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[行業(yè)資訊]襯底與晶圓在半導體制造中的作用及CMP技術解析[ 2025-07-15 15:41 ]

在半導體制造領域，襯底和晶圓是兩個密切相關但又各具功能的核心概念。襯底作為基礎層材料，為整個芯片制造過程提供物理支撐；而晶圓則是從襯底材料中切割出來的圓形硅片，是半導體芯片制造的直接載體。襯底通常是硅或其他半導體材料的薄片，具有優(yōu)異的機械性能和熱穩(wěn)定性。晶圓作為襯底的一部分，經(jīng)過精密加工后具有特定的晶體取向和表面特性，能夠滿足后續(xù)復雜的半導體工藝要求。襯底的核心功能與應用承載功能：襯底為半導體芯片提供穩(wěn)定的機械支撐平臺，確保在整個制造過程中保持結構完整性。優(yōu)質(zhì)的襯底能夠承受高溫、化學腐蝕等嚴苛工藝條件而不變形或降解

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[行業(yè)資訊]吉致電子：以創(chuàng)新CMP拋光液技術賦能碳化硅襯底新時代[ 2025-06-24 17:06 ]

隨著第三代半導體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，碳化硅(SiC)襯底憑借其卓越性能，正在新能源汽車、5G通信、智能電網(wǎng)等領域掀起技術革命。作為國內(nèi)領先的半導體材料解決方案提供商，吉致電子深耕碳化硅襯底CMP拋光液研發(fā)，為行業(yè)提供高性能、高穩(wěn)定性的拋光解決方案。碳化硅襯底：高端應用行業(yè)的基石碳化硅襯底因其寬禁帶、高導熱等特性，成為制造高壓、高溫、高頻器件的理想選擇。在新能源汽車領域，采用SiC襯底的功率模塊可使逆變器效率提升5-10%；在5G基站中，基于SiC襯底的射頻器件能顯著提升信號傳輸效率。這些高端應用對襯底表面質(zhì)量提出嚴苛要

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[行業(yè)資訊]從襯底到外延片：半導體材料的層級關系與作用[ 2025-05-20 14:16 ]

半導體襯底（Substrate）和外延片（Epitaxial Wafer）是半導體制造中的兩種關鍵材料，它們的區(qū)別主要體現(xiàn)在定義、結構、用途和制備工藝上：1. 定義與作用襯底（Substrate）是半導體器件的“基礎載體”，通常為單晶圓片（如硅、碳化硅、藍寶石等），提供機械支撐和晶體結構模板。功能：確保后續(xù)外延生長或器件加工的晶體結構一致性。外延片（Epitaxial Wafer）是在襯底表面通過外延生長技術（如氣相外延、分子束外延）沉積的一層單晶薄膜。功能：優(yōu)化電學性能（如純度、摻雜濃度）

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[行業(yè)資訊]【國產(chǎn)替代新選擇】吉致電子IC1000級拋光墊——打破壟斷，助力中國“芯”制造！[ 2025-04-10 17:08 ]

半導體CMP工藝中,拋光墊是關鍵耗材，但進口品牌長期占據(jù)市場主導。吉致電子作為國內(nèi)領先的半導體材料供應商，成功研發(fā)生產(chǎn)高性能國產(chǎn)替代IC1000級拋光墊，以穩(wěn)定、耐用、均勻性好的獲得客戶好評及推薦，為芯片制造企業(yè)提供更優(yōu)成本與穩(wěn)定供應！為什么選擇吉致電子IC1000拋光墊？①媲美國際大牌——采用高精度聚氨酯材質(zhì)與微孔結構設計，拋光均勻性、去除率對標進口產(chǎn)品，滿足銅、鎢、硅等材料的CMP工藝需求。②成本優(yōu)勢顯著——國產(chǎn)化生產(chǎn)，減少供應鏈依賴，價格更具競爭力，降低企業(yè)綜合

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[行業(yè)資訊]芯片拋光液（CMP Slurry）：半導體平坦化的核心驅動力[ 2025-04-08 11:12 ]

在半導體制造的精密世界里，納米級別的表面平整度宛如一把精準的標尺，直接主宰著芯片的性能與良率?；瘜W機械拋光（CMP）工藝宛如一位技藝精湛的大師，借助化學與機械的協(xié)同之力，達成晶圓表面的全局平坦化。而芯片拋光液（CMP Slurry），無疑是這一工藝得以順暢運行的 “血液”，發(fā)揮著無可替代的關鍵作用。吉致電子，作為深耕半導體材料領域的佼佼者，在此為您深度解析拋光液背后的技術奧秘，以及洞察其前沿發(fā)展趨勢。一、芯片拋光液的核心作用在CMP過程中，拋光液肩負著至關重要的雙重功能：化學腐蝕其所含的活性

