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吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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福吉電子采用精密技術(shù)，提供超高質(zhì)量產(chǎn)品
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[行業(yè)資訊]破解G804W高成本與慢響應(yīng)：國產(chǎn)CMP拋光墊的替代邏輯[ 2025-11-20 16:07 ]
在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速迭代的今天，碳化硅（SiC）作為核心材料，正以其優(yōu)異的耐高溫、高擊穿場強(qiáng)特性，重塑新能源汽車功率器件、高頻通信器件等高端制造領(lǐng)域的技術(shù)格局。而化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）作為碳化硅加工的關(guān)鍵工序，其核心耗材——拋光墊的性能直接決定了器件的成品精度與可靠性。長期以來，日本Fujibo的G804W拋光墊憑借穩(wěn)定的性能，成為全球碳化硅CMP領(lǐng)域的主流選擇之一。如今，隨著國產(chǎn)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的崛起，吉致電子依托自主研發(fā)實力，在G804W國產(chǎn)替代賽道上實現(xiàn)關(guān)鍵突破，為產(chǎn)業(yè)鏈自主可控注入強(qiáng)
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[行業(yè)資訊]吉致電子InP磷化銦襯底拋光研磨關(guān)鍵工藝解析[ 2025-10-31 15:39 ]
磷化銦（InP）作為第三代半導(dǎo)體核心材料，憑借其優(yōu)異的電子遷移率、寬禁帶寬度及良好的光電特性，在光通信、毫米波雷達(dá)、量子通信等高端領(lǐng)域占據(jù)不可替代的地位。磷化銦襯底的表面質(zhì)量直接決定后續(xù)外延生長、器件制備的精度與可靠性，而拋光研磨工藝正是把控這一核心指標(biāo)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。吉致電子深耕半導(dǎo)體材料加工領(lǐng)域，結(jié)合多年實踐經(jīng)驗，對磷化銦襯底拋光研磨的關(guān)鍵工藝進(jìn)行系統(tǒng)解析。一、研磨工藝：奠定高精度基礎(chǔ)研磨工藝的核心目標(biāo)是快速去除襯底表面的切割損傷層，修正幾何形狀偏差，為后續(xù)拋光工序提供平整、均勻的表面基底。其工藝參數(shù)的精準(zhǔn)控制直接
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[行業(yè)資訊]吉致電子砷化鎵襯底CMP拋光液 | 高平坦度低缺陷半導(dǎo)體slurry[ 2025-10-21 11:35 ]
吉致電子CMP拋光耗材廠家——精準(zhǔn)匹配半導(dǎo)體高端材料拋光需求在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的今天，砷化鎵GaAs作為第二代半導(dǎo)體材料的代表，因其優(yōu)異的電子遷移率和直接帶隙特性，在射頻前端、光電器件和高速集成電路中扮演著不可替代的角色。然而，砷化鎵襯底的高效精密拋光一直是行業(yè)面臨的重大挑戰(zhàn)。砷化鎵CMP拋光的核心挑戰(zhàn)砷化鎵材料由兩種硬度和化學(xué)性質(zhì)差異顯著的原子構(gòu)成，在拋光過程中容易產(chǎn)生晶格損傷、表面粗糙和化學(xué)計量比失衡等問題。傳統(tǒng)的拋光工藝難以同時實現(xiàn)全局平坦化、低表面損傷和高材料去除率，這直接影響著后
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[行業(yè)資訊]襯底與晶圓在半導(dǎo)體制造中的作用及CMP技術(shù)解析[ 2025-07-15 15:41 ]
