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[行業(yè)資訊]吉致電子：以創(chuàng)新CMP拋光液技術(shù)賦能碳化硅襯底新時(shí)代[ 2025-06-24 17:06 ]: 隨著第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，碳化硅(SiC)襯底憑借其卓越性能，正在新能源汽車、5G通信、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域掀起技術(shù)革命。作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體材料解決方案提供商，吉致電子深耕碳化硅襯底CMP拋光液研發(fā)，為行業(yè)提供高性能、高穩(wěn)定性的拋光解決方案。碳化硅襯底：高端應(yīng)用行業(yè)的基石碳化硅襯底因其寬禁帶、高導(dǎo)熱等特性，成為制造高壓、高溫、高頻器件的理想選擇。在新能源汽車領(lǐng)域，采用SiC襯底的功率模塊可使逆變器效率提升5-10%；在5G基站中，基于SiC襯底的射頻器件能顯著提升信號(hào)傳輸效率。這些高端應(yīng)用對(duì)襯底表面質(zhì)量提出嚴(yán)苛要; http://m.lygpingan.cn/Article/jzdzycxcmp_1.html

[行業(yè)資訊]先進(jìn)半導(dǎo)體制造中的CMP Slurry：銅/鎢/碳化硅拋光液技術(shù)與國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展[ 2025-04-22 16:26 ]: 化學(xué)機(jī)械平坦化（CMP）工藝是半導(dǎo)體制造中的核心技術(shù)，其通過(guò)化學(xué)與機(jī)械協(xié)同作用實(shí)現(xiàn)納米級(jí)表面精度，對(duì)集成電路性能至關(guān)重要。以下從技術(shù)、市場(chǎng)及國(guó)產(chǎn)化角度進(jìn)行專業(yè)分析：一、CMP工藝核心要素拋光液（Slurry）化學(xué)組分：氧化劑（如H2O2用于Cu CMP）、磨料（納米SiO2/Al2O3）、pH調(diào)節(jié)劑及緩蝕劑，需針對(duì)材料特性（如Cu/W/SiC）定制配方。關(guān)鍵參數(shù)：材料去除率（MRR）、選擇比（Selectivity）、表面粗糙度（Ra＜0.5nm）及缺陷控制（如劃痕≤30nm）。吉致電子優(yōu)勢(shì)：25年技術(shù)積累可; http://m.lygpingan.cn/Article/xianjing75841644231_1_1.html

[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry解析[ 2025-03-26 16:10 ]: 在半導(dǎo)體制造工藝中，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是實(shí)現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的核心步驟，而拋光液（Slurry）的性能直接影響芯片的良率和可靠性。隨著制程節(jié)點(diǎn)不斷微縮至5nm、3nm甚至更先進(jìn)工藝，對(duì)CMP拋光液的化學(xué)穩(wěn)定性、材料選擇性和缺陷控制提出了更高要求。作為CMP材料解決方案提供商，吉致電子持續(xù)優(yōu)化拋光液技術(shù)，助力客戶突破先進(jìn)制程瓶頸。1. 基本組成與功能CMP拋光液由磨料顆粒、化學(xué)添加劑和超純水組成，通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同作用實(shí)現(xiàn)晶圓表面納米級(jí)平坦化。磨料顆粒：SiO?（二氧化硅）：廣泛用于氧化物拋光，具有高; http://m.lygpingan.cn/Article/0jzdzbdtcmp_1.html

[行業(yè)資訊]拋光液廠家--CMP拋光液用于幾代半導(dǎo)體材料？[ 2023-02-17 15:50 ]: CMP拋光液用于幾代半導(dǎo)體材料？ CMP拋光液越來(lái)越多的應(yīng)用于第三代半導(dǎo)體材料的拋光，科研方向朝著攻克拋光液技術(shù)門檻和市場(chǎng)壁壘發(fā)展。CMP工藝的集成電路比例在不斷增加，對(duì)CMP材料種類和用量的需求也在增加。更先進(jìn)的邏輯芯片工藝可能會(huì)要求拋光新的材料，為CMP拋光材料帶來(lái)了更多的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)。目前，第三代半導(dǎo)體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。這代半導(dǎo)體具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能力; http://m.lygpingan.cn/Article/pgycjcmppg_1.html

吉致電子拋光材料源頭廠家
25年專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)