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[吉致動態(tài)]硅片拋光液（Slurry）在半導體制造中的關鍵作用與技術特性[ 2025-03-27 17:06 ]

在半導體制造工藝中，硅片的全局平坦化是確保集成電路性能與可靠性的關鍵步驟。化學機械拋光（CMP, Chemical Mechanical Polishing）技術通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用，實現(xiàn)硅片表面的納米級平整，而硅片拋光液（Slurry）作為CMP工藝的核心耗材，其性能直接影響拋光效率與表面質(zhì)量。吉致電子（Geeze Electronics）作為半導體材料領域的領先供應商，致力于提供高性能硅片拋光液解決方案，助力先進制程的發(fā)展。1. 硅片拋光液的核心組成硅片拋光液是一種精密配制的膠體懸浮液，主要

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[行業(yè)資訊]CMP拋光液：從第一代到第三代半導體材料的精密拋光利器[ 2025-03-14 15:21 ]

隨著半導體技術的飛速發(fā)展，化學機械拋光（CMP）工藝在集成電路制造中的地位愈發(fā)重要。CMP拋光液作為這一工藝的核心材料，不僅廣泛應用于傳統(tǒng)的第一代和第二代半導體材料，如硅（Si）和砷化鎵（GaAs），更在第三代半導體材料的拋光中展現(xiàn)出巨大的潛力。CMP拋光液在第三代半導體材料中的應用第三代半導體材料以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石和氮化鋁（AlN）為代表，具有寬禁帶、高導熱率、抗輻射能力強、電子飽和漂移速率大等優(yōu)異特性。這些材料在高溫、高頻、大功率電子器件中表現(xiàn)突出，成為5G基站、新能

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[吉致動態(tài)]磷化銦襯底拋光液與CMP工藝的關聯(lián)[ 2025-02-07 11:33 ]

磷化銦襯底拋光液與化學機械平面研磨工藝（CMP）的關聯(lián)磷化銦（InP）作為第二代半導體材料的代表，因其優(yōu)異的電學、光學和熱學性能，在高速電子器件、光電子器件和微波器件等領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。然而InP襯底表面的高質(zhì)量加工是實現(xiàn)高性能器件的關鍵，其中化學機械平面研磨工藝（CMP）扮演著至關重要的角色。一、磷化銦襯底為什么使用CMP技術CMP是一種結合化學腐蝕和機械研磨的表面平坦化技術，通過拋光液slurry中的磨料成分與襯底表面發(fā)生化學反應，生成一層易于去除的軟化層，再借助拋光墊Pad的機械作用將其去除，從而實

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[行業(yè)資訊]吉致電子：碲鋅鎘襯底用什么拋光液？[ 2024-12-06 14:58 ]

碲鋅鎘晶體是一種具有優(yōu)異光電性能的半導體材料，其化學式為CdZnTe，也被稱為CZT。這種材料在核輻射探測器、X射線和伽馬射線探測器以及紅外探測器等領域有著廣泛的應用。由于其高電阻率、高原子序數(shù)和良好的能量分辨率，碲鋅鎘晶體特別適合用于高分辨率的放射線成像設備。此外，它還具有良好的化學穩(wěn)定性和機械加工性能，使其在制造過程中易于加工成各種形狀和尺寸。那么碲鋅鎘襯底用什么拋光液進行CMP加工呢？碲鋅鎘CMP研磨拋光一般采用化學機械拋光（Chemical Mechanical Pl

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[吉致動態(tài)]吉致電子--磷化銦拋光液在半導體CMP制程中的應用[ 2024-12-05 16:20 ]

無錫吉致電子科技提供的磷化銦襯底拋光液是一種專門用于半導體材料磷化銦表面處理的CMP化學機械拋光漿料。它包含特定的磨料和化學成分，能夠有效去除磷化銦表面的微小缺陷和不平整，確保獲得光滑、無損傷的表面。磷化銦拋光液在半導體制造過程中非常重要，它直接影響到最終器件的性能和穩(wěn)定性。磷化銦襯底拋光液的選擇和使用是一個復雜的過程，需要綜合考慮多個因素，且在CMP拋磨使用時，需要根據(jù)磷化銦襯底的具體要求和拋光設備的特性來選擇合適的InP拋光液，并嚴格控制拋光過程中的參數(shù)，如溫度、壓力和拋光時間等。首先，磷化銦CMP拋光液的成分

