保障。國產(chǎn)CMP拋光液的六大核心優(yōu)勢1. 顯著成本優(yōu)勢，降低企業(yè)采購壓力價格競爭力強：吉致電子CMP拋光液比進口產(chǎn)品低20%-30%，大幅降低半導體廠商的材
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[行業(yè)資訊]碲鋅鎘CZT單晶襯底拋光液CMP Slurry[ 2025-07-31 16:50 ]
碲鋅鎘（CdZnTe，CZT）晶體屬于典型的軟脆晶體，其力學特性介于軟質(zhì)和脆性材料之間。軟脆晶體的定義與特征：軟質(zhì)材料：硬度較低（莫氏硬度約2.0–2.5，接近石膏或滑石），易劃傷或塑性變形。脆性材料：斷裂韌性低，易產(chǎn)生裂紋或解理斷裂（類似玻璃或硅）。CZT同時具備這兩種特性，屬于軟而脆的半導體晶體。CdZnTe單晶襯底加工困難：切割、拋光過程中易產(chǎn)生裂紋、邊緣崩缺或表面損傷。吉致電子的碲鋅鎘（CdZnTe）單晶襯底拋光液針對CZT材料軟脆、易損傷及表面高要求的特點，采用低損傷納米磨料技術（如超細膠體S
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[吉致動態(tài)]國產(chǎn)替代｜吉致電子硅片CMP拋光液Slurry[ 2025-06-10 15:10 ]
一、CMP拋光技術：半導體制造的關鍵工藝化學機械拋光（Chemical Mechanical Planarization, CMP）是半導體硅片制造的核心工藝之一，直接影響芯片性能與良率。在硅片加工過程中，CMP通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用，實現(xiàn)原子級表面平坦化（粗糙度<0.2nm），滿足先進制程對晶圓表面超潔凈、超平整的要求。吉致電子CMP拋光液的三大核心作用①高效拋光：納米級磨料（如膠體SiO2）精準去除表面凸起，提升硅片平整度，減少微劃痕。②潤滑保護：特殊添加劑降低摩擦系數(shù)（<0.05），減少
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[行業(yè)資訊]化學機械CMPAl2O3氧化鋁精拋液[ 2025-05-28 14:39 ]
吉致電子氧化鋁精拋液（CMP Slurry）采用高純度分級氧化鋁微粉為原料，經(jīng)特殊表面改性工藝處理，通過科學配方精密配制而成。具有以下顯著優(yōu)勢：適用于化學機械平面研磨工藝CMP場景---鋁合金、不銹鋼、鎢鋼、鑄鐵件等金屬材質(zhì);以及藍寶石、碳化硅襯底、光學玻璃、精密陶瓷基板等半導體襯底材料的精密拋光加工。氧化鋁精拋液性能優(yōu)勢突出：獨特的抗結(jié)晶配方，確保拋光過程穩(wěn)定對拋光設備無腐蝕，維護簡便殘留物易清洗，提高生產(chǎn)效率氧化鋁精拋液效果卓越：創(chuàng)新的化學機械協(xié)同作用機制，顯著提升拋光效率優(yōu)化的表面處理工藝，確保拋光面質(zhì)量達到
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[吉致動態(tài)]吉致電子：半導體陶瓷CMP工藝拋光耗材解析[ 2025-05-16 17:45 ]
在半導體陶瓷的化學機械拋光（CMP）工藝中，吉致電子（JEEZ Electronics）作為國產(chǎn)CMP耗材供應商，其拋光液（Slurry）和拋光墊（Polishing Pad）等產(chǎn)品可應用于陶瓷材料的精密平坦化加工。以下是結(jié)合吉致電子的技術特點，半導體陶瓷CMP中的潛在應用方案：吉致電子CMP拋光液在半導體陶瓷中的應用半導體陶瓷CMP研磨拋光漿料特性與適配性CMP Slurry磨料類型：納米氧化硅（SiO2）漿料：適用于SiC、GaN等硬質(zhì)陶瓷，通過表面氧化反應（如SiC + H2O2 → SiO2 +
