吉致電子 Cu CMP研磨工藝的三個(gè)步驟
Cu CMP研磨工藝通常包括三步。
第一步:用來(lái)磨掉晶圓表面的大部分金屬。
第二步:通過(guò)降低研磨速率的方法精磨與阻擋層接觸的金屬,并通過(guò)終點(diǎn)偵測(cè)技術(shù)(Endpoint)使研磨停在阻擋層上。
第三步:磨掉阻擋層以及少量的介質(zhì)氧化物,并用大量的去離子水(DIW)清洗研磨墊和晶圓。
Cu CMP研磨工藝中第一和第二步的研磨液通常是酸性的,使之對(duì)阻擋層和介質(zhì)層具有高的選擇性,而第三步的研磨液通常是偏堿性,對(duì)不同材料具有不同的選擇性。這兩種研磨液(金屬研磨液/介質(zhì)研磨液)都應(yīng)該含有H2O2、抗腐蝕的BTA(三唑甲基苯)以及其他添加物。Al2O3 或Si2O3可用作研磨顆粒,主要取決于研磨速率以及這種含有顆粒的膠體的穩(wěn)定性。
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