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，襯底和晶圓是兩個密切相關(guān)但又各具功能的核心概念。襯底作為基礎(chǔ)層材料，為整個芯片制造過程提供物理支撐；而晶圓則是從襯底材料中切割出來的圓形硅片，是半導(dǎo)體芯片制造的直接載體。襯底通常是硅或其他半導(dǎo)體材料的薄片，具有優(yōu)異的機(jī)械性能和熱穩(wěn)定性。晶圓作為襯底的一部分，經(jīng)過精密加工后具有特定的晶體取向和表面特性，能夠滿足后續(xù)復(fù)雜的半導(dǎo)體工藝要求。襯底的核心功能與應(yīng)用承載功能：襯底為半導(dǎo)體芯片提供穩(wěn)定的機(jī)械支撐平臺，確保在整個制造過程中保持結(jié)構(gòu)完整性。優(yōu)質(zhì)的襯底能夠承受高溫、化學(xué)腐蝕等嚴(yán)苛工藝條件而不變形或降解
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[行業(yè)資訊]吉致電子：以創(chuàng)新CMP拋光液技術(shù)賦能碳化硅襯底新時代[ 2025-06-24 17:06 ]
隨著第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，碳化硅(SiC)襯底憑借其卓越性能，正在新能源汽車、5G通信、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域掀起技術(shù)革命。作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體材料解決方案提供商，吉致電子深耕碳化硅襯底CMP拋光液研發(fā)，為行業(yè)提供高性能、高穩(wěn)定性的拋光解決方案。碳化硅襯底：高端應(yīng)用行業(yè)的基石碳化硅襯底因其寬禁帶、高導(dǎo)熱等特性，成為制造高壓、高溫、高頻器件的理想選擇。在新能源汽車領(lǐng)域，采用SiC襯底的功率模塊可使逆變器效率提升5-10%；在5G基站中，基于SiC襯底的射頻器件能顯著提升信號傳輸效率。這些高端應(yīng)用對襯底表面質(zhì)量提出嚴(yán)苛要
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[行業(yè)資訊]從襯底到外延片：半導(dǎo)體材料的層級關(guān)系與作用[ 2025-05-20 14:16 ]
半導(dǎo)體襯底（Substrate）和外延片（Epitaxial Wafer）是半導(dǎo)體制造中的兩種關(guān)鍵材料，它們的區(qū)別主要體現(xiàn)在定義、結(jié)構(gòu)、用途和制備工藝上：1. 定義與作用襯底（Substrate）是半導(dǎo)體器件的“基礎(chǔ)載體”，通常為單晶圓片（如硅、碳化硅、藍(lán)寶石等），提供機(jī)械支撐和晶體結(jié)構(gòu)模板。功能：確保后續(xù)外延生長或器件加工的晶體結(jié)構(gòu)一致性。外延片（Epitaxial Wafer）是在襯底表面通過外延生長技術(shù)（如氣相外延、分子束外延）沉積的一層單晶薄膜。功能：優(yōu)化電學(xué)性能（如純度、摻雜濃度）
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[行業(yè)資訊]【國產(chǎn)替代新選擇】吉致電子IC1000級拋光墊——打破壟斷，助力中國“芯”制造！[ 2025-04-10 17:08 ]
半導(dǎo)體CMP工藝中,拋光墊是關(guān)鍵耗材，但進(jìn)口品牌長期占據(jù)市場主導(dǎo)。吉致電子作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體材料供應(yīng)商，成功研發(fā)生產(chǎn)高性能國產(chǎn)替代IC1000級拋光墊，以穩(wěn)定、耐用、均勻性好的獲得客戶好評及推薦，為芯片制造企業(yè)提供更優(yōu)成本與穩(wěn)定供應(yīng)！為什么選擇吉致電子IC1000拋光墊？①媲美國際大牌——采用高精度聚氨酯材質(zhì)與微孔結(jié)構(gòu)設(shè)計，拋光均勻性、去除率對標(biāo)進(jìn)口產(chǎn)品，滿足銅、鎢、硅等材料的CMP工藝需求。②成本優(yōu)勢顯著——國產(chǎn)化生產(chǎn)，減少供應(yīng)鏈依賴，價格更具競爭力，降低企業(yè)綜合
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[行業(yè)資訊]芯片拋光液（CMP Slurry）：半導(dǎo)體平坦化的核心驅(qū)動力[ 2025-04-08 11:12 ]