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[行業(yè)資訊]吉致電子：鎢CMP拋光液組成與應用解析[ 2025-04-25 10:52 ]
鎢CMP拋光液：半導體關鍵制程材料的技術解析——吉致電子高精度平坦化解決方案1. 產(chǎn)品定義與技術背景鎢化學機械拋光液（Tungsten CMP Slurry）是用于半導體先進制程中鎢互連層全局平坦化的專用功能性材料，通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用，實現(xiàn)納米級表面精度（Ra＜0.5nm），滿足高密度集成電路（IC）對互連結(jié)構(gòu)的苛刻要求。2. 核心組分與作用機理3. 關鍵性能指標去除速率：200-600 nm/min（可調(diào)，適配不同工藝節(jié)點）非均勻性（WIWNU）：＜3% @300mm晶圓選擇
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[行業(yè)資訊]先進半導體制造中的CMP Slurry：銅/鎢/碳化硅拋光液技術與國產(chǎn)化進展[ 2025-04-22 16:26 ]
化學機械平坦化（CMP）工藝是半導體制造中的核心技術，其通過化學與機械協(xié)同作用實現(xiàn)納米級表面精度，對集成電路性能至關重要。以下從技術、市場及國產(chǎn)化角度進行專業(yè)分析：一、CMP工藝核心要素拋光液（Slurry）化學組分：氧化劑（如H2O2用于Cu CMP）、磨料（納米SiO2/Al2O3）、pH調(diào)節(jié)劑及緩蝕劑，需針對材料特性（如Cu/W/SiC）定制配方。關鍵參數(shù)：材料去除率（MRR）、選擇比（Selectivity）、表面粗糙度（Ra＜0.5nm）及缺陷控制（如劃痕≤30nm）。吉致電子優(yōu)勢：25年技術積累可
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[行業(yè)資訊]芯片拋光液（CMP Slurry）：半導體平坦化的核心驅(qū)動力[ 2025-04-08 11:12 ]
在半導體制造的精密世界里，納米級別的表面平整度宛如一把精準的標尺，直接主宰著芯片的性能與良率?；瘜W機械拋光（CMP）工藝宛如一位技藝精湛的大師，借助化學與機械的協(xié)同之力，達成晶圓表面的全局平坦化。而芯片拋光液（CMP Slurry），無疑是這一工藝得以順暢運行的 “血液”，發(fā)揮著無可替代的關鍵作用。吉致電子，作為深耕半導體材料領域的佼佼者，在此為您深度解析拋光液背后的技術奧秘，以及洞察其前沿發(fā)展趨勢。一、芯片拋光液的核心作用在CMP過程中，拋光液肩負著至關重要的雙重功能：化學腐蝕其所含的活性
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[吉致動態(tài)]硅片拋光液（Slurry）在半導體制造中的關鍵作用與技術特性[ 2025-03-27 17:06 ]
在半導體制造工藝中，硅片的全局平坦化是確保集成電路性能與可靠性的關鍵步驟?；瘜W機械拋光（CMP, Chemical Mechanical Polishing）技術通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用，實現(xiàn)硅片表面的納米級平整，而硅片拋光液（Slurry）作為CMP工藝的核心耗材，其性能直接影響拋光效率與表面質(zhì)量。吉致電子（Geeze Electronics）作為半導體材料領域的領先供應商，致力于提供高性能硅片拋光液解決方案，助力先進制程的發(fā)展。1. 硅片拋光液的核心組成硅片拋光液是一種精密配制的膠體懸浮液，主要
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[吉致動態(tài)]吉致電子半導體CMP拋光液Slurry解析[ 2025-03-26 16:10 ]