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[行業(yè)資訊]吉致電子---Si硅片拋光液，為半導體護航[ 2024-11-07 16:12 ]

半導體硅片拋光液是一種均勻分散膠粒的乳白色膠體，在半導體材料的CMP加工過程中起著至關重要的作用。其外觀通常為乳白色或微藍色透明溶液。半導體硅片Si拋光液主要有拋光、潤滑、冷卻等作用。在拋光方面，Si Slurry能夠有效地去除半導體硅晶圓表面的雜質(zhì)和凸起，使硅片表面更加光滑平整。例如，經(jīng)過拋光液處理后，晶片表面的微粗糙度可以達到 0.2nm 以下。在潤滑作用中，它可以減少硅片與拋光設備之間的摩擦，降低磨損，延長設備的使用壽命。同時，在拋光過程中會產(chǎn)生熱量，而拋光液的冷卻作用可以及時帶走熱量，防止硅片

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[行業(yè)資訊]半導體晶圓常見材質(zhì)有哪些[ 2024-07-25 17:08 ]

半導體晶圓常見材質(zhì)有哪些？晶圓常見的材質(zhì)包括硅、藍寶石、氮化硅等。一、硅晶圓硅是目前制造半導體器件的主要材料，因其易加工、價格較低等優(yōu)良性能被廣泛采用。硅晶圓表面光潔度高，可重復性好，在光電子技術、光學等領域有著重要的應用。其制造過程主要包括單晶生長、切片和拋光等工序。二、藍寶石晶圓藍寶石（sapphire）是一種高硬度透明晶體，其晶格結構與GaAs、Al2O3等半導體材料相近，尤其因其較大的帶隙（3.2eV）在制造高亮度LED、激光器等器件中得到廣泛應用。此外，藍寶石的高強度、高抗腐蝕性也使其成為防護材料，如用于

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[常見問題]芯片制造為什么使用單晶硅做襯底[ 2024-05-31 17:27 ]

芯片制造中為什么都喜歡用單晶硅作為襯底材料呢?那是因為單晶硅片具有以下優(yōu)點：單晶硅片是半導體器件制造的基礎材料，應用廣泛。計算機芯片、智能手機中的處理器、存儲器.傳感器等都是使用單晶硅片制造的。單晶硅具有顯著的半導體性能：單晶硅是一種半導體材料，具有較弱的導電性。該材料的電導率受光、電、磁、溫度等因素的影響，隨著溫度的升高而增加。超純的單晶硅屬于本征半導體，但在其中摻入亞A族元素，如硼，則可形成p型硅半導體，摻入微量的VA族元素，如磷或砷，則可形成n型硅半導體。通過擴散作用，將p型半導體與n型半導體制作在同一塊半導

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[常見問題]吉致電子--GaN氮化鎵CMP拋光的重要性[ 2024-05-31 17:13 ]

氮化鎵(GaN)是一種具有廣泛應用前景的半導體材料，具有優(yōu)異的電子特性和光學性能。在現(xiàn)代電子設備中，氮化鎵被廣泛應用于 LED 顯示屏、激光器、功率放大器等領域，并且在未來的 5G 通訊、電動汽車等領域也具有巨大的發(fā)展?jié)摿ΑＨ欢?，氮化鎵在制備過程中容易受到表面缺陷的影響，影響其性能和穩(wěn)定性，所以氮化鎵拋光工藝顯得尤為重要，淺談一下氮化鎵CMP拋光的重要性。氮化鎵CMP拋光的重要性主要體現(xiàn)在以下幾個方面：1，提高器件的光電性能：氮化鎵材料用于制作 LED和LD等光電器件其表面質(zhì)量影響著器件的

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[行業(yè)資訊]看懂SIC碳化硅襯底研磨加工技術[ 2024-05-20 10:31 ]