在半導(dǎo)體制造的精密世界里，納米級別的表面平整度宛如一把精準(zhǔn)的標(biāo)尺，直接主宰著芯片的性能與良率?；瘜W(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝宛如一位技藝精湛的大師，借助化學(xué)與機(jī)械的協(xié)同之力，達(dá)成晶圓表面的全局平坦化。而芯片拋光液（CMP Slurry），無疑是這一工藝得以順暢運行的 “血液”，發(fā)揮著無可替代的關(guān)鍵作用。吉致電子，作為深耕半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的佼佼者，在此為您深度解析拋光液背后的技術(shù)奧秘，以及洞察其前沿發(fā)展趨勢。一、芯片拋光液的核心作用在CMP過程中，拋光液肩負(fù)著至關(guān)重要的雙重功能：化學(xué)腐蝕其所含的活性
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[吉致動態(tài)]硅片拋光液（Slurry）在半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵作用與技術(shù)特性[ 2025-03-27 17:06 ]
在半導(dǎo)體制造工藝中，硅片的全局平坦化是確保集成電路性能與可靠性的關(guān)鍵步驟?；瘜W(xué)機(jī)械拋光（CMP, Chemical Mechanical Polishing）技術(shù)通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同作用，實現(xiàn)硅片表面的納米級平整，而硅片拋光液（Slurry）作為CMP工藝的核心耗材，其性能直接影響拋光效率與表面質(zhì)量。吉致電子（Geeze Electronics）作為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商，致力于提供高性能硅片拋光液解決方案，助力先進(jìn)制程的發(fā)展。1. 硅片拋光液的核心組成硅片拋光液是一種精密配制的膠體懸浮液，主要
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[行業(yè)資訊]CMP拋光液：從第一代到第三代半導(dǎo)體材料的精密拋光利器[ 2025-03-14 15:21 ]
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝在集成電路制造中的地位愈發(fā)重要。CMP拋光液作為這一工藝的核心材料，不僅廣泛應(yīng)用于傳統(tǒng)的第一代和第二代半導(dǎo)體材料，如硅（Si）和砷化鎵（GaAs），更在第三代半導(dǎo)體材料的拋光中展現(xiàn)出巨大的潛力。CMP拋光液在第三代半導(dǎo)體材料中的應(yīng)用第三代半導(dǎo)體材料以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石和氮化鋁（AlN）為代表，具有寬禁帶、高導(dǎo)熱率、抗輻射能力強(qiáng)、電子飽和漂移速率大等優(yōu)異特性。這些材料在高溫、高頻、大功率電子器件中表現(xiàn)突出，成為5G基站、新能
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[吉致動態(tài)]磷化銦襯底拋光液與CMP工藝的關(guān)聯(lián)[ 2025-02-07 11:33 ]
磷化銦襯底拋光液與化學(xué)機(jī)械平面研磨工藝（CMP）的關(guān)聯(lián)磷化銦（InP）作為第二代半導(dǎo)體材料的代表，因其優(yōu)異的電學(xué)、光學(xué)和熱學(xué)性能，在高速電子器件、光電子器件和微波器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而InP襯底表面的高質(zhì)量加工是實現(xiàn)高性能器件的關(guān)鍵，其中化學(xué)機(jī)械平面研磨工藝（CMP）扮演著至關(guān)重要的角色。一、 磷化銦襯底為什么使用CMP技術(shù)CMP是一種結(jié)合化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨的表面平坦化技術(shù)，通過拋光液slurry中的磨料成分與襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一層易于去除的軟化層，再借助拋光墊Pad的機(jī)械作用將其去除，從而實
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[行業(yè)資訊]吉致電子：碲鋅鎘襯底用什么拋光液？[ 2024-12-06 14:58 ]