在半導體制造工藝中，化學機械拋光（CMP）是實現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的核心步驟，而拋光液（Slurry）的性能直接影響芯片的良率和可靠性。隨著制程節(jié)點不斷微縮至5nm、3nm甚至更先進工藝，對CMP拋光液的化學穩(wěn)定性、材料選擇性和缺陷控制提出了更高要求。作為CMP材料解決方案提供商，吉致電子持續(xù)優(yōu)化拋光液技術，助力客戶突破先進制程瓶頸。1. 基本組成與功能CMP拋光液由磨料顆粒、化學添加劑和超純水組成，通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用實現(xiàn)晶圓表面納米級平坦化。磨料顆粒：SiO?（二氧化硅）：廣泛用于氧化物拋光，具有高
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[吉致動態(tài)]行業(yè)聚焦：硅片CMP研磨拋光液，如何重塑芯片制造格局[ 2025-03-20 14:17 ]
在半導體制造的前沿領域，Si硅片CMP研磨拋光液占據(jù)著舉足輕重的地位，是實現(xiàn)芯片制造精度與性能突破的關鍵要素。拋光液（CMP Slurry）、拋光墊（CMP Pad）作為硅片化學機械拋光（CMP）工藝的核心耗材，為構(gòu)建微觀世界的精密電路網(wǎng)絡奠定了基石。一、核心構(gòu)成，協(xié)同增效硅片 CMP 研磨拋光液是一個精心調(diào)配的多元體系，每一組分都各司其職，協(xié)同作用，共同塑造卓越的拋光效果。精密磨料，微米級雕琢：體系中搭載了納米級的二氧化硅、氧化鋁或氧化鈰等磨料顆粒。
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[行業(yè)資訊]半導體CMP拋光液Slurry：精密制造的核心材料[ 2025-03-19 10:48 ]
在半導體制造領域，半導體CMP拋光液Slurry是一種不可或缺的關鍵材料，廣泛應用于化學機械拋光CMP工藝中。它通過獨特的機械研磨與化學反應相結(jié)合的方式，幫助實現(xiàn)晶圓表面的納米級平坦化，為高性能半導體器件的制造提供了重要保障。什么是半導體CMP拋光液Slurry？ 半導體Slurry是一種由研磨顆粒、化學添加劑和液體介質(zhì)組成的精密材料。在CMP工藝中
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[行業(yè)資訊]精密制造新標桿：吉致電子藍寶石研磨液技術解析[ 2025-03-13 15:28 ]
藍寶石研磨液Sapphire Slurry，也稱為藍寶石拋光液，是專為藍寶石材料精密加工而設計的高性能拋光液。產(chǎn)品廣泛應用于藍寶石襯底、外延片、光學窗口、藍寶石晶圓（Wafer）的減薄和拋光工藝，能夠滿足高平坦度、高表面質(zhì)量的加工需求。吉致電子藍寶石拋光液由高純度磨粒、復合分散劑和分散介質(zhì)精心配制而成，具有以下顯著優(yōu)勢：1.高穩(wěn)定性：懸浮體系穩(wěn)定，不易沉降或結(jié)晶，確保拋光過程的一致性；2.高效拋光：拋光速度快，顯著提升加工效率；3.精密加工：采用納米SiO2粒子作為磨料，可在高效研磨的同時避免對工件表面造成物理損傷
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[吉致動態(tài)]吉致電子：Oxide拋光液的核心作用與應用解析[ 2025-03-08 10:10 ]
氧化層拋光液（OX slurry）是一種專為半導體制造、金屬加工及精密光學元件等領域設計的高性能化學機械拋光（CMP）材料。其核心作用是通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同效應，精準去除材料表面的氧化層、瑕疵及微觀不平整，從而實現(xiàn)高平整度、低缺陷率的拋光效果。該技術貫穿芯片 “從砂到芯” 的全流程，是集成電路制造中晶圓平坦化工藝的關鍵材料。吉致電子氧化層拋光液的功能與優(yōu)勢如下：一、吉致電子CMP氧化層拋光液的核心功能1.精準表面處理通過化學腐蝕與機械研磨協(xié)同作用，定向去除材料表面氧化層、瑕疵及微觀不
