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襯底與晶圓在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用

文章出處:責(zé)任編輯:人氣:-發(fā)表時(shí)間:2024-07-10 14:55【

  襯底和晶圓是半導(dǎo)體制造過程中的兩個(gè)重要概念。襯底是作為基礎(chǔ)層的材料,承載著芯片和器件;而晶圓則是從襯底中切割出來的圓形硅片,作為半導(dǎo)體芯片的主要基板。襯底通常是硅片或其他材料的薄片,而晶圓則是襯底的一部分,具有特定的尺寸和方向。襯底用于承載和沉積薄膜,而晶圓用于生長(zhǎng)材料、制造芯片和執(zhí)行光刻等工藝步驟。

 襯底的應(yīng)用:

  1. 承載半導(dǎo)體芯片:襯底是半導(dǎo)體芯片的基礎(chǔ),提供穩(wěn)定的平臺(tái)來構(gòu)建電子器件和集成電路。

  2. 基礎(chǔ)層的沉積:在制造過程中,襯底上可能需要進(jìn)行一系列的薄膜沉積,如氧化物、金屬等。這些薄膜可以提供保護(hù)和功能性。

  3. 背面處理:襯底的背面通常進(jìn)行背刻和背面加工,以便使電流通過器件。 


  4. 吉致電子 晶圓與襯底的應(yīng)用

晶圓的應(yīng)用:

  1. 材料生長(zhǎng):晶圓作為基板,可以用來在其表面上生長(zhǎng)單晶薄膜,如外延生長(zhǎng)(Epitaxy)。

  2. 芯片制造:晶圓上的電路設(shè)計(jì)和制造是半導(dǎo)體芯片制造的關(guān)鍵步驟。涉及到將電路圖設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)化為實(shí)際的電子器件,并在晶圓上進(jìn)行精確的制造和加工。

  3. 光刻:晶圓上的光刻技術(shù)用于在薄膜上形成圖案,以定義電子器件的結(jié)構(gòu)和互連。

  4. 清洗和處理:晶圓經(jīng)常需要進(jìn)行清洗和處理步驟,以去除表面污染物、改善品質(zhì)和增強(qiáng)性能。

包裝和封裝:完成芯片制造后,晶圓將進(jìn)行切割和封裝,形成最終的半導(dǎo)體器件或集成電路。

  CMP又稱化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù),是使用化學(xué)腐蝕及機(jī)械力對(duì)加工過程中的硅晶圓或其它襯底材料進(jìn)行平坦化處理。其設(shè)備包括拋光、清洗、傳送三大模塊,其作業(yè)過程中,拋光頭將晶圓待拋光面壓抵在粗糙的拋光墊上,借助拋光液腐蝕、微粒摩擦、拋光墊摩擦等耦合實(shí)現(xiàn)全局平坦化。CMP技術(shù)是集成電路(芯片)制造過程中實(shí)現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝,是集成電路制造中推進(jìn)制程技術(shù)節(jié)點(diǎn)升級(jí)的重要環(huán)節(jié)。吉致電子研發(fā)生產(chǎn)晶圓、襯底CMP拋光產(chǎn)品,有多種成熟穩(wěn)定的研磨拋光加工方案(藍(lán)寶石襯底、碳化硅襯底、硅襯底、氮化鎵晶圓、硅晶圓、氮化硅晶圓等),可針對(duì)不同晶圓和襯底特性要求進(jìn)行一對(duì)一指導(dǎo),幫您解決拋光難題。

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