  碲鋅鎘晶體是一種具有優(yōu)異光電性能的半導(dǎo)體材料，其化學(xué)式為CdZnTe，也被稱為CZT。這種材料在核輻射探測器、X射線和伽馬射線探測器以及紅外探測器等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。由于其高電阻率、高原子序數(shù)和良好的能量分辨率，碲鋅鎘晶體特別適合用于高分辨率的放射線成像設(shè)備。此外，它還具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性和機(jī)械加工性能，使其在制造過程中易于加工成各種形狀和尺寸。那么碲鋅鎘襯底用什么拋光液進(jìn)行CMP加工呢？   碲鋅鎘CMP研磨拋光一般采用化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Pl
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[吉致動態(tài)]吉致電子--磷化銦拋光液在半導(dǎo)體CMP制程中的應(yīng)用[ 2024-12-05 16:20 ]
無錫吉致電子科技提供的磷化銦襯底拋光液是一種專門用于半導(dǎo)體材料磷化銦表面處理的CMP化學(xué)機(jī)械拋光漿料。它包含特定的磨料和化學(xué)成分，能夠有效去除磷化銦表面的微小缺陷和不平整，確保獲得光滑、無損傷的表面。磷化銦拋光液在半導(dǎo)體制造過程中非常重要，它直接影響到最終器件的性能和穩(wěn)定性。磷化銦襯底拋光液的選擇和使用是一個復(fù)雜的過程，需要綜合考慮多個因素，且在CMP拋磨使用時，需要根據(jù)磷化銦襯底的具體要求和拋光設(shè)備的特性來選擇合適的InP拋光液，并嚴(yán)格控制拋光過程中的參數(shù)，如溫度、壓力和拋光時間等。首先，磷化銦CMP拋光液的成分
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[行業(yè)資訊]吉致電子---Si硅片拋光液，為半導(dǎo)體護(hù)航[ 2024-11-07 16:12 ]
  半導(dǎo)體硅片拋光液是一種均勻分散膠粒的乳白色膠體，在半導(dǎo)體材料的CMP加工過程中起著至關(guān)重要的作用。其外觀通常為乳白色或微藍(lán)色透明溶液。半導(dǎo)體硅片Si拋光液主要有拋光、潤滑、冷卻等作用。在拋光方面，Si Slurry能夠有效地去除半導(dǎo)體硅晶圓表面的雜質(zhì)和凸起，使硅片表面更加光滑平整。例如，經(jīng)過拋光液處理后，晶片表面的微粗糙度可以達(dá)到 0.2nm 以下。在潤滑作用中，它可以減少硅片與拋光設(shè)備之間的摩擦，降低磨損，延長設(shè)備的使用壽命。同時，在拋光過程中會產(chǎn)生熱量，而拋光液的冷卻作用可以及時帶走熱量，防止硅片
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[行業(yè)資訊]半導(dǎo)體晶圓常見材質(zhì)有哪些[ 2024-07-25 17:08 ]
半導(dǎo)體晶圓常見材質(zhì)有哪些？晶圓常見的材質(zhì)包括硅、藍(lán)寶石、氮化硅等。一、硅晶圓硅是目前制造半導(dǎo)體器件的主要材料，因其易加工、價格較低等優(yōu)良性能被廣泛采用。硅晶圓表面光潔度高，可重復(fù)性好，在光電子技術(shù)、光學(xué)等領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用。其制造過程主要包括單晶生長、切片和拋光等工序。二、藍(lán)寶石晶圓藍(lán)寶石（sapphire）是一種高硬度透明晶體，其晶格結(jié)構(gòu)與GaAs、Al2O3等半導(dǎo)體材料相近，尤其因其較大的帶隙（3.2eV）在制造高亮度LED、激光器等器件中得到廣泛應(yīng)用。此外，藍(lán)寶石的高強(qiáng)度、高抗腐蝕性也使其成為防護(hù)材料，如用于
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[常見問題]芯片制造為什么使用單晶硅做襯底[ 2024-05-31 17:27 ]
芯片制造中為什么都喜歡用單晶硅作為襯底材料呢?那是因為單晶硅片具有以下優(yōu)點：單晶硅片是半導(dǎo)體器件制造的基礎(chǔ)材料，應(yīng)用廣泛。計算機(jī)芯片、智能手機(jī)中的處理器、存儲器.傳感器等都是使用單晶硅片制造的。單晶硅具有顯著的半導(dǎo)體性能：單晶硅是一種半導(dǎo)體材料，具有較弱的導(dǎo)電性。該材料的電導(dǎo)率受光、電、磁、溫度等因素的影響，隨著溫度的升高而增加。超純的單晶硅屬于本征半導(dǎo)體，但在其中摻入亞A族元素，如硼，則可形成p型硅半導(dǎo)體，摻入微量的VA族元素，如磷或砷，則可形成n型硅半導(dǎo)體。通過擴(kuò)散作用，將p型半導(dǎo)體與n型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)