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[常見問題]半導體銅CMP拋光液：銅互連工藝的核心材料[ 2025-02-25 14:44 ]
半導體銅化學機械拋光液（Copper CMP Slurry）是用于半導體制造過程中銅互連層化學機械拋光（CMP）的關鍵材料。隨著半導體技術的發(fā)展，銅CU因其低電阻率和高抗電遷移性能，取代鋁成為主流互連材料。銅CMP拋光液在銅互連工藝中起到至關重要的作用，確保銅層平整化并實現(xiàn)多層互連結(jié)構(gòu)，CU CMP Slurry通過化學腐蝕與機械研磨的結(jié)合，實現(xiàn)銅層的高精度平整化和表面質(zhì)量控制。。 一、Copper CMP Slurry銅CMP拋光液的組成：主要磨料顆粒（Abrasive Particles）有二氧化硅（
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[行業(yè)資訊]CMP拋光液:精密光學鏡頭制造的幕后英雄[ 2025-02-12 16:24 ]
CMP（化學機械拋光）技術在光學制造領域確實扮演著至關重要的角色，尤其是在高精度光學元件的加工中。CMP拋光液通過化學腐蝕和機械研磨的結(jié)合，能夠?qū)崿F(xiàn)光學玻璃表面的超平滑處理，滿足現(xiàn)代光學系統(tǒng)對表面粗糙度和形狀精度的嚴苛要求。 吉致電子光學玻璃CMP Slurry的應用領域：①精密光學鏡頭：在手機攝像頭、顯微鏡、望遠鏡等光學系統(tǒng)中，通過CMP工藝和拋光液的拋磨可使光學鏡頭元件在光線折射與散射方面得到有效優(yōu)化，成像質(zhì)量大幅提升。確保了鏡頭的高分辨率和成像質(zhì)量。②航空航天光學窗口：航空航天光學窗口面臨復雜空間環(huán)
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[吉致動態(tài)]磷化銦襯底拋光液與CMP工藝的關聯(lián)[ 2025-02-07 11:33 ]
磷化銦襯底拋光液與化學機械平面研磨工藝（CMP）的關聯(lián)磷化銦（InP）作為第二代半導體材料的代表，因其優(yōu)異的電學、光學和熱學性能，在高速電子器件、光電子器件和微波器件等領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。然而InP襯底表面的高質(zhì)量加工是實現(xiàn)高性能器件的關鍵，其中化學機械平面研磨工藝（CMP）扮演著至關重要的角色。一、 磷化銦襯底為什么使用CMP技術CMP是一種結(jié)合化學腐蝕和機械研磨的表面平坦化技術，通過拋光液slurry中的磨料成分與襯底表面發(fā)生化學反應，生成一層易于去除的軟化層，再借助拋光墊Pad的機械作用將其去除，從而實
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[吉致動態(tài)]為什么不能用機械磨削grinding代替cmp？[ 2025-01-09 15:29 ]
  為何僅在晶圓背面減薄過程中采用grinding工藝？盡管在芯片制程中也存在減薄需求，為何選擇cmp工藝而非grinding？Grinding與cmp工藝的原理是什么？Grinding，即機械磨削，是一種通過機械力直接去除晶圓表面材料的方法。通常不使用研磨液，而是利用超純水進行清洗或帶走產(chǎn)生的碎屑和熱量。相比之下，cmp即化學機械研磨，結(jié)合了化學反應與機械力來去除材料。目標材料首先與cmp slurry中的氧化劑、酸、堿等發(fā)生微反應，隨后在拋光頭、拋光墊以及slurry中磨料的共同作用下，通過機械力去除
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