您好,歡迎來到吉致電子科技有限公司官網(wǎng)!
收藏本站|在線留言|網(wǎng)站地圖

吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

訂購(gòu)熱線:17706168670
熱門搜索： 硅晶圓slurry拋光液氧化硅拋光液集成電路拋光液CMP化學(xué)機(jī)械拋光液slurry化學(xué)機(jī)械拋光液
福吉電子采用精密技術(shù)，提供超高質(zhì)量產(chǎn)品
當(dāng)前位置：首頁(yè) » 全站搜索 » 搜索：sic研磨工藝
[常見問題]什么是SIC碳化硅襯底的常規(guī)雙面磨工藝[ 2024-03-07 17:22 ]
碳化硅SIC研磨工藝是去除切割過程中造成碳化硅晶片的表面刀紋以及表面損傷層，修復(fù)切割產(chǎn)生的變形。由于SiC的高硬度的特性，CM{研磨過程中必須使用高硬度的磨料（如碳化硼或金剛石粉）研磨SiC切片的晶體表面。碳化硅襯底常規(guī)的CMP研磨工藝一般分為粗磨和精磨。SiC襯底常規(guī)雙面磨工藝雙面磨工藝又稱DMP工藝，是目前大部分國(guó)內(nèi)碳化硅襯底廠商規(guī)?；a(chǎn)的工藝方案，對(duì)碳化硅進(jìn)行雙面研磨(粗磨/精磨)達(dá)到一定的表面平整度和光潔度。①粗磨：采用鑄鐵盤+單晶金剛石研磨液雙面研磨的方式該工藝可以有效的去除線割產(chǎn)生的損傷層，修復(fù)面型，
http://m.lygpingan.cn/Article/smssicthgc_1.html3星
記錄總數(shù)：0 | 頁(yè)數(shù)：0