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[常見問題]吉致電子--GaN氮化鎵CMP拋光的重要性[ 2024-05-31 17:13 ]
  氮化鎵(GaN)是一種具有廣泛應(yīng)用前景的半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性和光學(xué)性能。在現(xiàn)代電子設(shè)備中，氮化鎵被廣泛應(yīng)用于 LED 顯示屏、激光器、功率放大器等領(lǐng)域，并且在未來的 5G 通訊、電動汽車等領(lǐng)域也具有巨大的發(fā)展?jié)摿?。然而，氮化鎵在制備過程中容易受到表面缺陷的影響，影響其性能和穩(wěn)定性，所以氮化鎵拋光工藝顯得尤為重要，淺談一下氮化鎵CMP拋光的重要性。 氮化鎵CMP拋光的重要性主要體現(xiàn)在以下幾個方面：1，提高器件的光電性能：氮化鎵材料用于制作 LED和LD等光電器件其表面質(zhì)量影響著器件的
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[行業(yè)資訊]看懂SIC碳化硅襯底研磨加工技術(shù)[ 2024-05-20 10:31 ]
碳化硅SiC襯底因其脆硬性特性再疊加大尺寸化、超薄化的放大效應(yīng)，給現(xiàn)有的加工技術(shù)帶來了巨大的挑戰(zhàn)，被視為典型難加工材料。高效率、高質(zhì)量的碳化硅襯底加工技術(shù)成了當(dāng)下的研究熱點。  碳化硅相較于第一、二代半導(dǎo)體材料具有更優(yōu)良的熱學(xué)、電學(xué)性能，如寬禁帶、高導(dǎo)熱、高溫度穩(wěn)定 性和低介電常數(shù)等，這些優(yōu)勢使得以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料廣泛應(yīng)用于高溫、高頻、高功率 以及抗輻射等極端工況.作為高性能微電子和光 電子器件制造的襯底基片，碳化硅襯底加工后的表面、亞表面質(zhì)量對器件的使用性能有著極為重要的影響。因
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[常見問題]SiC碳化硅應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？[ 2024-04-30 18:03 ]
碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷兩大類，無論是作為單晶還是陶瓷，碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏等三大干億賽道的關(guān)鍵材料之一。例如:單晶方面：碳化硅作為目前發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，可謂是近年來最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下，碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲能等節(jié)能減碳行業(yè),萬眾矚目。陶瓷方面：碳化硅憑借其優(yōu)異的高溫強(qiáng)度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導(dǎo)熱性、耐腐蝕性等性能，近年來隨著新能源汽車、半導(dǎo)體、光伏等行業(yè)的起飛而需求爆發(fā)，深深地滲入到這些新興領(lǐng)域的
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[常見問題]第三代半導(dǎo)體--碳化硅和氮化鎵的區(qū)別[ 2023-11-03 17:35 ]
  隨著國家對第三代半導(dǎo)體材料的重視，近年來我國半導(dǎo)體材料市場發(fā)展迅猛，其中以碳化硅SiC與氮化鎵NaG為主的材料備受關(guān)注，兩者經(jīng)常被拿來比較。  同為寬近帶半導(dǎo)體的成員，碳化硅SiC與氮化鎵NaG有何相同、有何不同呢？碳化硅與氮化家均屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料，它們具有禁代寬度大、電子漂移飽和速度高、介電常數(shù)小、導(dǎo)電性能好的特點。  隨著市場對半導(dǎo)體器件微型化、導(dǎo)熱性的高要求，這類材料的市場需求暴漲，適用于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。  ①性能不同：高電子遷移
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