碳化硅SiC襯底因其脆硬性特性再疊加大尺寸化、超薄化的放大效應，給現(xiàn)有的加工技術帶來了巨大的挑戰(zhàn)，被視為典型難加工材料。高效率、高質(zhì)量的碳化硅襯底加工技術成了當下的研究熱點。碳化硅相較于第一、二代半導體材料具有更優(yōu)良的熱學、電學性能，如寬禁帶、高導熱、高溫度穩(wěn)定性和低介電常數(shù)等，這些優(yōu)勢使得以碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料廣泛應用于高溫、高頻、高功率以及抗輻射等極端工況.作為高性能微電子和光電子器件制造的襯底基片，碳化硅襯底加工后的表面、亞表面質(zhì)量對器件的使用性能有著極為重要的影響。因

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[常見問題]SiC碳化硅應用領域有哪些？[ 2024-04-30 18:03 ]

碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷兩大類，無論是作為單晶還是陶瓷，碳化硅材料目前已成為半導體、新能源汽車、光伏等三大干億賽道的關鍵材料之一。例如:單晶方面：碳化硅作為目前發(fā)展最成熟的第三代半導體材料，可謂是近年來最火熱的半導體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下，碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲能等節(jié)能減碳行業(yè),萬眾矚目。陶瓷方面：碳化硅憑借其優(yōu)異的高溫強度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導熱性、耐腐蝕性等性能，近年來隨著新能源汽車、半導體、光伏等行業(yè)的起飛而需求爆發(fā)，深深地滲入到這些新興領域的

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[常見問題]第三代半導體--碳化硅和氮化鎵的區(qū)別[ 2023-11-03 17:35 ]

隨著國家對第三代半導體材料的重視，近年來我國半導體材料市場發(fā)展迅猛，其中以碳化硅SiC與氮化鎵NaG為主的材料備受關注，兩者經(jīng)常被拿來比較。同為寬近帶半導體的成員，碳化硅SiC與氮化鎵NaG有何相同、有何不同呢？碳化硅與氮化家均屬于寬禁帶半導體材料，它們具有禁代寬度大、電子漂移飽和速度高、介電常數(shù)小、導電性能好的特點。隨著市場對半導體器件微型化、導熱性的高要求，這類材料的市場需求暴漲，適用于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。 ①性能不同：高電子遷移

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[行業(yè)資訊]半導體先進制程PAD拋光墊國產(chǎn)替代進行中[ 2023-06-23 11:09 ]

國內(nèi)半導體制造的崛起加速推動了半導體材料的國產(chǎn)化進程。在政策、資金以及市場需求的帶動下，我國集成電路產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，帶動上游材料需求增長。先進制程CMP拋光液及CMP拋光墊用量大增，國產(chǎn)替代進行中。 CMP拋光墊（CMP PAD）一般分為聚氨酯拋光墊、無紡布拋光墊、阻尼布拋光墊等，高精密研磨拋光墊應用于半導體制作、平面顯示器、玻璃光學、各類晶圓襯底、高精密金屬已經(jīng)硬盤基板等產(chǎn)業(yè)，目前主要型號有 IC1000、IC1400、IC2000、SUBA等，其中IC1000和SUBA是用得最廣的。&n

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[吉致動態(tài)]第三代半導體材料--碳化硅晶圓SiC拋光液[ 2023-04-17 16:49 ]

隨著硅半導體材料主導的摩爾定律逐漸走向其物理極限，同時硅也滿足不了微波射頻、高效功率電子和光電子等新需求快速發(fā)展的需要，以化合物半導體材料，特別是第三代半導體為代表的半導體新材料快速崛起。碳化硅是新型電力系統(tǒng)，特高壓電網(wǎng)必需的可達萬伏千安等級的唯一功率半導體材料，同時也是高鐵和新能源汽車牽引、電控系統(tǒng)的“心臟”。從國際技術發(fā)展水平來看，碳化硅方面，8英寸襯底開始產(chǎn)業(yè)化，車規(guī)級功率器件是當前開發(fā)重點，多家廠商已推出大功率模組及高溫封裝產(chǎn)品，碳化硅器件正向耐受更高電壓

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[行業(yè)資訊]拋光液廠家--CMP拋光液用于幾代半導體材料？[ 2023-02-17 15:50 ]

CMP拋光液用于幾代半導體材料？ CMP拋光液越來越多的應用于第三代半導體材料的拋光，科研方向朝著攻克拋光液技術門檻和市場壁壘發(fā)展。CMP工藝的集成電路比例在不斷增加，對CMP材料種類和用量的需求也在增加。更先進的邏輯芯片工藝可能會要求拋光新的材料，為CMP拋光材料帶來了更多的增長機會。目前，第三代半導體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導體材料。這代半導體具有更寬的禁帶寬度、更高的導熱率、更高的抗輻射能力

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